DRV5013數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

在電子工程師的設(shè)計(jì)工作中，霍爾效應(yīng)傳感器是一種常用且重要的器件，它能實(shí)現(xiàn)對(duì)磁場(chǎng)的精確感知。今天，我們就來(lái)深入探討德州儀器（TI）的DRV5013數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器。

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一、DRV5013的特性亮點(diǎn)

1. 高穩(wěn)定性與多靈敏度選擇

DRV5013作為一款斬波穩(wěn)定的霍爾效應(yīng)傳感器，具有卓越的溫度穩(wěn)定性，其 (B_{OP}) 在溫度變化時(shí)僅 ±10% 的波動(dòng)。同時(shí)，它提供了多種靈敏度選項(xiàng)，如 ±1.3mT（FA、FD）、±2.7mT（AD、ND）、±6mT（AG）和 ±12mT（BC），能滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)磁場(chǎng)感應(yīng)的需求。

2. 寬工作范圍與保護(hù)功能

該傳感器支持 2.5V 至 38V 的寬電壓范圍，無(wú)需外部穩(wěn)壓器，并且具有反向極性保護(hù)，可承受高達(dá) -22V 的反向電壓。其工作溫度范圍也很寬，Q 版本為 -40°C 至 +125°C，E 版本為 -40°C 至 +150°C。此外，它還具備內(nèi)部保護(hù)功能，能應(yīng)對(duì)反向供電、負(fù)載突降、輸出短路或過(guò)流等情況。

3. 快速響應(yīng)與小封裝

DRV5013的上電時(shí)間僅 35μs，響應(yīng)迅速。它提供了表面貼裝 3 引腳 SOT - 23（DBZ）和通孔 3 引腳 TO - 92（LPG、LPE）兩種封裝形式，尺寸小巧，節(jié)省電路板空間。

二、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

DRV5013的特性使其在多個(gè)領(lǐng)域都有出色的應(yīng)用表現(xiàn)：

1. 電動(dòng)工具

在電動(dòng)工具中，它可用于檢測(cè)電機(jī)的位置和速度，實(shí)現(xiàn)精確的控制，提高工具的性能和效率。

2. 流量測(cè)量

在流量測(cè)量設(shè)備中，通過(guò)檢測(cè)磁場(chǎng)的變化來(lái)確定流體的流量，為流量監(jiān)測(cè)提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。

3. 閥門(mén)和螺線管狀態(tài)監(jiān)測(cè)

能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)閥門(mén)和螺線管的狀態(tài)，確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行。

4. 無(wú)刷直流電機(jī)控制

在無(wú)刷直流電機(jī)中，用于檢測(cè)轉(zhuǎn)子的位置，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的精確控制和高效運(yùn)行。

5. 接近感應(yīng)和轉(zhuǎn)速測(cè)量

可用于接近感應(yīng)，檢測(cè)物體的接近或遠(yuǎn)離；也可用于轉(zhuǎn)速測(cè)量，如在轉(zhuǎn)速計(jì)中。

三、引腳配置與功能

四、規(guī)格參數(shù)分析

1. 絕對(duì)最大額定值

了解器件的絕對(duì)最大額定值對(duì)于確保其安全運(yùn)行至關(guān)重要。DRV5013的電源電壓范圍為 -22V 至 40V，輸出引腳電壓范圍為 -0.5V 至 40V 等。需要注意的是，超出這些額定值可能會(huì)導(dǎo)致器件永久性損壞。

2. ESD 額定值

該器件的人體模型（HBM）靜電放電額定值為 ±2500V，帶電設(shè)備模型（CDM）為 ±500V，在使用過(guò)程中要注意靜電防護(hù)，避免器件受到靜電損壞。

3. 推薦工作條件

推薦的電源電壓范圍為 2.5V 至 38V，輸出引腳電壓范圍為 0V 至 38V，輸出引腳電流吸收范圍為 0mA 至 30mA 等。在設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)確保器件在這些推薦條件下工作，以保證其性能和可靠性。

4. 熱信息

不同封裝的熱阻參數(shù)不同，如 SOT - 23（DBZ）封裝的結(jié)到環(huán)境熱阻為 333.2°C/W，TO - 92（LPG、LPE）封裝為 180°C/W。在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí)，需要考慮這些熱阻參數(shù)，確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。

5. 電氣特性

包括電源電壓、工作電源電流、上電時(shí)間、FET 導(dǎo)通電阻、關(guān)態(tài)泄漏電流等參數(shù)。例如，不同版本的工作電源電流在不同溫度和電壓條件下有所不同，上電時(shí)間也因版本而異。

6. 開(kāi)關(guān)特性

輸出延遲時(shí)間、輸出上升時(shí)間和輸出下降時(shí)間等開(kāi)關(guān)特性，反映了器件的響應(yīng)速度和信號(hào)轉(zhuǎn)換能力。

7. 磁特性

不同版本的 DRV5013具有不同的操作點(diǎn)（(B{OP})）、釋放點(diǎn)（(B{RP})）、磁滯（(B{hys})）和磁偏移（(B{O})）等磁特性參數(shù)，這些參數(shù)決定了器件對(duì)磁場(chǎng)的感應(yīng)和響應(yīng)特性。

