LTC4120/LTC4120 - 4.2：高效無(wú)線充電接收器與電池充電器的深度解析

在電子設(shè)備日新月異的今天，無(wú)線充電技術(shù)憑借其便捷性和靈活性，已經(jīng)成為了眾多應(yīng)用場(chǎng)景中的熱門(mén)選擇。LTC4120/LTC4120 - 4.2作為一款性能卓越的無(wú)線接收器和電池充電器，在無(wú)線充電領(lǐng)域展現(xiàn)出了強(qiáng)大的實(shí)力。下面就為各位電子工程師詳細(xì)剖析這款產(chǎn)品。

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產(chǎn)品概述

LTC4120是一款具備動(dòng)態(tài)諧調(diào)控制（DHC）技術(shù)的同步降壓（buck）無(wú)線電池充電器，而LTC4120 - 4.2則是專為充電鋰離子/聚合物電池而設(shè)計(jì)的固定4.2V浮充電壓版本。它們的主要特性包括：

• 寬耦合范圍優(yōu)化：DHC技術(shù)可在寬?cǎi)詈戏秶鷥?nèi)優(yōu)化無(wú)線充電效率，自動(dòng)調(diào)整接收和發(fā)射功率。
• 寬輸入電壓范圍：支持12.5V至40V的輸入電壓，適應(yīng)多種電源場(chǎng)景。
• 可調(diào)浮充電壓：LTC4120的浮充電壓可在3.5V至11V之間進(jìn)行編程，而LTC4120 - 4.2提供固定的4.2V浮充電壓。
• 可編程充電電流：通過(guò)單個(gè)電阻即可將充電電流編程為50mA至400mA。
• 高精度反饋電壓：反饋電壓精度高達(dá)±1%，確保充電過(guò)程的準(zhǔn)確性。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

LTC4120/LTC4120 - 4.2適用于多種對(duì)充電有特殊要求的場(chǎng)景：

• 手持儀器：如便攜式醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)/軍事傳感器和設(shè)備等。
• 惡劣環(huán)境：無(wú)需易故障的昂貴連接器，設(shè)備可在密封外殼內(nèi)充電。
• 小型設(shè)備：實(shí)現(xiàn)小體積設(shè)備的高效充電，同時(shí)保持電氣隔離。

產(chǎn)品關(guān)鍵特性及原理分析

動(dòng)態(tài)諧調(diào)控制（DHC）

DHC技術(shù)是LTC4120的核心亮點(diǎn)之一，它通過(guò)調(diào)節(jié)諧振接收器的阻抗，實(shí)現(xiàn)對(duì)接收輸入電壓的有效調(diào)節(jié)。當(dāng)輸入電壓低于 (V{IN(DHC)}) 設(shè)定點(diǎn)時(shí)，芯片會(huì)使接收器諧振更接近發(fā)射器諧振，從而允許更多功率傳遞到接收器；當(dāng)輸入電壓超過(guò) (V{IN(DHC)}) 時(shí)，芯片會(huì)使接收器諧振遠(yuǎn)離發(fā)射器，減少接收器可用功率。這一技術(shù)不僅能顯著節(jié)省電力，還能在電池充滿時(shí)降低輕載條件下的整流電壓。

電池浮充電壓編程

對(duì)于LTC4120，可通過(guò)在電池與FB和FBG之間放置一個(gè)電阻分壓器來(lái)編程電池浮充電壓，其計(jì)算公式為 (V{FLOAT}=V{FB(REG)} cdot frac{(R{FB1}+R{FB2})}{R{FB2}}) ，其中 (V{FB(REG)}) 通常為2.4V。在選擇電阻時(shí)，需注意輸入偏置電流的影響，確保 (R{FB1}) 和 (R{FB2}) 的戴維寧等效電阻接近588kΩ。

充電電流編程與監(jiān)控

充電電流由連接在PROG引腳與地之間的電阻 (R{PROG}) 設(shè)定，其公式為 (I{CHG}=frac{h{PROG} cdot V{PROG}}{R{PROG}}) ，其中 (h{PROG}) 通常為988， (V_{PROG}) 在正常充電時(shí)為1.227V，在涓流充電時(shí)為122mV。PROG引腳還提供與實(shí)際充電電流成比例的電壓信號(hào)，可用于監(jiān)控充電電流，但在測(cè)量時(shí)需注意避免引入過(guò)大的電容，以免影響環(huán)路穩(wěn)定性。

NTC熱電池保護(hù)

LTC4120在充電過(guò)程中會(huì)使用熱敏電阻監(jiān)控電池溫度。若電池溫度超出安全充電范圍，芯片將暫停充電并發(fā)出故障信號(hào)，直至溫度回到安全范圍。安全充電范圍由兩個(gè)比較器監(jiān)控NTC引腳電壓來(lái)確定，可通過(guò)選擇不同類型的熱敏電阻、 (R{BIAS}) 電阻或添加 (R{ADJ}) 電阻來(lái)調(diào)整熱電池保護(hù)的閾值。

