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強(qiáng)茂(PANJIT)PJA3471、美微科(MCC)SI01P10國(guó)產(chǎn)化替代LMTL1P10

上海雷卯電子 ? 2026-01-30 09:16 ? 次閱讀
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上海雷卯生產(chǎn)的PMOSLMTL1P10可以替代pin to pin強(qiáng)茂(PANJIT)的PJA3471和美微科(MCC)的SI01P10。已經(jīng)有很多客戶(hù)選用LMTL1P10替代,客戶(hù)可以獲得更好的價(jià)格和更快的交期。特別是在一些受空間收下限的小電子設(shè)備很受青睞。

三款MOS參數(shù)對(duì)比如下:


Parameter(參數(shù))

強(qiáng)茂
PANJIT

美微科
MCC

雷卯
Leiditech

PartNumber

PJA3471

SI01P10

LMTL1P10

Package

SOT-23

SOT-23

SOT-23

FET type N or P

P

P

P

Drain?to?Source Voltage Vdss

-100

-100

-100

Drain Current 25℃Id(A)

-0.9

-1

-0.9

Power Dissipation Pd(W)

1.25

0.77

1.0

Gate?to?Source Voltage VGS(V)

20

20

20

Gate Threshold Voltage VGS(th)

-1~-2.5

-1~-3.0

-1~-2.5

Rds(on)(10V) (mΩ)Typ

500

560

520

Rds(on)(10V)(mΩ)Max

650

800

650

Rds(on)(4.5V)(mΩ)Typ

560

620

560

Rds(on)(4.5V)(mΩ)Max

700

1000

700

Total Gate Charge (Qg)

8

7.8

4.5

Turn?On Delay Time td(on)

3.7

6.1

13.6

Turn?Off Delay Time td(off)

21

12

34

Input Capacitance Ciss(PF)

448

342

553

Thermal Resistance Junction-Ambient RθJA (℃/W)

100

~

125

雷卯LMTL1P10是一款高性?xún)r(jià)比、通用性強(qiáng)的P溝道MOSFET。其100V耐壓和SOT-23小封裝的組合,使其在需要安全、緊湊地控制電源通斷的各種場(chǎng)景中成為優(yōu)選方案,尤其適合于消費(fèi)電子、辦公設(shè)備、汽車(chē)電子工業(yè)控制領(lǐng)域的電源管理設(shè)計(jì)。

LMTL1P10特性


VDS = -100VID=-0.9 A

RDS(ON), VGS@-10V, ID@-0.8A<650m??

RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-0.4A<700m?

增強(qiáng)型溝槽工藝

SOT-23 —體積小巧(約3mm x 3mm),節(jié)省電路板空間,適合高密度貼裝。


LMTL1P10應(yīng)用場(chǎng)景




核心應(yīng)用場(chǎng)景:高端電源開(kāi)關(guān)/負(fù)載開(kāi)關(guān)


高端電源開(kāi)關(guān)/負(fù)載開(kāi)關(guān)將MOSFET串聯(lián)在電源(Vcc)與負(fù)載之間,使用MCU GPIO通過(guò)簡(jiǎn)單電路(如一個(gè)NPN三極管)或一個(gè)小型N-MOS來(lái)控制其柵極電平,實(shí)現(xiàn)“一鍵斷電”。

優(yōu)點(diǎn):可徹底切斷外圍模塊(如傳感器通信模塊、顯示屏背光)的供電,實(shí)現(xiàn)零待機(jī)功耗,是電池供電設(shè)備節(jié)能的關(guān)鍵設(shè)計(jì)。

適用設(shè)備:智能家居設(shè)備、便攜式儀器、物聯(lián)網(wǎng)終端。

46cd50f0-fd79-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

汽車(chē)電子輔助電路


用于車(chē)載設(shè)備(導(dǎo)航/記錄儀)的電源切換,100V耐壓可應(yīng)對(duì)汽車(chē)電源瞬態(tài)電壓,SOT-23封裝滿(mǎn)足小型化需求。

辦公設(shè)備與工業(yè)控制


利用其100V耐壓和近1A的電流能力,非常適合驅(qū)動(dòng)打印機(jī)、掃描儀、自動(dòng)化設(shè)備中的小型直流電機(jī)、散熱風(fēng)扇、電磁閥、指示燈等負(fù)載。

PWM控制與簡(jiǎn)易DC-DC電路


由于其開(kāi)關(guān)速度較快且導(dǎo)通電阻低,可用于低頻PWM調(diào)光、調(diào)速等場(chǎng)景。也可作為簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源線性穩(wěn)壓器中的功率開(kāi)關(guān)管,適用于非隔離、小功率的電壓轉(zhuǎn)換。

MOSFET選型與使用注意事項(xiàng)


1、驅(qū)動(dòng)電路為保證驅(qū)動(dòng)電路能為柵極提供足夠負(fù)的Vgs(通常需要 ≤-4.5V或-10V,視具體型號(hào)和所需Rds(on)而定),以使其完全導(dǎo)通,降低損耗。常用一個(gè)NPN三極管(如MMBT3904)構(gòu)成下拉開(kāi)關(guān),由MCU的3.3V/5V GPIO控制。

2、柵極電阻抗干擾:在驅(qū)動(dòng)路徑上串聯(lián)一個(gè)小電阻(如10-100Ω),可以抑制柵極振蕩,減少EMI。

3、柵極保護(hù):務(wù)必在柵-源極間并聯(lián)一個(gè)電阻(如10kΩ),確保MCU未輸出時(shí)MOS管處于確定關(guān)斷狀態(tài),防止意外導(dǎo)通

4、體二極管:P-MOS內(nèi)部存在一個(gè)從源極(S)指向漏極(D)的寄生二極管。在作為開(kāi)關(guān)時(shí),這個(gè)二極管的方向通常是反向的。但在感性負(fù)載(如電機(jī)、繼電器)關(guān)斷時(shí),需要考慮續(xù)流路徑,這個(gè)二極管有時(shí)會(huì)起到續(xù)流作用,但可能需要額外的肖特基二極管來(lái)分擔(dān)。

5、功耗與散熱:SOT-23封裝散熱能力有限,需根據(jù)公式P_loss = I2* Rds(on)計(jì)算導(dǎo)通損耗,確保在安全溫度范圍內(nèi)工作。

上海雷卯電子將持續(xù)深耕靜電浪涌防護(hù)領(lǐng)域,迭代優(yōu)化防護(hù)器件的性能與封裝,為溫度傳感器的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。工程技術(shù)人員在設(shè)計(jì)過(guò)程中,應(yīng)充分結(jié)合傳感器類(lèi)型、電源參數(shù)與接口特性,選用適配的防護(hù)方案,從源頭規(guī)避故障風(fēng)險(xiǎn),提升系統(tǒng)整體可靠性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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