深入解析Freescale MC9S08QE128系列微控制器
在電子設(shè)計領(lǐng)域,微控制器扮演著至關(guān)重要的角色。Freescale的MC9S08QE128系列微控制器以其豐富的功能和出色的性能,在眾多應(yīng)用場景中得到廣泛應(yīng)用。本文將對該系列微控制器進行詳細解析,幫助電子工程師更好地了解和使用這款產(chǎn)品。
文件下載:PC9S08QE64CLH.pdf
一、QFN封裝遷移補充說明
Freescale提供了新QFN封裝遷移的補充說明。由于部分封裝從金線遷移到銅線,98A外殼輪廓編號發(fā)生了變化。文檔中給出了舊(金線)封裝與新(銅線)封裝的對應(yīng)表格,方便工程師查閱。例如,MC68HC908JW32的48 QFN封裝,舊的文檔編號為98ARH99048A,新的為98ASA00466D。若要查看新的圖紙,可前往Freescale官網(wǎng),搜索設(shè)備的新98A封裝編號。對于QFN封裝的使用,可參考EB806文檔獲取相關(guān)電氣連接建議。
二、MC9S08QE128系列概述
2.1 核心特性
- CPU性能:采用8位HCS08中央處理器單元(CPU),在不同電壓和溫度范圍內(nèi)具有不同的運行頻率。例如,在2.4V以上可達到50.33 - MHz,2.1V以上為40 - MHz,1.8V以上為20 - MHz。支持HC08指令集并新增BGND指令,可支持多達32個中斷/復(fù)位源。
- 片上內(nèi)存:具備閃存(Flash),可在全工作電壓和溫度范圍內(nèi)進行讀取、編程和擦除操作;還有隨機存取存儲器(RAM),并配備安全電路,防止未經(jīng)授權(quán)訪問RAM和閃存內(nèi)容。
- 節(jié)能模式:擁有兩種低功耗停止模式和降低功耗的等待模式。外設(shè)時鐘使能寄存器可禁用未使用模塊的時鐘,降低電流消耗;在stop3模式下,可保持特定外設(shè)的時鐘開啟。還配備超低功耗外部振蕩器,為活動外設(shè)提供精確時鐘,以及超低功耗實時計數(shù)器,可在運行、等待和停止模式下使用內(nèi)部和外部時鐘源,典型喚醒時間為6 μs。
- 時鐘源選項:提供振蕩器(XOSC)和內(nèi)部時鐘源(ICS)兩種選擇。XOSC為環(huán)路控制皮爾斯振蕩器,支持31.25 kHz至38.4 kHz或1 MHz至16 MHz的晶體或陶瓷諧振器;ICS由內(nèi)部或外部參考控制的FLL控制,內(nèi)部參考的精確微調(diào)可實現(xiàn)0.2%的分辨率和2%的偏差,支持2至50.33 MHz的CPU頻率。
- 系統(tǒng)保護:具備看門狗計算機運行正常(COP)復(fù)位功能,可選擇從專用的1 - kHz內(nèi)部時鐘源或總線時鐘運行;支持低電壓檢測,可選擇復(fù)位或中斷,并具有可選的觸發(fā)點;具備非法操作碼檢測和復(fù)位功能,以及閃存塊保護功能。
- 開發(fā)支持:提供單線背景調(diào)試接口,具備斷點功能,可在在線調(diào)試時設(shè)置單個斷點(另外還有兩個斷點),片上在線仿真器(ICE)調(diào)試模塊包含兩個比較器和九種觸發(fā)模式。
2.2 外設(shè)模塊
- ADC:24通道,12位分辨率,轉(zhuǎn)換時間為2.5 μs,具有自動比較功能,內(nèi)置1.7 mV/°C溫度傳感器和內(nèi)部帶隙參考通道,可在stop3模式下工作,在3.6V至1.8V電壓范圍內(nèi)功能完整。
- ACMPx:兩個模擬比較器,可選擇在比較器輸出的上升、下降或任意邊沿產(chǎn)生中斷,可與固定的內(nèi)部帶隙參考電壓進行比較,輸出可選擇路由到TPM模塊,可在stop3模式下工作。
- SCIx:兩個SCI,支持全雙工非歸零(NRZ)通信,具備LIN主擴展中斷生成和LIN從擴展中斷檢測功能,可在活動邊沿喚醒。
- SPIx:兩個串行外設(shè)接口,支持全雙工或單線雙向通信,具備雙緩沖發(fā)送和接收功能,可選擇MSB - first或LSB - first移位。
- IICx:兩個IIC,最高支持100 kbps的通信速率,支持多主操作,可編程從地址,支持中斷驅(qū)動的逐字節(jié)數(shù)據(jù)傳輸,支持廣播模式和10位尋址。
- TPMx:一個6通道和兩個3通道定時器/脈寬調(diào)制器(PWM),每個通道可選擇輸入捕獲、輸出比較或緩沖邊沿或中心對齊PWM。
- RTC:8位模數(shù)計數(shù)器,具有基于二進制或十進制的預(yù)分頻器,可使用外部時鐘源提供精確的時間基準,用于日期、日歷或任務(wù)調(diào)度功能,還可使用片上低功耗振蕩器(1 kHz)實現(xiàn)無外部組件的循環(huán)喚醒。