電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)

無(wú)線電源傳輸系統(tǒng)設(shè)計(jì)

一個(gè)完整的無(wú)線電源傳輸系統(tǒng)由發(fā)射電路、發(fā)射線圈、接收線圈和接收電路（包括LTC4120）組成。在設(shè)計(jì)中，發(fā)射電路和接收電路的組件選擇至關(guān)重要，其容差會(huì)影響最大功率傳輸。同時(shí)，為防止電壓過(guò)高損壞LTC4120，可在其輸入端添加齊納二極管。

諧振變換器組件選擇

• 發(fā)射器組件：推薦使用特定制造商和型號(hào)的二極管、MOSFET、電感、電容和電阻等組件，如ON SEMI的NSR10F40NXT5G二極管、VISHAY的Si4470EY - T1GE3 MOSFET等。
• 接收器組件：同樣推薦使用如DIODES的DFLS240L二極管、ADAMS MAGNETICS的B67410 - A0223 - X195電感等組件。在選擇時(shí)，需確保組件的電壓額定值和容差符合要求。

關(guān)鍵元件選擇

• 開(kāi)關(guān)電感 (L_{sw})：選擇時(shí)應(yīng)考慮電感產(chǎn)生的紋波電流，其飽和電流額定值應(yīng)不小于最大峰值電流 (I{L(PEAK)}) ，且滿足 (I{L(PEAK)}=I{CHG}+frac{Delta I{L}}{2}{PEAK}) ，其中 (Delta I{L}) 為紋波電流。
• 輸入電容 (C_{IN})：為了減少 (V{IN}) 引腳的電壓毛刺，建議使用高質(zhì)量、低ESR的去耦電容，其容量可根據(jù)所需的輸入紋波電壓 (Delta V{IN}) 計(jì)算得出。
• 輸出電容 (C_{BAT})：在所有應(yīng)用中，都需要在BAT引腳與地之間連接一個(gè)22μF的陶瓷電容。在某些系統(tǒng)中，可能還需要額外的旁路電容來(lái)提高穩(wěn)定性。

PCB布局要點(diǎn)

• 避免發(fā)射線圈附近有金屬物體，可使用鐵氧體屏蔽來(lái)提高耦合效率。
• 將 (V_{IN}) 輸入電容盡可能靠近IN和GND引腳，減小銅走線長(zhǎng)度。
• 開(kāi)關(guān)電感應(yīng)靠近SW引腳，減小SW引腳節(jié)點(diǎn)的表面積。
• BAT電容應(yīng)靠近BAT引腳，確保接地回路合理。
• 模擬地應(yīng)單獨(dú)布線，連接到LTC4120的GND引腳。
• 確保 (INTV{CC}) 電容靠近 (INTV{CC}) 引腳，通過(guò)過(guò)孔連接到地平面。
• 合理布線DHC、PROG和FB引腳，減少寄生電容和電磁干擾。

設(shè)計(jì)示例

以一個(gè)電池浮充電壓為8.2V、充電電流為200mA的設(shè)計(jì)為例：

1. 無(wú)線電源接收器電路設(shè)計(jì)：選擇合適的 (L{R}) 、 (C{2S}) 和 (C{2P}) ，使調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)的諧振頻率匹配發(fā)射器的振蕩頻率。例如，選擇47μH的 (L{R}) ，計(jì)算得出 (C{2S}) 為26.7nF（可使用22nF和4.7nF的電容并聯(lián)）， (C{2P}) 為6.5nF（可使用4.7nF和1.8nF的電容并聯(lián)）。
2. 充電器電路設(shè)計(jì)：通過(guò)公式計(jì)算 (R{FB1}) 和 (R{FB2}) 的值，選擇標(biāo)準(zhǔn)1%的電阻；根據(jù)最大可用功率和充電器效率，選擇合適的 (R_{PROG}) 電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)200mA的充電電流；根據(jù)輸入電壓、充電電流和紋波電流要求，選擇合適的開(kāi)關(guān)電感、輸入電容和輸出電容等元件。

總結(jié)

LTC4120/LTC4120 - 4.2憑借其先進(jìn)的動(dòng)態(tài)諧調(diào)控制技術(shù)、寬輸入電壓范圍、可編程的充電電流和浮充電壓等特性，為無(wú)線充電應(yīng)用提供了一個(gè)高效、可靠的解決方案。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇組件、優(yōu)化電路設(shè)計(jì)和PCB布局，以確保產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。希望本文能為各位電子工程師在使用LTC4120/LTC4120 - 4.2進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)提供有價(jià)值的參考。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)一起討論。