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TPSM82830x系列電源模塊:低EMI與高性能的完美結(jié)合

lhl545545 ? 2026-03-03 09:40 ? 次閱讀
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TPSM82830x系列電源模塊:低EMI與高性能的完美結(jié)合

在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源模塊的性能直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。今天,我們來深入探討德州儀器TI)的TPSM82830x系列低EMI、同步降壓DC/DC電源模塊,它在多個方面展現(xiàn)出卓越的特性,為工程師們提供了出色的解決方案。

文件下載:tpsm828301.pdf

一、產(chǎn)品概述

TPSM82830x系列包含1A、2A和3A三種不同輸出電流的型號,分別為TPSM828301、TPSM828302和TPSM828303。這些模塊采用DCS - Control拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和小輸出電容的優(yōu)勢。輸出電壓可在0.5V至4.5V之間調(diào)節(jié),反饋電壓精度在 - 40°C至125°C的全工作結(jié)溫范圍內(nèi)達(dá)到1%。該系列提供標(biāo)準(zhǔn)QFN和屏蔽MagPack兩種封裝選項(xiàng),高度均為1.95mm,且無鍵合線,方便工程師進(jìn)行設(shè)計。

二、功能特性

(一)低EMI優(yōu)化

在當(dāng)今的電子設(shè)備中,電磁干擾(EMI)是一個不容忽視的問題。TPSM82830x系列在這方面表現(xiàn)出色,它采用了多種先進(jìn)技術(shù)來降低EMI。MagPack技術(shù)對電感和IC進(jìn)行屏蔽,同時集成了片上噪聲濾波電容,減少了寄生元件并最小化了環(huán)路面積,有效降低了主要在450 MHz以上的高頻噪聲輻射。此外,改進(jìn)的柵極驅(qū)動器采用先進(jìn)的壓擺率控制機(jī)制和平滑電源電壓,控制開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓以減少尖銳邊緣和電壓過沖,進(jìn)一步降低了EMI。從實(shí)際的輻射EMI性能測試結(jié)果來看,它能夠輕松滿足CISPR 11等嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)。

(二)高效工作模式

該系列模塊具有脈沖寬度調(diào)制(PWM)和功率節(jié)省模式(PSM)兩種工作模式。當(dāng)MODE引腳為低電平時,在負(fù)載電流大于電感紋波電流的一半時,模塊工作在PWM模式的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM),開關(guān)頻率穩(wěn)定在2MHz;當(dāng)MODE引腳為高電平時,模塊保持強(qiáng)制PWM操作,適用于對輸出電壓紋波要求極低或需要恒定開關(guān)頻率的應(yīng)用。在輕負(fù)載時,模塊進(jìn)入PSM模式,當(dāng)輸出電流小于電感紋波電流的一半時,模塊工作在不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM),開關(guān)頻率與負(fù)載電流成比例降低,從而提高效率,延長電池壽命。

(三)可靠的保護(hù)機(jī)制

  1. 過流保護(hù):所有型號都具備逐周期電流限制功能。當(dāng)檢測到高端FET中的電流超過高端電流限制時,模塊會立即關(guān)閉高端FET并打開低端FET,在下一個開關(guān)周期開始時,高端FET再次打開。不同型號有不同的高端峰值電流限制,如TPSM828301為1.8 - 2.6A,TPSM828302為2.7 - 3.9A,TPSM828303為4.0 - 5.4A。
  2. 欠壓鎖定:欠壓鎖定(UVLO)功能可防止當(dāng)輸入電壓降至UVLO閾值以下時設(shè)備誤操作,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
  3. 熱關(guān)斷:內(nèi)部溫度傳感器會監(jiān)測設(shè)備的結(jié)溫 (T_J) 。當(dāng) (T_J) 超過150°C(典型值)時,設(shè)備進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài),具有約20°C的滯后,當(dāng) (T_J) 降低到一定程度后,設(shè)備恢復(fù)正常工作。

(四)其他特性

  1. 軟啟動功能:當(dāng)EN引腳電壓變高時,設(shè)備開始加載默認(rèn)值到寄存器,內(nèi)部軟啟動電路控制啟動時的輸出電壓,避免過大的浪涌電流,確保輸出電壓平穩(wěn)上升。不同版本的軟啟動時間有所不同,如TPSM82830xK版本具有更長的啟動時間,可緩解峰值輸出電流。
  2. 電源良好信號:內(nèi)置的電源良好(PG)功能通過窗口比較器實(shí)現(xiàn),當(dāng)輸出電壓達(dá)到標(biāo)稱值時,PG引腳變?yōu)楦咦杩?;否則為低電平。PG信號可用于多個電源軌的排序,并且在啟動時有一定的延遲時間 (t{d(PG)}) ,在運(yùn)行期間的上升和下降邊緣有消隱時間 (t{d(PGO)}) 。
  3. 100%占空比模式:當(dāng)輸出電壓接近輸入電壓時,設(shè)備進(jìn)入100%模式,高端開關(guān)持續(xù)導(dǎo)通,低端開關(guān)關(guān)閉,這在電池供電應(yīng)用中非常有用,可充分利用電池電壓范圍,延長工作時間。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

