想要深入了解一個(gè)行業(yè)，吃透其核心產(chǎn)品的專業(yè)術(shù)語(yǔ)是關(guān)鍵一步，石英晶振領(lǐng)域也不例外。掌握這些術(shù)語(yǔ)，能讓晶振的采購(gòu)與選型工作事半功倍。下面就為大家逐一解讀石英晶振的核心專業(yè)術(shù)語(yǔ)：

一、頻率相關(guān)術(shù)語(yǔ)

• ?標(biāo)稱頻率?：指晶體在技術(shù)規(guī)范中明確規(guī)定的頻率值，一般會(huì)直接標(biāo)注在晶振的外殼上，是產(chǎn)品最基礎(chǔ)的頻率標(biāo)識(shí)。
• ?工作頻率?：并非晶振單獨(dú)產(chǎn)生，而是晶體與配套的工作電路相互作用后共同生成的實(shí)際運(yùn)行頻率。
• ?調(diào)整頻差?：在標(biāo)準(zhǔn)工作條件下，以25±2℃為基準(zhǔn)溫度，此時(shí)晶振的工作頻率與標(biāo)稱頻率之間允許存在的偏差范圍。
• ?溫度頻差?：同樣在規(guī)定條件下，當(dāng)環(huán)境溫度在整個(gè)工作溫度區(qū)間內(nèi)變化時(shí)，晶振工作頻率相對(duì)于25±2℃基準(zhǔn)溫度下頻率的允許偏差值。
• ?負(fù)載諧振頻率(fL)?：在特定條件下，將晶體與負(fù)載電容進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)組合，當(dāng)這個(gè)組合的整體阻抗呈現(xiàn)純電阻特性時(shí)，會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)特征頻率。若為串聯(lián)負(fù)載電容，負(fù)載諧振頻率是其中數(shù)值較低的那個(gè)；若是并聯(lián)負(fù)載電容，則是數(shù)值較高的那個(gè)。
• ?基頻?：晶振振動(dòng)模式中處于最低階次的振動(dòng)頻率，是晶振最基礎(chǔ)的振動(dòng)頻率。
• ?泛音?：屬于晶體振動(dòng)產(chǎn)生的機(jī)械諧波，它的頻率與基頻的比值接近整數(shù)倍，但并非嚴(yán)格的整數(shù)倍，這也是它和電氣諧波最核心的區(qū)別。常見的泛音振動(dòng)有3次、5次、7次等。

二、電容與電阻相關(guān)術(shù)語(yǔ)

• ?靜電容（C0）?：在晶振的等效電路里，與串聯(lián)臂相并聯(lián)的電容，也被稱為并電容，通常用符號(hào)C0來(lái)表示。
• ?負(fù)載電容（CL）?：是和晶體配合使用，共同決定負(fù)載諧振頻率fL的外部有效電容，一般用CL表示。其可選系列值包括6-33PF范圍，在選型時(shí)優(yōu)先推薦選用7PF、9PF、12PF、15PF、18PF這些標(biāo)準(zhǔn)值。
• ?動(dòng)態(tài)電阻（R1）?：指晶振在串聯(lián)諧振頻率狀態(tài)下的等效電阻，用R1作為標(biāo)識(shí)符號(hào)。
• ?負(fù)載諧振電阻（RL）?：是晶振在負(fù)載諧振頻率下呈現(xiàn)出的等效電阻，表達(dá)式為RL＝R1（1+C0/CL）2，其中R1為動(dòng)態(tài)電阻，C0為靜電容，CL為負(fù)載電容。

三、其他關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)

• ?老化率?：在規(guī)定的工作環(huán)境與條件下，晶振的工作頻率會(huì)隨著時(shí)間推移發(fā)生緩慢變化，這種變化的相對(duì)允許范圍就是老化率。如果以年為時(shí)間單位來(lái)衡量，就稱為年老化率。
• ?激勵(lì)電平?：用來(lái)表征晶振工作時(shí)所消耗功率的參數(shù)，常見的可選值有100μW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等，不同的激勵(lì)電平會(huì)影響晶振的工作性能與穩(wěn)定性。