【博主簡(jiǎn)介】本人“愛(ài)在七夕時(shí)”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！

靜電放電現(xiàn)象經(jīng)常發(fā)生在我們周?chē)?，例如冬天脫羊毛衫出現(xiàn)的劈啪聲、有時(shí)手觸碰到金屬把手會(huì)有觸電的感覺(jué)，這些都是靜電放電現(xiàn)象。通常這種放電現(xiàn)象對(duì)人體不會(huì)有什么影響，甚至絕大多數(shù)情況下我們都毫無(wú)感覺(jué)，但是對(duì)于集成電路芯片領(lǐng)域，靜電放電就是一個(gè)不可忽視的重大問(wèn)題，因?yàn)殪o電放電可以在短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生幾百甚至幾千伏高壓，雖然持續(xù)時(shí)間很短，但是足以給半導(dǎo)體芯片（IC）的某個(gè)部位造成不可逆的熱損傷。

芯片（IC）靜電放電失效主要分成以下兩種情況：

1、不可逆熱損壞失效

這種損壞會(huì)導(dǎo)致芯片功能失效，不能繼續(xù)使用，最典型熱擊穿包括:金屬熔斷、介質(zhì)擊穿、PN結(jié)擊穿。

2、功能退化失效

功能退化會(huì)導(dǎo)致芯片（IC）性能下降，如芯片壽命降低、魯棒性降低、性能參數(shù)退化等，但是功能退化不會(huì)使芯片直接失效，芯片仍然可以繼續(xù)使用。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司對(duì)芯片（IC）產(chǎn)品的失效原因的調(diào)查數(shù)據(jù)如下圖所示，結(jié)果表明：因靜電放電或電氣過(guò)應(yīng)力(Electricl Over Stress，EOS）產(chǎn)生的失效，約占失效芯片（IC）產(chǎn)品失效總數(shù)的37%。

所以，在了解了在半導(dǎo)體芯片（IC）制造和電子硬件設(shè)計(jì)與生產(chǎn)中，靜電放電是造成元器件失效的重要原因后，靜電放電模型的定量分析便成了測(cè)試靜電放電耐受性的最核心依據(jù)。

一、靜電放電的介紹

靜電放電，英文全稱(chēng)：Electro-Static Discharge，簡(jiǎn)稱(chēng)：ESD，它是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。靜電放電（ESD）是一種常見(jiàn)的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。

靜電產(chǎn)生的途徑：接觸分離；摩擦；剝離；斷裂；傳導(dǎo)；感應(yīng)；其他：熱電、光電、壓電。下面介紹幾種常見(jiàn)的靜電產(chǎn)生的實(shí)例：

1、接觸分離帶電

不同物質(zhì)接觸分離都會(huì)產(chǎn)生靜電；

2、摩擦帶電

摩擦可以看作反復(fù)的接觸分離過(guò)程，工作中因摩擦或接觸分離產(chǎn)生靜電的地方：

a. 工作中的人體走動(dòng)，取放物品都會(huì)產(chǎn)生靜電；

b. 設(shè)備中的運(yùn)動(dòng)也有摩擦或接觸分離的動(dòng)作，因此也會(huì)產(chǎn)生靜電；

c. 移動(dòng)的設(shè)備如推車(chē)，也會(huì)因摩擦產(chǎn)生靜電。

決定摩擦電壓的因素主要有：接觸的程度、表面的均勻度、接觸壓力、磨力、分離速度等因素都會(huì)影響到摩擦電壓的大小。

而材料的不同摩擦電壓也會(huì)有不同，環(huán)境溫度濕度的不同對(duì)摩擦電壓也有重大的影響。濕度越小摩擦電壓越大。

3、剝離帶電

物質(zhì)原有的電荷平衡被打破，兩邊帶上相反的電荷；同種物質(zhì)的剝離和不同物質(zhì)間的剝離都會(huì)產(chǎn)生靜電。例如：不干膠帶、膠貼、傳送帶等都會(huì)因?yàn)閯冸x帶電；

