探索 DS1135L:3V 3 - 合 1 高速硅延遲線的魅力
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高速且精確的延遲線是實(shí)現(xiàn)信號(hào)處理和時(shí)序控制的關(guān)鍵組件。今天,我們就來(lái)深入了解 Maxim Integrated 推出的 DS1135L 3V 3 - 合 1 高速硅延遲線,看看它有哪些獨(dú)特之處。
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產(chǎn)品特性亮點(diǎn)
全硅定時(shí)電路
DS1135L 采用全硅定時(shí)電路,這賦予了它在不同溫度和電壓條件下的穩(wěn)定性和精確性。與傳統(tǒng)的延遲線解決方案相比,全硅設(shè)計(jì)具有更高的可靠性和更低的功耗。
三個(gè)獨(dú)立緩沖延遲
該延遲線在單個(gè)封裝中集成了三個(gè)獨(dú)立的邏輯緩沖延遲,這使得它在多通道信號(hào)處理中非常實(shí)用。工程師可以根據(jù)需要獨(dú)立控制每個(gè)通道的延遲,大大提高了設(shè)計(jì)的靈活性。
精確的邊沿精度
無(wú)論是信號(hào)的上升沿還是下降沿,DS1135L 都能提供精確的延遲控制,同時(shí)還能保留輸入信號(hào)的對(duì)稱性,確保信號(hào)的完整性。
良好的焊接兼容性
支持氣相和紅外回流焊接,并且可提供卷帶包裝,這使得它在大規(guī)模生產(chǎn)中便于自動(dòng)化組裝。
寬溫度范圍
在商業(yè)和工業(yè)溫度范圍內(nèi)都有明確的延遲規(guī)格,可適應(yīng) - 40°C 至 + 85°C 的工作溫度,滿足各種惡劣環(huán)境的應(yīng)用需求。
引腳分配與描述
| DS1135L 采用 150 密耳的 8 引腳 SO 封裝,引腳分配如下: | 引腳 | 描述 |
|---|---|---|
| IN1 - IN3 | 輸入信號(hào) | |
| OUT1 - OUT3 | 輸出信號(hào) | |
| VCC | +3V 電源 | |
| GND | 接地 |
延遲規(guī)格
| DS1135L 提供了多種標(biāo)準(zhǔn)延遲值可供選擇,不同型號(hào)的具體延遲時(shí)間和延遲公差如下表所示: | 型號(hào) | 延遲(ns) | 初始公差(ns) | 0°C 至 +70°C 公差(ns) | -40°C 至 +85°C 公差(ns) |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1135LZ - 10+ | 10/10/10 | ±1.0 | ±2.0 | ±3.0 | |
| DS1135LZ - 12+ | 12/12/12 | ±1.0 | ±2.0 | ±3.0 | |
| DS1135LZ - 15+ | 15/15/15 | ±1.0 | ±2.5 | ±4.0 | |
| DS1135LZ - 20+ | 20/20/20 | ±1.0 | ±2.5 | ±4.0 | |
| DS1135LZ - 25+ | 25/25/25 | ±1.5 | ±3.0 | ±5.0 | |
| DS1135LZ - 30+ | 30/30/30 | ±1.5 | ±3.0 | ±5.0 |
注:“+” 表示無(wú)鉛/符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝。
電氣特性
絕對(duì)最大額定值
- 任何引腳相對(duì)于地的電壓范圍: - 1.0V 至 +6.0V
- 短路輸出電流:50mA(持續(xù) 1 秒)
- 工作溫度范圍: - 40°C 至 +85°C
- 存儲(chǔ)溫度范圍: - 55°C 至 +125°C
- 引腳焊接溫度(10 秒):+300°C
- 回流焊接溫度:+260°C
直流電氣特性
| 在 (V{CC}=2.7V) 至 3.6V,(T{A}=-40^{circ}C) 至 +85°C 的條件下,主要參數(shù)如下: | 參數(shù) | 符號(hào) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 | VCC | 2.7 | 3.3 | 3.6 | V | |
| 工作電流 | ICC | - | - | 10( (V_{CC}=3.6V),周期 = 1μs) | mA | |
| 高電平輸入電壓 | VIH | 2.0 | - | (V_{CC}+0.5) | V | |