- 輸入/輸出:擁有70個通用輸入輸出(GPIO)引腳,1個僅輸入引腳和1個僅輸出引腳,16個KBI中斷,可選擇極性。所有輸入引腳具有遲滯和可配置上拉設(shè)備,所有輸出引腳可配置壓擺率和驅(qū)動強度,部分引腳(PTC和PTE)具備SET/CLR寄存器。
三、不同型號對比
文檔中給出了MC9S08QE128系列不同設(shè)備衍生型號的對比表格,包括MC9S08QE128、MC9S08QE96和MC9S08QE64。對比內(nèi)容涵蓋閃存大小、RAM大小、引腳數(shù)量、各外設(shè)模塊的支持情況等。例如,MC9S08QE128的閃存大小為131072字節(jié),RAM大小為8064字節(jié);而MC9S08QE64的閃存大小為65536字節(jié),RAM大小為4096字節(jié)。不同型號在引腳數(shù)量和外設(shè)模塊支持上也存在差異,工程師可根據(jù)具體需求選擇合適的型號。
四、引腳分配
詳細描述了不同封裝(80 - LQFP、64 - LQFP、48 - QFN、44 - LQFP、32 - LQFP)的引腳分配情況,并給出了相應(yīng)的表格和圖示。表格中列出了每個引腳的編號、端口、替代功能等信息,方便工程師進行硬件設(shè)計和布線。例如,在80 - LQFP封裝中,引腳1對應(yīng)PTD1,具有KBI2P1和MOSI2等替代功能。
五、電氣特性
5.1 絕對最大額定值
規(guī)定了設(shè)備的絕對最大額定值,如電源電壓VDD范圍為–0.3至 + 3.8 V,最大流入VDD的電流IDD為120 mA,數(shù)字輸入電壓VIn范圍為–0.3至VDD + 0.3 V,單個引腳的瞬時最大電流ID為± 25 mA,存儲溫度范圍Tstg為–55至150 °C。需要注意的是,這些是應(yīng)力額定值,在最大值下不能保證功能正常運行,超過規(guī)定極限可能影響設(shè)備可靠性或造成永久損壞。
5.2 熱特性
提供了設(shè)備的熱特性信息,包括工作溫度范圍(封裝后為–40至85 °C)、最大結(jié)溫TJM為95 °C,以及不同封裝在單層板和四層板上的熱阻θJA。通過公式 (T{J}=T{A}+left(P{D} × theta{J A}right)) 可計算芯片的平均結(jié)溫 (T{J}) ,其中 (T{A}) 為環(huán)境溫度, (P{D}) 為總功耗, (theta{JA}) 為封裝熱阻。對于大多數(shù)應(yīng)用, (P{I / O}< {int }) 可忽略不計,通過測量 (P{D}) 和 (T{A}) 可確定常數(shù)K,進而計算不同 (T{A}) 下的 (P{D}) 和 (T_{J}) 。 盡管該設(shè)備比早期CMOS電路對靜電放電(ESD)的損壞更具抵抗力,但仍需采取正常的處理預(yù)防措施。設(shè)備經(jīng)過了人體模型(HBM)、機器模型(MM)和電荷設(shè)備模型(CDM)的ESD測試,符合AEC - Q100汽車級集成電路應(yīng)力測試資格要求。同時,還給出了ESD和閂鎖測試條件及保護特性,如HBM模式下的ESD電壓為± 2000 V,MM模式為± 200 V,CDM模式為± 500 V,在TA = 85 °C時的閂鎖電流I LAT為± 100 mA。 包括電源要求和I/O引腳特性,如工作電壓范圍為1.8至3.6 V,輸出高電壓和低電壓在不同驅(qū)動強度和負載電流下的取值,輸入高電壓和低電壓與VDD的關(guān)系,輸入遲滯、輸入泄漏電流、Hi - Z(關(guān)態(tài))泄漏電流、上拉電阻等參數(shù)。還給出了典型的上拉和下拉電阻值隨VDD變化的曲線,以及低側(cè)驅(qū)動和高側(cè)驅(qū)動的典型特性曲線。 詳細列出了不同工作模式下的電源電流特性,包括運行模式(FEI模式下所有模塊開啟或關(guān)閉、LPS = 0或1時所有模塊關(guān)閉且從閃存或RAM運行)、等待模式、停止2模式和停止3模式的電源電流。同時,給出了停止模式的附加電流參數(shù),如LPO、ERREFSTEN、IREFSTEN1等在不同溫度下的取值。 描述了XOSC的特性,包括振蕩器晶體或諧振器的頻率范圍(低范圍和高范圍)、負載電容、反饋電阻、串聯(lián)電阻和晶體啟動時間等參數(shù)。不同的振蕩器設(shè)置(RANGE和HGO)會影響這些參數(shù)的取值,同時給出了典型的晶體或諧振器電路圖示。 給出了ICS的頻率規(guī)格,包括平均內(nèi)部參考頻率、用戶微調(diào)的內(nèi)部參考頻率、內(nèi)部參考啟動時間、DCO輸出頻率范圍、分辨率、總偏差、FLL獲取時間和長期抖動等參數(shù)。