4、斷裂帶電

物體斷裂成后，各部分會(huì)帶上不同的電荷；

5、傳導(dǎo)帶電

一個(gè)不帶電的物體接觸帶電的物體會(huì)通過(guò)傳導(dǎo)帶上相同的電荷；

6、感應(yīng)帶電

帶電體產(chǎn)生電場(chǎng)，電場(chǎng)中的導(dǎo)體因電荷轉(zhuǎn)移而帶電；

二、靜電放電（ESD）的工作原理

靜電放電（ESD）放電的發(fā)生原理是在一定電場(chǎng)中，存在電荷分布不平衡或者不均，或存在電壓差，兩者必須存在其一才會(huì)發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移或者強(qiáng)烈放電。

靜電放電（ESD）現(xiàn)象模擬是尖狀物體靠近，圓形物體靠近，破壞了整個(gè)環(huán)境的靜電系統(tǒng)平衡，產(chǎn)生了能量或者電荷轉(zhuǎn)移或轉(zhuǎn)化。

靜電槍正式基于上述幾個(gè)典型的現(xiàn)象來(lái)做了近似的模擬，首先讓電荷和電壓通過(guò)前級(jí)電路充電到高壓和幾局電荷，Q=CU，然后再扣動(dòng)后級(jí)開(kāi)關(guān)產(chǎn)生靜電現(xiàn)象。其后級(jí)電路決定了產(chǎn)生靜電放電（ESD）放電的基本放電常數(shù)，圓頭和尖頭決定了產(chǎn)生靜電放電（ESD）放電的基本接觸形式。

因此，靜電放電（ESD）放電不是頂在上面（比如金屬或者特定介質(zhì)）才有電荷轉(zhuǎn)移或靜電放電（ESD）放電現(xiàn)象，在沒(méi)有接觸到介質(zhì)之前，其實(shí)已經(jīng)將空氣擊穿了，空氣成為一種導(dǎo)體，將能量傳導(dǎo)了將要接觸的地方，當(dāng)緊密接觸了，又有類(lèi)似的重啟電荷分配。

所以，世界的靜電放電（ESD）放電應(yīng)該是漸進(jìn)式放電，并非接觸放電，但因接觸或者漸近的速度不一樣，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不一樣，為了規(guī)范這一現(xiàn)象，都采用了現(xiàn)在的靜電放電（ESD）標(biāo)準(zhǔn)，采用了智能的靜電放電（ESD）放電槍?zhuān)鼈兊奶攸c(diǎn)是，用圓頭時(shí)，頂在金屬上面放不出電，用尖頭時(shí)不接觸時(shí)候也放不出電，避免了各種組合的放電現(xiàn)象。值得注意的是，靜電放電（ESD）放電頭的高壓在5秒之內(nèi)電壓不能衰減5%，否則它就不符合靜電放電（ESD）放電標(biāo)準(zhǔn)。

三、靜電放電（ESD）的特點(diǎn)

靜電放電（ESD）在大多數(shù)情況下是高電位、強(qiáng)磁場(chǎng)，瞬時(shí)大電流的過(guò)程，并會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁輻射并產(chǎn)生電磁脈沖。有些靜電放電（ESD）（如電暈放電）其放電過(guò)程產(chǎn)生的電流比較小，但是通常絕大多數(shù)情況下靜電放電（ESD）過(guò)程會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)大電流，特別是帶電導(dǎo)體或小金屬體的帶電人體對(duì)接地體產(chǎn)生靜電放電（ESD）時(shí)，可以產(chǎn)生脈沖寬度為ns或us級(jí)的強(qiáng)度為幾十安培甚至上百安培的瞬時(shí)大電流?？傮w來(lái)說(shuō)靜電放電（ESD）產(chǎn)生的電磁場(chǎng)分為電荷激發(fā)的以靜電場(chǎng)為主的近場(chǎng)和電爐微分項(xiàng)產(chǎn)生的遠(yuǎn)場(chǎng)。