| 低電平輸入電壓 | VIL | -0.5 | - | 0.8 | V | |
| 輸入泄漏電流 | IL | -1.0 | - | +1.0 | μA | |
| 高電平輸出電流 | ICC | -1.0( (V{CC}=2.7V),(V{OH}=2V) ) | - | - | mA | |
| 低電平輸出電流 | ICC | - | - | 8( (V{CC}=2.7V),(V{OL}=0.4V) ) | mA |
交流電氣特性
| 同樣在 (V{CC}=2.7V) 至 3.6V,(T{A}=-40^{circ}C) 至 +85°C 的條件下: | 參數(shù) | 符號(hào) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 周期 | tPERIOD | 2( (t_{WI}) ) | - | - | ns | - | |
| 輸入脈沖寬度 | tWI | - | - | - | ns | 100% 相關(guān) | |
| 延遲值(輸入 - 輸出延遲) | tPLH,tPHL | 見(jiàn)延遲表 | - | - | ns | - | |
| 輸出上升或下降時(shí)間 | tOF,tOR | 2.0 | 2.5 | - | ns | - | |
| 上電時(shí)間 | tPU | - | - | - | ms | 2 |
電容特性
在 (T{A}=+25^{circ}C) 時(shí),輸入電容 (C{IN}) 最大值為 10pF。
測(cè)試條件與術(shù)語(yǔ)解釋
測(cè)試條件
- 環(huán)境溫度:25°C ± 3°C
- 電源電壓( (V_{CC}) ):3.3V ± 0.1V
- 輸入脈沖:高電平 3.0V ± 0.1V,低電平 0.0V ± 0.1V
- 源阻抗:最大 50Ω
- 上升和下降時(shí)間:最大 3.0ns(在 0.6V 至 2.4V 之間測(cè)量)
- 脈沖寬度:500ns
- 脈沖周期:1μs
- 輸出負(fù)載電容:15pF
- 輸出:每個(gè)輸出加載一個(gè)相當(dāng)于 74F04 輸入門的負(fù)載
術(shù)語(yǔ)解釋
- 周期(Period):第一個(gè)脈沖上升沿與下一個(gè)脈沖上升沿之間的時(shí)間間隔。
- 脈沖寬度((t_{WI}) ):脈沖上升沿 1.5V 點(diǎn)與下降沿 1.5V 點(diǎn)之間的時(shí)間,或下降沿 1.5V 點(diǎn)與上升沿 1.5V 點(diǎn)之間的時(shí)間。
- 輸入上升時(shí)間((t_{RISE}) ):輸入脈沖上升沿 20% 點(diǎn)到 80% 點(diǎn)之間的時(shí)間。
- 輸入下降時(shí)間((t_{FALL}) ):輸入脈沖下降沿 80% 點(diǎn)到 20% 點(diǎn)之間的時(shí)間。
- 上升延遲時(shí)間((t_{PLH}) ):輸入脈沖上升沿 1.5V 點(diǎn)到輸出脈沖上升沿 1.5V 點(diǎn)之間的時(shí)間。
- 下降延遲時(shí)間((t_{PHL}) ):輸入脈沖下降沿 1.5V 點(diǎn)到輸出脈沖下降沿 1.5V 點(diǎn)之間的時(shí)間。
訂購(gòu)信息與封裝
訂購(gòu)信息
DS1135L 的破折號(hào)后的數(shù)字表示延遲時(shí)間(ns),例如 DS1135LZ - 10+ 表示延遲時(shí)間為 10ns。
封裝信息
目前提供的封裝類型為 Z = SO(150MIL),具體的封裝輪廓和焊盤圖案信息可訪問(wèn) www.maximintegrated.com/packages 查詢。
總結(jié)
DS1135L 是一款性能出色的 3V 3 - 合 1 高速硅延遲線,具有穩(wěn)定性高、精度好、靈活性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。無(wú)論是在高速信號(hào)處理還是復(fù)雜的時(shí)序控制應(yīng)用中,它都能為工程師提供可靠的解決方案。作為電子工程師,你是否在項(xiàng)目中考慮過(guò)使用類似的延遲線呢?它又會(huì)為你的設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些新的可能性呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的想法。
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