五、詳細(xì)工作原理與功能

1. 概述

DRV5013通過(guò)數(shù)字鎖存輸出實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)感應(yīng)。當(dāng) (V_{CC}) 引腳施加 2.5V 至 38V 的電壓時(shí)，器件開(kāi)始工作，且能承受 -22V 的反向電池條件。磁場(chǎng)極性定義為：封裝標(biāo)記側(cè)靠近南極時(shí)，傳感器上感應(yīng)出正磁通密度；靠近北極時(shí)，感應(yīng)出負(fù)磁通密度。

2. 輸出狀態(tài)

輸出狀態(tài)取決于垂直于封裝的磁通密度。當(dāng)磁通密度大于操作點(diǎn)閾值 (B{OP}) 時(shí)，AD、AG、BC 和 FA 版本的輸出拉低，ND 和 FD 版本的輸出釋放高電平；當(dāng)磁通密度小于釋放點(diǎn)閾值 (B{RP}) 時(shí)，AD、AG、BC 和 FA 版本的輸出釋放高電平，ND 和 FD 版本的輸出拉低。磁滯的存在可防止磁場(chǎng)噪聲意外觸發(fā)輸出。

3. 上電時(shí)間

施加 (V{CC}) 后，經(jīng)過(guò) (t{on}) 時(shí)間（AD、AG、BC、ND 版本為 35μs 至 50μs，F(xiàn)A、FD 版本為 35μs 至 70μs），OUT 引腳輸出才有效。上電過(guò)程中，輸出為高阻態(tài)，在 (t_{on}) 結(jié)束時(shí)會(huì)出現(xiàn)一個(gè)脈沖，可讓主處理器確定輸出何時(shí)有效。

4. 輸出級(jí)

DRV5013采用開(kāi)漏 NMOS 輸出結(jié)構(gòu)，額定灌電流可達(dá) 30mA。為保證正常工作，需使用公式 (frac{V{ref } max }{30 mA} leq R 1 leq frac{V{ref } min }{100 mu A}) 計(jì)算上拉電阻 R1 的值。R1 的大小會(huì)影響 OUT 引腳的上升時(shí)間和低電平時(shí)的電流，需要根據(jù)具體需求進(jìn)行權(quán)衡。同時(shí)，可根據(jù)系統(tǒng)帶寬要求選擇合適的電容 C2，公式為 (2 × f_{BW}(Hz)

5. 保護(hù)電路

該器件具有完善的保護(hù)電路，包括過(guò)流保護(hù)（OCP）、負(fù)載突降保護(hù)和反向供電保護(hù)。過(guò)流保護(hù)可將輸出電流限制在 (I{OCP})；負(fù)載突降保護(hù)可使器件在 40V 的瞬態(tài)電壓下正常工作；反向供電保護(hù)可防止 (V{CC}) 和 GND 引腳反接時(shí)對(duì)器件造成損壞。

六、應(yīng)用與設(shè)計(jì)實(shí)例

1. 標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

在標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)中，以 3.3V 系統(tǒng)為例，根據(jù)設(shè)計(jì)參數(shù)（如電源電壓 3.2V 至 3.4V，系統(tǒng)帶寬 10kHz），可使用公式計(jì)算上拉電阻 R1 的范圍為 (113 Omega leq R 1 leq 32 k Omega)，選擇 10kΩ 的 R1 和小于 820pF 的 C2 可滿足 10kHz 系統(tǒng)帶寬的要求。

2. 替代兩線應(yīng)用

對(duì)于需要減少布線的系統(tǒng)，可將器件輸出通過(guò)電阻連接到 (V_{CC})，在控制器附近檢測(cè)總供電電流。根據(jù)設(shè)計(jì)參數(shù)（如電源電壓 12V，OUT 電阻 1kΩ 等），可計(jì)算出不同磁場(chǎng)狀態(tài)下的電流，同時(shí)要注意旁路電容 C1 的選擇。

七、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

1. 電源供應(yīng)

使用 2.5V 至 38V 的輸入電壓供電，需在 DRV5013 附近放置 0.01 - μF（最小）的陶瓷電容，以減少電源紋波和噪聲。TI 建議將電源電壓變化限制在 50mVPP 以內(nèi)。

2. 布局設(shè)計(jì)

旁路電容應(yīng)靠近 DRV5013 放置，以提高供電效率和減少電感。外部上拉電阻應(yīng)靠近微控制器輸入，以提供穩(wěn)定的輸入電壓。同時(shí)，要注意附近系統(tǒng)組件中含鐵或鎳的部件可能會(huì)影響磁場(chǎng)分布，從而影響器件性能。

DRV5013數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器以其豐富的特性、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和完善的保護(hù)功能，為電子工程師在磁場(chǎng)感應(yīng)設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體需求合理選擇版本和參數(shù)，注意電源供應(yīng)和布局設(shè)計(jì)，以確保器件的性能和可靠性。你在使用霍爾效應(yīng)傳感器時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。