一、功率循環(huán)的基本原理

功率循環(huán)測試（Power Cycling, PC）是評估功率器件長期可靠性的重要方法。測試通過周期性地通斷電流，使芯片自身反復產生熱應力，以此模擬實際工作中的溫度波動與熱疲勞累積。

這種周期性“升溫–降溫”過程會在不同材料界面之間產生機械應力。而封裝結構中包含銅、鋁、焊料、硅等熱膨脹系數(shù)不同的材料，它們在反復熱循環(huán)中會出現(xiàn)應變不匹配，最終導致疲勞損傷。

二、功率循環(huán)的測試分類（AQG324）

依據測試時間常數(shù)和功率加載方式，功率循環(huán)測試通常分為兩類，反映了功率器件從芯片互連到模塊整體不同層級的熱疲勞行為，具體如下：

三、典型失效機制

功率循環(huán)下的常見失效模式包括：

鍵合線斷裂或脫落：反復的熱脹冷縮導致鋁線與芯片表面之間的焊點剝離。在大電流功率模塊中，一般會使用多根綁定線并聯(lián)來分擔電流，單根綁定線的失效會造成其他并聯(lián)的綁定線承受更大的電流。根據P=I2*R，其他綁定線上的損耗也會隨之增加，導致更大的熱機械應力從而隨之失效。綁定線疲勞的另一個后果是隨著接觸電阻和損耗的增加而導致IGBT或二極管芯片過熱失效。

焊料層疲勞開裂：芯片與DCB、DCB與底板之間的焊層在溫度應力下逐漸形成裂紋；

四、失效標準

通常，功率循環(huán)壽命定義為器件在達到下列任一判定條件時的循環(huán)次數(shù)：

熱阻上升超過初始值的20%；

導通壓降超過初始值的5%；

一般來說，Vce反映的是鍵合線失效，Rthjc反映的是芯片與底板之間粘結層的失效。

下圖是賽米控某款IGBT模塊的功率循環(huán)測試結果。

五、小結

功率循環(huán)測試通過加速熱疲勞機制，揭示了功率器件的結構瓶頸。它是模塊設計優(yōu)化、材料選型和可靠性評估的基礎。

審核編輯 黃宇