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LT4351 MOSFET二極管或控制器:多電源系統(tǒng)的理想選擇

h1654155282.3538 ? 2026-02-10 09:50 ? 次閱讀
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LT4351 MOSFET二極管控制器:多電源系統(tǒng)的理想選擇

在電子系統(tǒng)設(shè)計中,多電源供電的情況越來越常見。為了實現(xiàn)電源的高效連接和管理,需要一種能夠模擬理想二極管功能、降低損耗的解決方案。Linear Technology的LT4351 MOSFET二極管或控制器就是這樣一款優(yōu)秀的產(chǎn)品,下面我們就來詳細(xì)了解一下它。

文件下載:LT4351.pdf

產(chǎn)品概述

LT4351使用外部單或背對背N溝道MOSFET創(chuàng)建了近乎理想的二極管,可實現(xiàn)多個電源的低損耗或操作。多個電源可以輕松地進行或操作,以增加系統(tǒng)的總功率和可靠性,同時對電源電壓或效率的影響最小。該產(chǎn)品具有以下顯著特點:

  1. 低損耗:替代傳統(tǒng)的或二極管,降低功率損耗。
  2. 高電流能力:采用外部N溝道MOSFET,可處理大電流。
  3. 內(nèi)部升壓調(diào)節(jié)器:為MOSFET柵極驅(qū)動提供電源。
  4. 寬輸入范圍:支持1.2V至18V的輸入電壓。
  5. 快速開關(guān):實現(xiàn)MOSFET的快速開關(guān)控制。
  6. 輸入過欠壓檢測:確保電源的穩(wěn)定運行。
  7. 狀態(tài)和故障輸出:方便監(jiān)控電源狀態(tài)。
  8. 內(nèi)部MOSFET柵極鉗位:保護MOSFET免受過高電壓的損害。

    應(yīng)用場景

    LT4351適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于:

  9. 并聯(lián)電源:將多個電源并聯(lián),提高系統(tǒng)的總功率和可靠性。
  10. 不間斷電源:確保在電源故障時系統(tǒng)能夠持續(xù)運行。
  11. 高可用性系統(tǒng):提高系統(tǒng)的可用性和穩(wěn)定性。
  12. N + 1冗余電源:提供冗余電源,增強系統(tǒng)的可靠性。

工作原理

理想二極管功能

LT4351通過驅(qū)動外部N溝道MOSFET來實現(xiàn)理想二極管的功能。當(dāng)輸入電源電壓高于輸出電壓時,MOSFET導(dǎo)通,允許功率通過;當(dāng)輸入電源電壓低于輸出電壓時,MOSFET關(guān)斷,防止反向電流。

過欠壓保護

通過UV和OV引腳連接的電阻分壓器,設(shè)置過欠壓閾值。當(dāng)輸入電壓低于欠壓閾值或高于過壓閾值時,GATE引腳拉低,禁用功率傳輸,并通過FAULT引腳指示故障。

升壓調(diào)節(jié)器

內(nèi)部升壓調(diào)節(jié)器為MOSFET柵極驅(qū)動提供電源。當(dāng)VDD電壓低于調(diào)節(jié)跳閘電壓時,開關(guān)在600ns的關(guān)斷時間后開啟,直到電流達到450mA的限制,然后開關(guān)關(guān)閉,電感電流通過外部二極管為VDD電容充電。

電氣特性

絕對最大額定值

參數(shù) 數(shù)值
VIN電壓 –0.3V至19V
OUT電壓 –0.3V至19V
VDD電壓 –0.3V至30V
FAULT、STATUS電壓 –0.3V至30V
FAULT、STATUS電流 8mA
UV、OV電壓 –0.3V至9V
SW電壓 –0.3V至32V
工作溫度范圍 LT4351C:0°C至70°C;LT4351I:–40°C至85°C
結(jié)溫 125°C
存儲溫度范圍 –65°C至150°C
引腳溫度(焊接,10秒) 300°C

電氣參數(shù)

LT4351的電氣參數(shù)在不同條件下有具體的規(guī)定,例如在特定的輸入輸出電壓、溫度等條件下,各引腳的電壓、電流等參數(shù)都有明確的范圍。這些參數(shù)對于設(shè)計電路時的電源選擇、電阻電容的取值等都有重要的指導(dǎo)意義。

典型應(yīng)用電路

文檔中給出了多個典型應(yīng)用電路,如雙5V冗余電源、鉛酸電池備份、5V冗余電源(帶外部VDD)、主電池與副電池備份等。這些電路展示了LT4351在不同場景下的具體應(yīng)用方式,為工程師提供了參考。

設(shè)計要點

故障閾值設(shè)置

通過電阻分壓器設(shè)置UV和OV引腳的故障閾值,以實現(xiàn)過欠壓保護。具體的電阻值計算需要根據(jù)所需的欠壓滯后、欠壓跳閘電壓、過壓跳閘電壓等參數(shù)進行。

元件選擇

  1. MOSFET選擇:根據(jù)RDS(ON)、BVDSS和BVGSS等參數(shù)選擇合適的MOSFET。對于背對背MOSFET,可防止MOSFET體二極管導(dǎo)通;對于單個MOSFET,需注意VGS max額定值。
  2. 二極管選擇:選擇肖特基二極管,以匹配LT4351升壓調(diào)節(jié)器的低正向壓降和快速開關(guān)速度。
  3. 電容選擇:在VDD引腳使用低ESR電容,以最小化輸出紋波電壓;在VIN和OUT引腳使用合適的電容,以減少輸入電感引起的振鈴。

    布局考慮

    PCB布局時,應(yīng)將VIN和VDD旁路電容盡可能靠近芯片,GND引腳作為公共連接點,UV和OV的電阻分壓器也應(yīng)連接到此處。同時,要注意負(fù)載電流在PCB走線中的IR降,避免產(chǎn)生誤差。MOSFET的走線應(yīng)寬而短,以降低電阻。

總結(jié)

LT4351 MOSFET二極管或控制器為多電源系統(tǒng)提供了一種高效、可靠的解決方案。它通過模擬理想二極管的功能,降低了功率損耗,提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。在實際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的需求和場景,合理設(shè)置故障閾值、選擇合適的元件,并注意PCB布局,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。你在使用LT4351進行設(shè)計時,是否遇到過一些特殊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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