所以，在近場(chǎng)中，電場(chǎng)和磁場(chǎng)與放電電流成正比，并具有幅值高、上升沿陡頻譜寬的特點(diǎn)，電場(chǎng)可以達(dá)到數(shù)千伏/米，磁場(chǎng)則可以達(dá)到幾十安/米。由于電容上的能量輻射、電場(chǎng)能量存儲(chǔ)以及反射能量的疊加，使得近場(chǎng)的結(jié)構(gòu)十分復(fù)雜；遠(yuǎn)場(chǎng)中，電場(chǎng)和磁場(chǎng)與放電電流和時(shí)間的變化率有關(guān)，遠(yuǎn)場(chǎng)是以輻射為主，其大小隨距離增大而減小。近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)的電場(chǎng)值隨放電電壓的升高而增大，但是隨著放電電壓的升高，放電火花長(zhǎng)度和脈沖電流上升時(shí)間的變大，會(huì)導(dǎo)致電流對(duì)時(shí)間的變化率產(chǎn)生的輻射場(chǎng)變小。

四、靜電放電（ESD）的基礎(chǔ)知識(shí)分享

以下就是本章節(jié)要跟大家分享的關(guān)于靜電放電（ESD）的基礎(chǔ)知識(shí)內(nèi)容，如有感興趣的朋友，可以一起交流學(xué)習(xí)：

因?yàn)楸?a href="http://m.brongaenegriffin.com/soft/" target="_blank">培訓(xùn)資料章節(jié)太多，完整版如有朋友有需要，可私信我邀請(qǐng)您加入我“知識(shí)星球”免費(fèi)下載PDF版本。注意：此資料只可供自己學(xué)習(xí)，不可傳閱，平臺(tái)有下載記錄，切記！歡迎加入后一起交流學(xué)習(xí)。

五、靜電放電（ESD）常見(jiàn)的三種模型

為了定量表征靜電放電（ESD）的特性，一般將靜電放電（ESD）轉(zhuǎn)化成模型表達(dá)方式，靜電放電（ESD）的模型有很多種，一般有：人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)、充電組件模型(CDM)、國(guó)際電子工業(yè)委員會(huì)標(biāo)準(zhǔn)(IEC)、傳輸線(xiàn)脈沖模型(TLP)、快速傳輸線(xiàn)脈沖模型(VF-TLP)、人體金屬放電模型(HMM)等。

其中人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)、組件充電模型(CDM)為芯片級(jí)測(cè)試模型，主要是模擬芯片本身的靜電放電（ESD）防護(hù)能力。一個(gè)質(zhì)量好的芯片，都需要有相應(yīng)的靜電放電（ESD）防護(hù)設(shè)計(jì)，芯片級(jí)ESD模型主要研究ESD防護(hù)設(shè)計(jì)與芯片核心電路的協(xié)同工作能力。

國(guó)際電子工業(yè)委員會(huì)標(biāo)準(zhǔn)(IEC)、人體金屬放電模型(HMM)為系統(tǒng)級(jí)測(cè)試模型。系統(tǒng)級(jí)模型主要是研究一個(gè)成型的電子產(chǎn)品的靜電放電（ESD）防護(hù)能力。一個(gè)質(zhì)量好的電子產(chǎn)品，除了內(nèi)部芯片需要有相應(yīng)的靜電放電（ESD）防護(hù)設(shè)計(jì)外，芯片外部還需要并聯(lián)相應(yīng)ESD/EOS防護(hù)器件作一級(jí)防護(hù)，泄放初期電流，通常這種器件為瞬態(tài)電壓抑制器。

傳輸線(xiàn)脈沖模型(TLP)與快速傳輸線(xiàn)脈沖模型(VF-TLP)為器件級(jí)測(cè)試模型，主要研究靜電放電（ESD）防護(hù)器件的性能。用于靜電放電（ESD）防護(hù)的基本器件都需要進(jìn)行TLP與VF-TLP測(cè)試來(lái)確定其靜電放電（ESD）參數(shù)，評(píng)估其 靜電放電（ESD）性能。下面介紹最常用的三種：

1、人體模型(HBM)

a. 模型定義

人體模型，英文全稱(chēng)：Human Body Model，簡(jiǎn)稱(chēng)：HBM。人體模型(HBM)主要是模擬人體與芯片接觸過(guò)程中導(dǎo)致芯片攜帶靜電的情況。人體在某種條件下攜帶了大量靜電荷，隨后與芯片接觸，人體所帶靜電荷轉(zhuǎn)移到芯片上，其中人體、芯片、地組成放電通路。