TPSM82830x系列電源模塊憑借其出色的性能和豐富的特性,在多個領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用:

(一)工業(yè)PC

在工業(yè)PC中,TPSM82830x系列電源模塊能為其提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)。工業(yè)PC通常需要應(yīng)對復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境,對電源的穩(wěn)定性和抗干擾能力要求較高。TPSM82830x的優(yōu)化EMI性能,可有效減少電磁干擾,確保工業(yè)PC在運(yùn)行過程中不受外界干擾,同時也不會對周圍設(shè)備產(chǎn)生干擾。其DCS - Control拓?fù)鋷淼目焖偎矐B(tài)響應(yīng),能在工業(yè)PC負(fù)載變化時迅速調(diào)整輸出電壓,保證設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。例如,當(dāng)工業(yè)PC進(jìn)行大量數(shù)據(jù)處理或運(yùn)行復(fù)雜程序時,電源模塊能及時響應(yīng)負(fù)載變化,提供穩(wěn)定的電壓,避免因電壓波動導(dǎo)致的系統(tǒng)故障。

(二)LPDDR5 0.5V VDDQ 電源

在LPDDR5內(nèi)存系統(tǒng)中,VDDQ電源需要提供精確且穩(wěn)定的0.5V電壓,以確保內(nèi)存的高速、可靠運(yùn)行。TPSM82830x系列電源模塊在這方面具有顯著優(yōu)勢。

1. 高精度輸出電壓

TPSM82830x能夠提供0.5V至4.5V的可調(diào)輸出電壓,且反饋電壓精度在 -40°C至125°C的全工作結(jié)溫范圍內(nèi)可達(dá)1%。對于LPDDR5的0.5V VDDQ電源來說,這種高精度的輸出電壓能夠滿足內(nèi)存對電壓穩(wěn)定性的嚴(yán)格要求。內(nèi)存中的數(shù)據(jù)讀寫操作對電壓的微小變化非常敏感,精確的電壓輸出可以減少誤碼率,提高內(nèi)存的可靠性和性能。

2. 低功耗設(shè)計

該系列模塊具有7μA的低工作靜態(tài)電流,在LPDDR5內(nèi)存系統(tǒng)中,這有助于降低整體功耗。隨著移動設(shè)備和數(shù)據(jù)中心對節(jié)能要求的不斷提高,低功耗的電源模塊可以延長設(shè)備的電池續(xù)航時間,同時減少散熱需求,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

3. 快速瞬態(tài)響應(yīng)

LPDDR5內(nèi)存的讀寫速度非???,在瞬間可能會產(chǎn)生較大的電流變化。TPSM82830x采用DCS - Control拓?fù)?,具有出色的瞬態(tài)響應(yīng)能力。當(dāng)內(nèi)存的負(fù)載發(fā)生變化時,電源模塊能夠迅速調(diào)整輸出電壓,確保VDDQ電壓的穩(wěn)定,避免因電壓波動導(dǎo)致的內(nèi)存讀寫錯誤。

4. 低EMI性能

在LPDDR5內(nèi)存系統(tǒng)中,電磁干擾可能會影響內(nèi)存的正常工作。TPSM82830x通過優(yōu)化的EMI性能,如集成片上噪聲濾波電容和采用MagPack技術(shù)屏蔽電感和IC,有效降低了電磁干擾。這有助于提高內(nèi)存系統(tǒng)的抗干擾能力,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。

5. 多種保護(hù)功能

該系列模塊具備熱關(guān)斷保護(hù)、Hiccup或鎖斷過流/過壓保護(hù)等多種保護(hù)功能。在LPDDR5內(nèi)存系統(tǒng)中,這些保護(hù)功能可以防止電源模塊因異常情況而損壞,提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。例如,當(dāng)出現(xiàn)過流或過壓情況時,保護(hù)功能會及時動作,避免對內(nèi)存造成損害。

在LPDDR5 0.5V VDDQ電源應(yīng)用中,TPSM82830x系列電源模塊憑借其高精度輸出電壓、低功耗設(shè)計、快速瞬態(tài)響應(yīng)、低EMI性能和多種保護(hù)功能,能夠?yàn)長PDDR5內(nèi)存提供穩(wěn)定、可靠的電源支持,滿足現(xiàn)代內(nèi)存系統(tǒng)對電源的嚴(yán)格要求。

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