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漲價周期下,國產(chǎn)存儲的突圍之路與補(bǔ)給破局

科技見聞網(wǎng) ? 來源:科技見聞網(wǎng) ? 作者:科技見聞網(wǎng) ? 2026-04-13 10:21 ? 次閱讀
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當(dāng)全球存儲芯片市場進(jìn)入新一輪漲價通道,國內(nèi)下游企業(yè)正面臨著前所未有的成本壓力。近日,三星電子完成第二季度DRAM產(chǎn)品供貨合同談判,其價格較一季度再漲30%,而這已是該巨頭年內(nèi)第二次大幅提價——一季度DRAM均價已較上年末翻倍。疊加SK海力士、美光的同步跟進(jìn),全球存儲三巨頭的集體提價,不僅讓下游廠商議價空間被嚴(yán)重擠壓,更凸顯出國產(chǎn)存儲補(bǔ)給的迫切性。在庫存跌至歷史低位、漲價行情預(yù)計貫穿2026年的背景下,國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈正從被動承壓轉(zhuǎn)向主動突圍,尋找破局之路。

行業(yè)變局之下,國產(chǎn)半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)突圍破局

此次存儲巨頭的漲價并非孤立事件,而是全球存儲市場供需失衡與產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整共同作用的結(jié)果。以三星為例,兩輪提價后,其第二季度DRAM供應(yīng)價格已達(dá)到2025年初基準(zhǔn)價的2.6倍,且漲價范圍覆蓋服務(wù)器、PC、移動設(shè)備等全場景通用產(chǎn)品。緊隨其后,SK海力士、美光也已啟動第二季度DRAM供應(yīng)協(xié)議調(diào)整,三大巨頭步調(diào)一致的背后,是全球DRAM庫存持續(xù)處于歷史低位,供給緊張局面短期內(nèi)難以緩解。

為規(guī)避持續(xù)漲價風(fēng)險、鎖定產(chǎn)能,谷歌、微軟等海外科技巨頭甚至主動拋出長期供貨協(xié)議,不惜支付預(yù)付款換取未來產(chǎn)能保障,這也從側(cè)面印證了行業(yè)高景氣度將延續(xù)至2027年的市場預(yù)期。面對外部壓力,國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈并未被動應(yīng)對,而是掀起了一場密集的擴(kuò)產(chǎn)熱潮。據(jù)財聯(lián)社星礦數(shù)據(jù)顯示,今年一季度,70家科創(chuàng)板企業(yè)啟動對外投資,總金額近160億元,其中半導(dǎo)體行業(yè)成為擴(kuò)產(chǎn)核心賽道,占據(jù)投資布局的主導(dǎo)地位。

這場擴(kuò)產(chǎn)潮并非盲目跟風(fēng),而是精準(zhǔn)對接市場需求與產(chǎn)業(yè)短板。從上游材料設(shè)備到中游芯片制造、測試封裝,國內(nèi)企業(yè)加速布局全產(chǎn)業(yè)鏈:甬矽電子計劃投資21億元打造馬來西亞封裝測試基地,晶合集成投入20億元擴(kuò)大產(chǎn)能,源杰科技斥資12.51億元建設(shè)光電通訊芯片項目。業(yè)內(nèi)人士指出,AI技術(shù)革命帶來的需求激增與全球供應(yīng)鏈重構(gòu),共同推動了這場半導(dǎo)體領(lǐng)域的“軍備競賽”,而延鏈補(bǔ)鏈、技術(shù)突破與生態(tài)構(gòu)建,成為企業(yè)布局的核心邏輯。

破局海外壟斷,長鑫成國產(chǎn)存儲核心補(bǔ)給力量

在全球DRAM賽道長期被三巨頭壟斷、供應(yīng)持續(xù)緊張的背景下,國產(chǎn)力量的突圍成為破解供給困境的關(guān)鍵。其中,正推進(jìn)IPO進(jìn)程的長鑫科技,憑借規(guī)模化產(chǎn)能與核心技術(shù)突破,成為國產(chǎn)存儲補(bǔ)給的核心力量,其發(fā)展路徑也與國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)“補(bǔ)短板、強(qiáng)技術(shù)”的布局邏輯高度契合。

產(chǎn)能布局上,長鑫科技已在合肥、北京建成3座12英寸DRAM晶圓廠,構(gòu)建起穩(wěn)固的規(guī)?;a(chǎn)體系。根據(jù)其招股書數(shù)據(jù),2022年至2025年上半年,公司產(chǎn)能利用率從85.45%穩(wěn)步攀升至94.63%,高效的產(chǎn)能釋放不僅助力其提升全球市場份額,更有效緩解了國內(nèi)DRAM市場的供應(yīng)缺口,為下游企業(yè)搭建起可靠的供應(yīng)鏈屏障,逐步提升國產(chǎn)存儲的自給能力。

技術(shù)突破方面,長鑫科技的表現(xiàn)同樣亮眼。2025年底,公司相繼推出LPDDR5X與DDR5兩款高端產(chǎn)品,其中LPDDR5X速率突破10667Mbps,較上一代提升66%,首款國產(chǎn)DDR5速率達(dá)8000Mbps、單顆最大容量24Gb,兩款產(chǎn)品性能均躋身國際第一梯隊,標(biāo)志著國產(chǎn)存儲技術(shù)正式突破中低端局限,邁入高端領(lǐng)域。在三巨頭優(yōu)先保障高端產(chǎn)品供應(yīng)、通用DRAM供給緊缺的當(dāng)下,這些技術(shù)突破無疑為國內(nèi)市場投送了“關(guān)鍵補(bǔ)給”,打破了海外巨頭的技術(shù)與供應(yīng)壟斷。

目前,長鑫科技全球DRAM市場份額已提升至3.97%,成為國內(nèi)唯一躋身該賽道的企業(yè)。其突圍不僅為下游模組廠商、終端客戶提供了除三巨頭之外的可靠供應(yīng)選項,更有望撬動國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展——若成功上市,將進(jìn)一步帶動設(shè)備、材料、封測等相關(guān)板塊升級,推動一條更具韌性的國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈加速成型。

全球存儲超級周期的到來,既是國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)的挑戰(zhàn),更是難得的發(fā)展機(jī)遇。從三巨頭連續(xù)提價引發(fā)的成本壓力,到國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)突圍,中國存儲產(chǎn)業(yè)正實現(xiàn)從“被動承壓”到“主動布局”的深刻轉(zhuǎn)變。漲價只是短期行業(yè)波動,而技術(shù)突破、產(chǎn)能釋放與生態(tài)構(gòu)建,才是穿越周期、實現(xiàn)長遠(yuǎn)發(fā)展的核心底氣。在AI驅(qū)動與供應(yīng)鏈重構(gòu)的雙重背景下,國產(chǎn)存儲唯有持續(xù)深耕核心技術(shù)、完善產(chǎn)業(yè)鏈布局,才能在全球產(chǎn)業(yè)洗牌中站穩(wěn)腳跟,真正實現(xiàn)從“補(bǔ)給”到“主導(dǎo)”的跨越,為國內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展筑牢存儲根基。

審核編輯 黃宇

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