該模型的等效電路如下圖，通常由一個(gè)100pF的電容（模擬人體與衣物等的等效電容）和一個(gè)1.5kΩ的電阻（模擬人體皮膚電阻）串聯(lián)組成，放電電壓范圍一般為幾百伏到數(shù)萬(wàn)伏。圖中右下角是人體模型(HBM)的靜電放電（ESD）測(cè)試等級(jí)。

b. 發(fā)生場(chǎng)景

覆蓋元器件在人工操作環(huán)節(jié)的靜電放電（ESD）風(fēng)險(xiǎn)，比如生產(chǎn)過(guò)程中的人 手裝配、測(cè)試、倉(cāng)儲(chǔ)搬運(yùn)等場(chǎng)景，是最基礎(chǔ)、應(yīng)用最廣泛的靜電放電（ESD）測(cè)試模型。

c. 對(duì)器件損傷特點(diǎn)

放電電流上升時(shí)間較慢（約10ns），持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)（約100ns），主要損傷元器件的輸入輸出引腳、柵氧化層等部位。

d. 敏感元器件的靜電敏感度等級(jí)

根據(jù)JS-001標(biāo)準(zhǔn)，共分為下表中的九個(gè)等級(jí)：

2、機(jī)器模型(MM)

a. 模型定義

機(jī)器模型，英文全稱(chēng)：Machine Mode，簡(jiǎn)稱(chēng)：MM，也稱(chēng)作：機(jī)器放電模型。機(jī)器模型(MM)的等效電路與人體模型(HBM)相似，但等效電容(Cb)是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型(MM)與人體模型(HBM)的差異較大，實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型(MM)放電時(shí)沒(méi)有電阻，且儲(chǔ)電電容大于人體模型(HBM)，同等電壓對(duì)器件的損害，機(jī)器模型(MM)遠(yuǎn)大于人體模型(HBM)。

b. 發(fā)生場(chǎng)景

針對(duì)自動(dòng)化生產(chǎn)環(huán)節(jié)，比如貼片機(jī)、焊接設(shè)備、傳輸帶等金屬部件與元器件的接觸放電，這類(lèi)場(chǎng)景的放電能量更集中，破壞性更強(qiáng)。

c. 對(duì)器件損傷特點(diǎn)

放電電流上升時(shí)間極快（約 1ns），峰值電流大，容易造成元器件內(nèi)部金屬導(dǎo)線(xiàn)的熔斷或焊點(diǎn)失效。

d. 敏感元器件的靜電敏感度等級(jí)

根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，共分為三個(gè)等級(jí)；

3、充電組件模型(CDM)

a. 模型定義

充電組件模型，英文全稱(chēng)：Charged Device Model，簡(jiǎn)稱(chēng)：CDM，又稱(chēng)作：帶電器件模型。半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝形式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過(guò)程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互摩擦，就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。充電組件模型(CDM)就是基于已帶電的器件通過(guò)管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的。

該模型的等效電路如下圖，元器件本身等效為一個(gè)小電容（通常幾皮法到幾十皮法），帶電后通過(guò)引腳對(duì)地放電，放電回路電阻極低，電流上升時(shí)間可達(dá)亞納秒級(jí)。圖中右下角是充電組件模型(CDM)的靜電放電（ESD）測(cè)試等級(jí)。

b. 發(fā)生場(chǎng)景

常見(jiàn)于元器件的高速取放、分選環(huán)節(jié)，比如真空吸嘴搬運(yùn)芯片時(shí)，器件與吸嘴摩擦帶電，隨后引腳接觸測(cè)試座或電路板接地端放電。

c. 對(duì)器件損傷特點(diǎn)

放電時(shí)間極短（小于 10ns），電流密度極大，容易直接擊穿元器件的核心芯片區(qū)域，導(dǎo)致器件瞬間失效，且損傷往往難以通過(guò)外觀檢測(cè)發(fā)現(xiàn)。

d. 敏感元器件的靜電敏感度等級(jí)

