MAX14527/MAX14528:高精度可調(diào)過(guò)壓保護(hù)器的深度剖析
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,過(guò)壓保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán),它能有效防止設(shè)備因電壓異常而損壞。今天,我們就來(lái)深入探討MAXIM公司的MAX14527/MAX14528高精度可調(diào)過(guò)壓保護(hù)器,看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用場(chǎng)景。
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產(chǎn)品概述
MAX14527/MAX14528過(guò)壓保護(hù)設(shè)備內(nèi)置低導(dǎo)通電阻(典型值為100mΩ)的內(nèi)部FET,能夠?yàn)榈蛪合到y(tǒng)提供高達(dá)+28V的電壓故障保護(hù)。當(dāng)輸入電壓超過(guò)過(guò)壓閾值時(shí),內(nèi)部FET會(huì)自動(dòng)關(guān)閉,從而保護(hù)受保護(hù)組件免受損壞。該系列產(chǎn)品的過(guò)壓保護(hù)閾值可通過(guò)可選的外部電阻進(jìn)行調(diào)節(jié),范圍在4V至8V之間。而且,當(dāng)OVLO輸入設(shè)置低于外部OVLO選擇電壓時(shí),設(shè)備會(huì)自動(dòng)選擇內(nèi)部精度為±2.5%的跳變閾值,其中MAX14527的內(nèi)部過(guò)壓閾值(OVLO)典型值為5.75V,MAX14528為6.76V。此外,它們還具備過(guò)流保護(hù)和內(nèi)部熱關(guān)斷功能,確保在各種異常情況下都能穩(wěn)定工作。
產(chǎn)品特性亮點(diǎn)
強(qiáng)大的電壓保護(hù)能力
- 寬輸入電壓范圍:能夠承受高達(dá)+28V的輸入電壓,為設(shè)備提供了可靠的過(guò)壓保護(hù)。
- 高精度預(yù)設(shè)閾值:內(nèi)部預(yù)設(shè)了±2.5%精度的OVLO閾值,MAX14527為5.75V,MAX14528為6.76V,滿(mǎn)足不同應(yīng)用的需求。
靈活的過(guò)壓保護(hù)設(shè)置
- 可調(diào)過(guò)壓保護(hù)跳閘級(jí)別:通過(guò)外部電阻可以靈活調(diào)整過(guò)壓保護(hù)的跳閘級(jí)別,適應(yīng)各種復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景。
- 集成低電阻開(kāi)關(guān):內(nèi)置100mΩ(典型值)的n溝道MOSFET開(kāi)關(guān),降低了導(dǎo)通損耗。
優(yōu)化的啟動(dòng)和保護(hù)機(jī)制
- 軟啟動(dòng)功能:能夠有效減少浪涌電流,保護(hù)設(shè)備免受沖擊。
- 自動(dòng)過(guò)壓保護(hù)跳閘級(jí)別選擇:根據(jù)實(shí)際情況自動(dòng)選擇合適的過(guò)壓保護(hù)跳閘級(jí)別,提高了設(shè)備的智能性。
- 內(nèi)部啟動(dòng)延遲:15ms的內(nèi)部啟動(dòng)延遲,防止內(nèi)部FET在啟動(dòng)時(shí)誤開(kāi)啟。
- 熱關(guān)斷保護(hù):當(dāng)結(jié)溫超過(guò)150°C(典型值)時(shí),內(nèi)部FET會(huì)自動(dòng)關(guān)閉,當(dāng)溫度下降20°C(典型值)后,設(shè)備恢復(fù)正常工作,確保了設(shè)備的可靠性。
小巧的封裝和寬溫度范圍
- 小型封裝:采用8引腳TDFN - EP(2mm x 2mm)封裝,節(jié)省了電路板空間。
- 寬工作溫度范圍:可在-40°C至+85°C的溫度范圍內(nèi)正常工作,適用于各種惡劣環(huán)境。
應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
MAX14527/MAX14528適用于多種電子設(shè)備,如手機(jī)、媒體播放器、PDA和掌上設(shè)備等。在這些設(shè)備中,它們能夠?yàn)?a target="_blank">電源輸入提供可靠的過(guò)壓保護(hù),確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
電氣特性詳解
電壓和電流參數(shù)
- 輸入電壓范圍:2.2V至+28V,能夠適應(yīng)不同的電源輸入。
