深入解析 onsemi NVTFS6H860N N 溝道功率 MOSFET

在電子設計領域，功率 MOSFET 是至關重要的元件，它直接影響著電路的性能和效率。今天，我們就來深入探討 onsemi 出品的 NVTFS6H860N 這款 N 溝道功率 MOSFET。

文件下載：NVTFS6H860N-D.PDF

產品概述

NVTFS6H860N 是 onsemi 推出的一款單 N 溝道功率 MOSFET，具有 80V 的耐壓、21.1mΩ 的導通電阻以及 33A 的電流承載能力。其采用了 3.3 x 3.3mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設計。

產品特性

尺寸與設計優(yōu)勢

它的小尺寸封裝（3.3 x 3.3mm）為緊湊型設計提供了可能，在一些對空間要求較高的應用中，如便攜式設備、小型電源模塊等，能夠有效節(jié)省電路板空間。

低損耗特性

• 低導通電阻：低 (R_{DS(on)}) 可以最大程度地減少導通損耗，提高電路的效率。這意味著在相同的電流下，MOSFET 自身的發(fā)熱會更小，減少了散熱設計的難度和成本。
• 低電容：低電容特性則有助于降低驅動損耗，使得驅動電路更加高效。這對于高頻應用場景尤為重要，能夠減少開關過程中的能量損耗。

質量與合規(guī)性

該產品有 NVTFS6H860NWF 可焊側翼版本，并且通過了 AEC - Q101 認證，具備 PPAP 能力。同時，它是無鉛產品，符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。

關鍵參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS} = 0V)，(I_D = 250mu A) 時為 80V。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{GS} = 0V)，(TJ = 25^{circ}C)，(V{DS} = 80V) 時為 10(mu A)；在 (T_J = 125^{circ}C) 時為 250(mu A)。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{DS} = 0V)，(V_{GS} = 20V) 時為 100nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS} = V_{DS})，(I_D = 30A) 時為 2.0 - 4.0V。
• 漏源導通電阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS} = 10V)，(I_D = 5A) 時為 17.3 - 21.1mΩ。
• 正向跨導：(g{FS}) 在 (V{DS} = 15V)，(I_D = 10A) 時為 41S。

電荷與電容特性

• 輸入電容：(C{iss}) 在 (V{GS} = 0V)，(f = 1.0MHz)，(V_{DS} = 40V) 時為 510pF。
• 輸出電容：(C_{oss}) 為 78pF。
• 反向傳輸電容：(C_{rss}) 為 4.2pF。
• 閾值柵極電荷：(Q{G(TH)}) 在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 40V)，(I_D = 10A) 時為 1.8nC。
• 柵源電荷：(Q_{GS}) 為 2.8nC。
• 柵漏電荷：(Q_{GD}) 為 1.6nC。
• 總柵極電荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 40V)，(I_D = 10A) 時為 8.7nC。

開關特性

• 導通延遲時間：(t_{d(on)}) 為 8.0ns。
• 上升時間：(t_r) 為 14ns。
• 關斷延遲時間：(t_{d(off)}) 為 18ns。
• 下降時間：(t_f) 為 5.0ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：(V{SD}) 在 (V{GS} = 0V)，(I_S = 5A)，(T_J = 25^{circ}C) 時為 0.8 - 1.2V；在 (T_J = 125^{circ}C) 時為 0.7V。
• 反向恢復時間：(t_{RR}) 為 29ns。
• 充電時間：(t_a) 為 20ns。
• 放電時間：(t_b) 為 9.0ns。
• 反向恢復電荷：(Q_{RR}) 為 24nC。

典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，通過“導通區(qū)域特性曲線”可以了解到在不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關系；“轉移特性曲線”則展示了不同結溫下，漏極電流與柵源電壓的變化情況。這些曲線對于工程師在設計電路時，準確把握 MOSFET 的性能和工作范圍非常有幫助。

封裝與訂購信息

封裝尺寸

該產品有 WDFN8 3.3x3.3, 0.65P（CASE 511AB）和 WDFNW8 3.3x3.3, 0.65P（Full - Cut 8FL WF，CASE 515AN）兩種封裝形式，并詳細給出了封裝的尺寸參數(shù)，包括長、寬、高以及引腳間距等信息，方便工程師進行 PCB 設計。

訂購信息

目前可訂購的型號為 NVTFS6H860NTAG，標記為 860N，采用 WDFN8 3.3x3.3, 0.65P（無鉛）封裝，每盤 1500 個，采用卷帶包裝。不過需要注意的是，部分型號已停產，在選擇時需要仔細確認。

總結

onsemi 的 NVTFS6H860N N 溝道功率 MOSFET 憑借其小尺寸、低損耗等特性，在電子設計中具有很大的優(yōu)勢。但在實際應用中，工程師需要根據(jù)具體的電路需求，結合其各項參數(shù)和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用過程中有沒有遇到過類似 MOSFET 的應用難題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。