onsemi FCPF067N65S3 MOSFET：高效電源解決方案的理想之選

在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET 是電源電路設(shè)計里常用的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入了解 onsemi 推出的 FCPF067N65S3 這款 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨特之處，能為我們的設(shè)計帶來怎樣的優(yōu)勢。

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產(chǎn)品概述

FCPF067N65S3 屬于 onsemi 的 SUPERFET III 系列 MOSFET，這是全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 家族。它運用了電荷平衡技術(shù)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷性能。這種先進技術(shù)不僅能有效降低傳導(dǎo)損耗，還能提供卓越的開關(guān)性能，并且能夠承受極高的 dv/dt 速率。此外，SUPERFET III MOSFET 易驅(qū)動系列有助于解決 EMI 問題，讓設(shè)計的實現(xiàn)更加輕松。

產(chǎn)品特性

電氣性能優(yōu)越

• 耐壓與電流能力：在 (T{J}=150^{circ}C) 時，耐壓可達 700V；連續(xù)漏極電流在 (T{C}=25^{circ}C) 時為 44A，(T_{C}=100^{circ}C) 時為 28A，脈沖漏極電流可達 110A。
• 低導(dǎo)通電阻：典型的 (R_{DS(on)}) 為 59mΩ，最大為 67mΩ（@10V），能有效降低導(dǎo)通損耗。
• 低柵極電荷：典型的 (Qg_{g}=78nC)，有助于減少開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。
• 低輸出電容：典型的 (C_{oss(eff.)}=715pF)，可降低開關(guān)過程中的能量損耗。

可靠性高

• 雪崩測試：經(jīng)過 100% 雪崩測試，確保在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。
• 環(huán)保合規(guī)：這些器件無鉛且符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

FCPF067N65S3 的應(yīng)用范圍廣泛，適用于多種電源電路：

• 計算/顯示電源：為計算機和顯示器的電源提供高效穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。
• 電信/服務(wù)器電源：滿足電信設(shè)備和服務(wù)器對電源的高要求。
• 工業(yè)電源：在工業(yè)領(lǐng)域的電源系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。
• 照明/充電器/適配器：為照明設(shè)備、充電器和適配器提供可靠的電源解決方案。

關(guān)鍵參數(shù)解讀

絕對最大額定值

電氣特性

截止特性

• 漏源擊穿電壓 (BV_{DSS})：在 (V{GS}=0V)，(I{D}=1mA)，(T = 25^{circ}C) 時為 650V；(T = 150^{circ}C) 時為 700V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù) (Delta BV_{DSS}/Delta T)：典型值為 0.72V/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I_{DSS})：在 (V{DS}=650V)，(V{GS}=0V) 時最大為 1μA；在 (V{DS}=520V)，(T{C}=125^{circ}C) 時典型值為 2.2μA。
• 柵體泄漏電流 (I_{GSS})：在 (V{GS}= +30V)，(V{DS}=0V) 時最大為 +100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 (V_{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=0.99mA) 時，范圍為 2.5 - 4.5V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)})：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=22A) 時，典型值為 59mΩ，最大為 67mΩ。
• 正向跨導(dǎo) (g_{FS})：在 (V{DS}=20V)，(I{D}=22A) 時為 29S。

動態(tài)特性

• 輸入電容 (C_{iss})：在 (V{DS}=400V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz) 時為 3090pF。
• 輸出電容 (C_{oss})：典型值為 68pF。
• 有效輸出電容 (C_{oss(eff.)})：在 (V{DS}=0V) 至 400V，(V{G}=0V) 時為 715pF。
• 能量相關(guān)輸出電容 (C_{oss(er.)})：在 (V{DS}=0V) 至 400V，(V{GS}=0V) 時為 104pF。
• 總柵極電荷 (Q_{g(tot)})：在 (V{DS}=400V)，(I{D}=22A)，(V_{GS}=10V) 時為 78nC。
• 柵源柵極電荷 (Q_{gs})：為 18nC。
• 柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd})：為 30nC。
• 等效串聯(lián)電阻 (ESR)：在 (f = 1MHz) 時為 0.6Ω。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間 (t_{d(on)})：在 (V{DD}=400V)，(I{D}=22A)，(V{GS}=10V)，(R{g}=4.7Ω) 時為 26ns。
• 導(dǎo)通上升時間 (t_{r})：為 52ns。
• 關(guān)斷延遲時間 (t_{d(off)})：為 89ns。
• 關(guān)斷下降時間 (t_{f})：為 16ns。

源漏二極管特性

• 最大連續(xù)源漏二極管正向電流 (I_{S})：為 44A。
• 最大脈沖源漏二極管正向電流 (I_{SM})：為 110A。
• 源漏二極管正向電壓 (V_{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I{SD}=22A) 時為 1.2V。
• 反向恢復(fù)時間 (t_{rr})：在 (V{GS}=0V)，(I{SD}=22A)，(dI_{F}/dt = 100A/μs) 時為 435ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr})：為 9.2μC。

典型性能曲線

文檔中給出了一系列典型性能曲線，直觀地展示了該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)，例如：

• 導(dǎo)通區(qū)域特性：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
• 傳輸特性：體現(xiàn)了漏極電流與柵源電壓的關(guān)系，以及溫度對其的影響。
• 導(dǎo)通電阻變化：顯示了導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。
• 體二極管正向電壓變化：反映了體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化。
• 電容特性：呈現(xiàn)了輸入、輸出和反饋電容隨漏源電壓的變化。
• 柵極電荷特性：展示了總柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系。
• 擊穿電壓變化：體現(xiàn)了擊穿電壓隨結(jié)溫的變化。
• 導(dǎo)通電阻變化：顯示了導(dǎo)通電阻隨結(jié)溫的變化。
• 最大安全工作區(qū)：明確了在不同脈沖寬度和漏源電壓下，器件的安全工作范圍。
• (E_{OSS}) 與漏源電壓關(guān)系：展示了 (E_{OSS}) 隨漏源電壓的變化。
• 最大漏極電流與殼溫關(guān)系：體現(xiàn)了最大漏極電流隨殼溫的變化。
• 瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線：反映了不同占空比下，歸一化有效瞬態(tài)熱阻隨脈沖持續(xù)時間的變化。

封裝與訂購信息

FCPF067N65S3 采用 TO - 220F 封裝，包裝方式為管裝，每管 1000 個。其封裝尺寸有詳細的規(guī)格說明，并且給出了相關(guān)的注意事項，如尺寸公差遵循 ASME Y14.5 - 2009 標準，尺寸不包括毛刺、模具飛邊和連接條突出部分等。

總結(jié)

onsemi 的 FCPF067N65S3 MOSFET 憑借其出色的電氣性能、高可靠性和廣泛的應(yīng)用范圍，為電子工程師在電源設(shè)計中提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際設(shè)計中，我們可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合這些參數(shù)和特性，充分發(fā)揮該 MOSFET 的優(yōu)勢，設(shè)計出高效、穩(wěn)定的電源電路。你在使用類似 MOSFET 進行設(shè)計時，遇到過哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。