- 輸入電源電流:在不同條件下有不同的取值,如VIN < OVLO時(shí)為80μA。
過(guò)壓保護(hù)相關(guān)參數(shù)
- 過(guò)壓跳閘級(jí)別:MAX14527和MAX14528有不同的典型值,且在上升和下降過(guò)程中有不同的閾值。
- 過(guò)壓鎖定滯后:為1%,確保了過(guò)壓保護(hù)的穩(wěn)定性。
開(kāi)關(guān)和電容參數(shù)
- 開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻:典型值為100mΩ,最大為200mΩ。
- OUT電容:最大為1000μF,能夠滿(mǎn)足不同的輸出電容需求。
熱相關(guān)參數(shù)
- 熱關(guān)斷溫度:為150°C,熱關(guān)斷滯后為20°C,確保了設(shè)備在高溫環(huán)境下的安全。
引腳描述與功能
| 引腳 | 名稱(chēng) | 功能 |
|---|---|---|
| 1, 2 | IN | 電壓輸入引腳。為了獲得±15kV人體模型(HBM)ESD保護(hù),應(yīng)盡可能靠近設(shè)備使用1μF陶瓷電容對(duì)IN進(jìn)行旁路。所有IN引腳需連接在一起以確保正常工作。當(dāng)IN未通過(guò)電容旁路到GND時(shí),可承受±2kV HBM ESD。 |
| 3 | OVLO | 外部OVLO調(diào)整引腳。使用內(nèi)部閾值時(shí),將OVLO連接到GND;若要設(shè)置不同的OVLO閾值,可連接一個(gè)電阻分壓器到OVLO,該外部電阻分壓器與內(nèi)部閾值完全獨(dú)立。 |
| 4, 5 | I.C. | 內(nèi)部連接引腳,請(qǐng)勿連接,保持未連接狀態(tài)。 |
| 6 | GND | 接地引腳。 |
| 7, 8 | OUT | 輸出電壓引腳,是內(nèi)部開(kāi)關(guān)的輸出。所有OUT輸出需連接在一起以確保正常工作。 |
| - | EP | 外露焊盤(pán),需連接到地。為了增強(qiáng)散熱效果,應(yīng)將EP連接到盡可能大的銅區(qū)域,但不能僅將EP作為唯一的接地連接。 |
應(yīng)用注意事項(xiàng)
輸入旁路電容
對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用,建議使用1μF陶瓷電容將IN旁路到GND,以實(shí)現(xiàn)±15kV(HBM)ESD保護(hù)。如果不需要此ESD保護(hù),則無(wú)需在IN端使用電容。若電源因長(zhǎng)引線(xiàn)而具有較大電感,需注意防止LC諧振電路引起的過(guò)沖,并在必要時(shí)提供保護(hù),以防止IN端超過(guò)+30V的絕對(duì)最大額定值。
輸出電容
其緩慢的開(kāi)啟時(shí)間提供了軟啟動(dòng)功能,允許MAX14527/MAX14528為高達(dá)1000μF的輸出電容充電。
外部OVLO調(diào)整
當(dāng)OVLO連接到地時(shí),內(nèi)部OVLO比較器使用內(nèi)部設(shè)置的OVLO值。若連接外部電阻分壓器到OVLO,且VOVLO超過(guò)OVLO選擇電壓VOVLO_SELECT,內(nèi)部OVLO比較器將讀取由外部電阻分壓器固定的IN分?jǐn)?shù)。為了實(shí)現(xiàn)最小電流消耗,R1 = 1MΩ是一個(gè)不錯(cuò)的起始值。已知VIN_OVLO、VOVLOTHRESH和R1后,可通過(guò)公式(V{INOVLO }=V{OVLOTHRESH } timesleft[1+frac{R{1}}{R_{2}}right])計(jì)算R2。
ESD測(cè)試條件
ESD性能受多種條件影響。當(dāng)IN通過(guò)1μF陶瓷電容旁路到地時(shí),MAX14527/MAX14528的IN端典型ESD電阻為±15kV(HBM)。
總結(jié)
MAX14527/MAX14528高精度可調(diào)過(guò)壓保護(hù)器以其強(qiáng)大的保護(hù)能力、靈活的設(shè)置選項(xiàng)和可靠的性能,成為了電子設(shè)備過(guò)壓保護(hù)的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的需求和場(chǎng)景,合理選擇和使用這些產(chǎn)品,并注意相關(guān)的應(yīng)用細(xì)節(jié),以確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用過(guò)壓保護(hù)器的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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