這些參數(shù)在不同的溫度和電壓條件下有相應(yīng)的取值范圍,還給出了DCO輸出在不同溫度和VDD下的偏差曲線。 規(guī)定了總線頻率、內(nèi)部低功耗振蕩器周期、外部復(fù)位脈沖寬度、復(fù)位低驅(qū)動、BKGD/MS設(shè)置時間和保持時間、IRQ脈沖寬度、鍵盤中斷脈沖寬度、端口上升和下降時間以及電壓調(diào)節(jié)器恢復(fù)時間等控制時序參數(shù)。這些參數(shù)對于確保設(shè)備的正常運行和穩(wěn)定性至關(guān)重要。 確定了TPM模塊的輸入時序,包括外部時鐘頻率、周期、高時間、低時間和輸入捕獲脈沖寬度等參數(shù)。這些參數(shù)與總線時鐘頻率相關(guān),確保TPM模塊能夠準確地進行定時和計數(shù)操作。 詳細描述了SPI系統(tǒng)的時序要求,包括操作頻率、SPSCK周期、使能提前時間、使能滯后時間、時鐘高或低時間、數(shù)據(jù)設(shè)置時間、數(shù)據(jù)保持時間、從設(shè)備訪問時間、從設(shè)備MISO禁用時間、數(shù)據(jù)有效時間、數(shù)據(jù)輸出保持時間、上升時間和下降時間等參數(shù)。同時,給出了SPI主模式和從模式在不同CPHA設(shè)置下的時序圖示。 給出了模擬比較器的電氣規(guī)格,包括電源電壓、電源電流、模擬輸入電壓、模擬輸入偏移電壓、模擬比較器遲滯、模擬輸入泄漏電流和模擬比較器初始化延遲等參數(shù)。這些參數(shù)對于設(shè)計模擬信號處理電路非常重要。 詳細描述了12位ADC的工作條件和特性,包括電源電壓、參考電壓、輸入電壓、輸入電容、輸入電阻、模擬源電阻、ADC轉(zhuǎn)換時鐘頻率等參數(shù)。還給出了不同工作模式下的ADC特性,如供應(yīng)電流、轉(zhuǎn)換時間、采樣時間、總未調(diào)整誤差、差分非線性、積分非線性、零刻度誤差、滿刻度誤差、量化誤差、輸入泄漏誤差、溫度傳感器斜率和電壓等。 提供了閃存的編程/擦除時間和編程 - 擦除耐久性等詳細信息。編程和擦除操作僅需正常的VDD電源,無需特殊電源。文檔中給出了不同操作(字節(jié)編程、頁擦除、塊擦除)的時間和電流參數(shù),以及閃存的編程/擦除耐久性和數(shù)據(jù)保留時間。 列出了MC9S08QE128、MC9S08QE96和MC9S08QE64設(shè)備的訂購信息,包括飛思卡爾零件編號、內(nèi)存(閃存和RAM)大小、溫度范圍和封裝類型等。例如,MC9S08QE128CLK的閃存為128K,RAM為8K,溫度范圍為–40至 + 85 °C,封裝為80 LQFP。同時,介紹了設(shè)備編號系統(tǒng),方便工程師理解零件編號的含義。 詳細介紹了不同封裝(80 - LQFP、64 - LQFP、48 - QFN、44 - LQFP、32 - LQFP)的描述,包括引腳數(shù)量、封裝類型、縮寫、設(shè)計器、案例編號和文檔編號等。還提供了各封裝的機械圖紙,工程師可通過訪問Freescale官網(wǎng)獲取最新的圖紙。 指出可在Freescale官網(wǎng)(http://www.freescale.com)獲取所有文檔的最新版本。參考手冊(MC9S08QE128RM)包含了產(chǎn)品的詳細信息,如操作模式、內(nèi)存、復(fù)位和中斷、寄存器定義、端口引腳、CPU和所有模塊信息。文檔還給出了修訂歷史表格,記錄了文檔的修訂日期和更改描述,方便工程師了解文檔的更新情況。 綜上所述,F(xiàn)reescale的MC9S08QE128系列微控制器具有豐富的功能和出色的性能,適用于多種應(yīng)用場景。電子工程師在設(shè)計過程中,可根據(jù)具體需求選擇合適的型號和封裝,并參考文檔中的電氣特性和引腳分配等信息,確保設(shè)計的可靠性和穩(wěn)定性。你在使用這款微控制器的過程中遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。 5.3 ESD保護和閂鎖免疫
5.4 DC特性
5.5 電源電流特性
5.6 外部振蕩器(XOSC)特性
5.7 內(nèi)部時鐘源(ICS)特性
5.8 AC特性
5.8.1 控制時序
5.8.2 TPM模塊時序
5.8.3 SPI時序
5.9 模擬比較器(ACMP)電氣特性
5.10 ADC特性
5.11 閃存規(guī)格
六、訂購信息
七、封裝信息
八、產(chǎn)品文檔和修訂歷史
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