深入解析 onsemi NTTFS115P10M5 P 溝道 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)元件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NTTFS115P10M5 單 P 溝道 MOSFET，詳細(xì)解析其特性、參數(shù)及應(yīng)用要點(diǎn)。

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產(chǎn)品特性

緊湊設(shè)計(jì)

NTTFS115P10M5 采用了小巧的 3.3 x 3.3 mm 封裝，這種小尺寸設(shè)計(jì)非常適合對(duì)空間要求較高的緊湊型設(shè)計(jì)，能有效節(jié)省 PCB 空間，為設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的靈活性。

環(huán)保特性

該器件為無(wú)鉛產(chǎn)品，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，這意味著它在環(huán)保方面表現(xiàn)出色，滿足了現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)綠色環(huán)保的要求。

非 ESD 保護(hù)

需要注意的是，這些器件沒(méi)有進(jìn)行 ESD 保護(hù)，因此在使用過(guò)程中，工程師需要額外注意靜電防護(hù)措施，避免因靜電放電對(duì)器件造成損壞。

最大額定值

當(dāng)應(yīng)力超過(guò)最大額定值表中列出的數(shù)值時(shí)，可能會(huì)損壞器件。如果超出這些限制，不能保證器件的功能正常，可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。

熱阻參數(shù)

需要注意的是，整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)影響熱阻值，這些值不是常數(shù)，僅在特定條件下有效。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：V(BR)DSS 在 VGS = 0 V，ID = 250 μA 時(shí)為 -100 V，其溫度系數(shù)為 -67 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：IDSS 在 VDS = -80 V，VGS = 0 V，TJ = 125 °C 時(shí)為 -100 μA。
• 柵源泄漏電流：IGSS 在 VDS = 0 V，VGS = ±20 V 時(shí)為 ±100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：VGS(TH) 在 VGS = VDS，ID = -45 A 時(shí)，范圍為 -2.0 至 -4.0 V。
• 漏源導(dǎo)通電阻：RDS(on) 在 VGS = -10 V，ID = -2.4 A 時(shí)為 97 - 120 mΩ；在 VGS = -6 V，ID = -1.6 A 時(shí)為 127 - 254 mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：gFS 在 VDS = -10 V，ID = -2.1 A 時(shí)為 5.5 S。

電荷與電容特性

• 輸入電容：CISS 在 VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = -50 V 時(shí)為 637 pF。
• 輸出電容：COSS 為 93.5 pF。
• 反向傳輸電容：CRSS 為 4.5 pF。
• 總柵極電荷：QG(TOT) 在 VGS = -6 V，VDS = -50 V，ID = -2.4 A 時(shí)為 5.7 nC；在 VGS = -10 V 時(shí)為 9.2 nC。

開(kāi)關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：td(ON) 在 VGS = -10 V，VDS = -50 V，ID = -2.4 A，RG = 2.5 Ω 時(shí)為 8.7 ns。
• 上升時(shí)間：tr 為 2.1 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：td(OFF) 為 13.4 ns。
• 下降時(shí)間：tf 為 4.1 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：VSD 在 TJ = 25 °C，VGS = 0 V，IS = -2.4 A 時(shí)為 0.84 - 1.2 V；在 TJ = 125 °C 時(shí)為 0.71 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：tRR 在 VGS = 0 V，dIs/dt = 300 A/s，IS = -1.2 A 時(shí)為 28.7 ns。
• 反向恢復(fù)電荷：QRR 為 87.6 nC。

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間與柵極電阻關(guān)系、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、雪崩峰值電流與時(shí)間關(guān)系以及熱響應(yīng)等。這些曲線能幫助工程師更好地理解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

訂購(gòu)與標(biāo)記信息

該器件的標(biāo)記為 115P10M5，采用 WDFN8（無(wú)鉛）封裝，卷盤(pán)尺寸為 13”，膠帶寬度為 12 mm，每盤(pán) 3000 個(gè)，采用帶盤(pán)包裝。如需了解帶盤(pán)規(guī)格，可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

機(jī)械尺寸與安裝建議

文檔提供了詳細(xì)的機(jī)械尺寸圖和推薦的安裝 footprint。尺寸公差按照 ASMEY14.5M,2018 標(biāo)準(zhǔn)，控制尺寸單位為毫米。同時(shí)，還給出了引腳標(biāo)識(shí)和通用標(biāo)記圖，但實(shí)際標(biāo)記需參考器件數(shù)據(jù)手冊(cè)。對(duì)于無(wú)鉛安裝的更多信息，可參考 SOLDERRM/D 手冊(cè)。

總結(jié)

onsemi 的 NTTFS115P10M5 P 溝道 MOSFET 以其緊湊的設(shè)計(jì)、良好的電氣性能和環(huán)保特性，為電子工程師在功率開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。然而，在使用過(guò)程中，工程師需要注意其非 ESD 保護(hù)的特性，做好靜電防護(hù)，并根據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境合理考慮熱阻等參數(shù)。你在使用類似 MOSFET 時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。