根據(jù)JS-002標(biāo)準(zhǔn)，共分為五個(gè)等級(jí)；

因此，器件的靜電放電（ESD）等級(jí)一般均是按以上三種模型測(cè)試，大部分靜電放電（ESD）敏感器件手冊(cè)上都有器件的靜電放電（ESD）數(shù)據(jù)，一般給出的是人體模型(HBM)和機(jī)器模型(MM)。通過(guò)器件的靜電放電（ESD）數(shù)據(jù)可以了解器件的靜電放電（ESD）特性。

但要注意的是，器件的每個(gè)管腳的靜電放電（ESD）特性差異較大，某些管腳的靜電放電（ESD）電壓會(huì)特別低，一般來(lái)說(shuō)，高速端口，高阻輸入端口，模擬端靜電放電（ESD）電壓會(huì)比較低。

六、靜電放電（ESD）測(cè)試的方式

靜電放電（ESD）測(cè)試方法主要包括以下幾種：

1、直接放電測(cè)試（Direct Discharge Test）?

使用帶有特定功能的靜電槍直接對(duì)測(cè)試器件進(jìn)行電擊，模擬不同電壓和電流下的靜電放電（ESD）事件，以評(píng)估器件在不同場(chǎng)景下的耐受能力?。

2、間接放電測(cè)試（Indirect Discharge Test）?

通過(guò)預(yù)設(shè)的阻抗或電阻載體與測(cè)試器件相連，進(jìn)行放電測(cè)試。通過(guò)調(diào)整電阻載體的參數(shù)，模擬各種放電條件，驗(yàn)證設(shè)備在各種靜電放電（ESD）環(huán)境下的抗干擾性能?。

3、模擬放電測(cè)試（Simulated ESD Event Test）?

利用電容器、電感等元件構(gòu)建的特殊模擬器件，生成類(lèi)似靜電放電（ESD）事件的放電脈沖。通過(guò)測(cè)量器件對(duì)模擬靜電放電（ESD）事件的響應(yīng)，評(píng)估其在真實(shí)環(huán)境下的表現(xiàn)?。

4、靜電靈敏度測(cè)試（Electrostatic Sensitivity Test）?

將被測(cè)器件置于特定的靜電放電（ESD）環(huán)境中，利用不同的電場(chǎng)和電荷量進(jìn)行測(cè)試。通過(guò)分析器件的響應(yīng)和損壞情況，量化其靜電靈敏度和魯棒性?。

5、靜電放電（ESD）發(fā)生率測(cè)試（ESD Trigger Rate Test）?

通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間、連續(xù)的靜電放電（ESD）事件模擬，測(cè)試器件在長(zhǎng)期暴露于靜電放電（ESD）環(huán)境下的可靠性。監(jiān)測(cè)器件的故障率和性能變化，評(píng)估其長(zhǎng)期耐用性?。

6、人體模擬器測(cè)試（Human Body Model Test, HBM）?

采用人體模型進(jìn)行靜電放電（ESD）測(cè)試，模擬人體觸摸設(shè)備時(shí)產(chǎn)生的靜電放電。通過(guò)模擬人體的電容和電阻特性，評(píng)估設(shè)備在人為靜電放電（ESD）事件下的抗干擾能力?。

7、電子設(shè)備模擬測(cè)試（Equipment Model Test, EMM）?

連接模擬的設(shè)備模型和測(cè)試器件，模擬真實(shí)環(huán)境中的靜電放電（ESD）放電事件。通過(guò)調(diào)整設(shè)備模型的參數(shù)和測(cè)試條件，模擬多種靜電放電（ESD）事件場(chǎng)景，全面評(píng)估器件性能?。

8、瞬態(tài)建模分析（Transient Modelling Analysis）?

利用數(shù)學(xué)建模和仿真技術(shù)，對(duì)器件的靜電放電（ESD）性能進(jìn)行深入分析和評(píng)估。通過(guò)模擬器件在不同靜電放電（ESD）事件下的瞬態(tài)響應(yīng)，優(yōu)化設(shè)計(jì)以提高其抗靜電放電（ESD）能力?。

