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硅光晶圓測(cè)試的關(guān)鍵核心:高性能光學(xué)耦合方案解析

聯(lián)訊儀器 ? 來(lái)源:聯(lián)訊儀器 ? 2026-03-16 17:17 ? 次閱讀
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引言

信號(hào)耦合方案

硅光芯片量產(chǎn)的核心瓶頸在于晶圓級(jí)測(cè)試,其效率取決于光信號(hào)能否被高效、精準(zhǔn)地耦合至芯片。

目前業(yè)界主要采用三種耦合方案:表面垂直耦合的光柵耦合、邊緣水平對(duì)接的端面耦合,以及二者所長(zhǎng)的混合方案。

針對(duì)幾種主流耦合方式,聯(lián)訊儀器sCT900X硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)精準(zhǔn)錨定不同耦合方式的技術(shù)痛點(diǎn),提供了完整的測(cè)試解決方案,全面覆蓋不同工藝平臺(tái)的測(cè)試需求。

01 光柵耦合

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02 端面耦合

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03 光柵耦合器和端面耦合器共存

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結(jié)論

光柵耦合優(yōu)勢(shì)在于晶圓測(cè)試的靈活性與便利性,雖性能有限,卻是不可或缺的測(cè)試接口;端面耦合憑借高性能、大帶寬特性,成為最終產(chǎn)品的首選,但其苛刻的工藝和測(cè)試要求限制了其在晶圓級(jí)的應(yīng)用;混合方案成功解決了測(cè)試與應(yīng)用的矛盾,通過(guò)測(cè)試后切除光柵區(qū)的方式,兼顧測(cè)試效率與產(chǎn)品性能,已成為高速光通信芯片量產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)策略。

未來(lái),耦合技術(shù)的演進(jìn)必將與芯片性能的提升深度協(xié)同。聯(lián)訊儀器將以此為目標(biāo),持續(xù)創(chuàng)新產(chǎn)品與技術(shù),為硅光技術(shù)的規(guī)?;瘧?yīng)用提供堅(jiān)實(shí)支撐。

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