這些測(cè)試方法各有側(cè)重，綜合使用可以全面評(píng)估電子設(shè)備在不同靜電放電（ESD）環(huán)境下的性能和可靠性。

七、靜電放電（ESD）的危害性

靜電放電（ESD）對(duì)多個(gè)行業(yè)，尤其是半導(dǎo)體行業(yè)構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。據(jù)估計(jì)，約有40%的集成電路失效是由靜電放電（ESD）引起的。在電子電器產(chǎn)品中，靜電放電（ESD）是導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不穩(wěn)定甚至損壞的主要原因之一。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，元件集成度提高，特征尺寸縮小，電子元件對(duì)靜電放電（ESD）的敏感性也隨之增加。在靜電放電（ESD）的高壓和大電流作用下，電子元件可能會(huì)遭受不可逆的損傷，造成產(chǎn)品損壞或性能下降。

所以，靜電放電（ESD）是電子行業(yè)中一個(gè)不可忽視的問(wèn)題，它對(duì)產(chǎn)品的可靠性和壽命有著直接的影響。隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)靜電放電（ESD）的測(cè)試和防護(hù)要求也越來(lái)越高。通過(guò)嚴(yán)格的靜電放電（ESD）測(cè)試和有效的防護(hù)措施，可以顯著提高電子產(chǎn)品的抗靜電能力，減少因靜電放電（ESD）造成的損失。因此，對(duì)于電子元件制造商和用戶(hù)來(lái)說(shuō)，了解靜電放電（ESD）的原理、危害和測(cè)試方法，采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施，對(duì)于保障產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要。

八、靜電放電（ESD）的意義

1、確?？煽啃?

驗(yàn)證電子設(shè)備在靜電放電時(shí)能否正常工作，避免故障。

2、發(fā)現(xiàn)問(wèn)題?

提前識(shí)別并解決靜電引起的潛在問(wèn)題，提高產(chǎn)品質(zhì)量。

3、符合標(biāo)準(zhǔn)?

確保產(chǎn)品滿(mǎn)足國(guó)際靜電放電（ESD）標(biāo)準(zhǔn)，順利進(jìn)入市場(chǎng)。

4、降低成本?

減少因靜電損壞導(dǎo)致的維修和維護(hù)費(fèi)用。

5、保障安全?

提升設(shè)備的穩(wěn)定性和用戶(hù)使用安全性。

簡(jiǎn)而言之，靜電放電靜電放電（ESD）測(cè)試是為了讓電子設(shè)備更可靠、更安全、更耐用。

九、靜電放電（ESD）的防護(hù)措施

1、設(shè)計(jì)階段

在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段，工程師應(yīng)考慮靜電防護(hù)，選擇適當(dāng)?shù)牟牧虾徒Y(jié)構(gòu)，以降低靜電積累的風(fēng)險(xiǎn)。例如，使用抗靜電材料和涂層可以有效減少靜電的產(chǎn)生。

2、生產(chǎn)環(huán)境控制

在生產(chǎn)環(huán)境中，保持適當(dāng)?shù)臐穸群蜏囟瓤梢詼p少靜電的積累。使用防靜電地板、工作臺(tái)和設(shè)備可以有效降低靜電的影響。

3、人員培訓(xùn)

對(duì)操作人員進(jìn)行靜電防護(hù)培訓(xùn)，使其了解靜電的產(chǎn)生和防護(hù)措施，確保在處理敏感元器件時(shí)采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施，如佩戴防靜電手環(huán)和鞋子。

4、測(cè)試與驗(yàn)證

定期進(jìn)行靜電放電（ESD）測(cè)試，以驗(yàn)證產(chǎn)品的抗靜電能力。通過(guò)測(cè)試結(jié)果，及時(shí)調(diào)整和改進(jìn)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)流程，確保產(chǎn)品在市場(chǎng)上的可靠性。

十、總結(jié)一下

人體模型(HBM)的放電波形持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)，攜帶的能量很大，可以直接打穿MOS的柵氧端或者源漏端。因此由人體模型(HBM)引起的靜電放電（ESD）失效主要為MOS管的源漏擊穿與柵氧擊穿。雖然充電組件模型(CDM)放電波形的峰值電流較大，但是持續(xù)時(shí)間短，因此充電組件模型(CDM)放電波形所攜帶的能量并沒(méi)有人體模型(HBM)那么大。由充電組件模型(CDM)引發(fā)的靜電放電（ESD）失效點(diǎn)形狀就小很多，多為針孔狀的柵氧擊穿。

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