onsemi NTLJS17D0P03P8Z P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用分析

作為電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，MOSFET是常用的功率開(kāi)關(guān)器件。今天我們來(lái)深入了解一下 onsemi 推出的 NTLJS17D0P03P8Z 這款 P 溝道 MOSFET，探討它的特性、應(yīng)用場(chǎng)景以及相關(guān)參數(shù)。

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產(chǎn)品特性

緊湊設(shè)計(jì)

該 MOSFET 采用 WDFN6 封裝，具有小尺寸的特點(diǎn)，占地面積僅為 (4mm^{2})，這對(duì)于追求緊湊設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)非常友好，能夠有效節(jié)省電路板空間。

低導(dǎo)通電阻

具備低 (R_{DS(on)}) 特性，可最大程度地減少傳導(dǎo)損耗，提高電路的效率。這在一些對(duì)功耗要求較高的應(yīng)用中尤為重要。

環(huán)保合規(guī)

這些器件是無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑（BFR - Free）的，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用場(chǎng)景

電池管理

在電池管理系統(tǒng)中，NTLJS17D0P03P8Z 可用于控制電池的充放電過(guò)程，實(shí)現(xiàn)對(duì)電池的有效保護(hù)和管理。例如，在鋰電池充電電路中，它可以作為負(fù)載開(kāi)關(guān)，根據(jù)電池的狀態(tài)進(jìn)行通斷控制。

保護(hù)電路

可用于過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)電路中，當(dāng)電路出現(xiàn)異常時(shí)，快速切斷電路，保護(hù)其他元件不受損壞。

功率負(fù)載開(kāi)關(guān)

在需要對(duì)功率負(fù)載進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的電路中，該 MOSFET 能夠提供穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)功能。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其可靠性。

熱阻參數(shù)

實(shí)際的連續(xù)電流會(huì)受到熱和機(jī)電應(yīng)用電路板設(shè)計(jì)的限制，(R_{theta CA}) 由用戶的電路板設(shè)計(jì)決定。

電氣特性

關(guān)斷特性

• (V{(BR)DSS})：漏源擊穿電壓為 -30V（(V{GS}=0V)，(I_{D}=-250A)）。
• (I{DSS})：零柵壓漏極電流在 (T{J}=25^{circ}C) 時(shí)為 -1A，在 (T_{J}=125^{circ}C) 時(shí)為 -10A。
• (I{GSS})：柵源泄漏電流在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=pm25V) 時(shí)為 (pm10A)。

導(dǎo)通特性

• (V{GS(TH)})：柵極閾值電壓在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=-250A) 時(shí)，范圍為 -1.0V 至 -3.0V。
• (R{DS(on)})：漏源導(dǎo)通電阻在 (V{GS}=-10V)，(I{D}=-10A) 時(shí)，典型值為 8.6mΩ，最大值為 11.3mΩ；在 (V{GS}=-4.5V)，(I_{D}=-10A) 時(shí)，典型值為 14.3mΩ，最大值為 21.3mΩ。

電荷和電容特性

• (C{iss})：輸入電容為 1600pF（(V{GS}=0V)，(V_{DS}=-15V)，(f = 1.0MHz)）。
• (C_{oss})：輸出電容為 550pF。
• (C_{rss})：反向傳輸電容為 530pF。
• (Q{G(TOT)})：總柵極電荷在 (V{GS}=-4.5V) 時(shí)為 23nC，在 (V_{GS}=-10V) 時(shí)為 38nC。

開(kāi)關(guān)特性

• 當(dāng) (V{GS}=-4.5V) 時(shí)，導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t{d(on)}) 為 18ns，上升時(shí)間 (t{r}) 為 106ns，關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{d(off)}) 為 40ns，下降時(shí)間 (t_{f}) 為 72ns。
• 當(dāng) (V{GS}=-10V) 時(shí)，導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t{d(on)}) 為 9ns，上升時(shí)間 (t{r}) 為 18ns，關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{d(off)}) 為 85ns，下降時(shí)間 (t_{f}) 為 70ns。

漏源二極管特性

• (V{SD})：正向二極管電壓在 (T{J}=25^{circ}C) 時(shí)，范圍為 -0.83V 至 1.3V；在 (T_{J}=125^{circ}C) 時(shí)為 -0.7V。
• (t{RR})：反向恢復(fù)時(shí)間為 32ns，反向恢復(fù)電荷 (Q{RR}) 為 10nC。

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間與柵極電阻關(guān)系以及二極管正向電壓與電流關(guān)系等。這些曲線有助于我們更直觀地了解該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)。

訂購(gòu)信息

器件型號(hào)為 NTLJS17D0P03P8ZTAG，采用 WDFN6（無(wú)鉛）封裝，以 3000 個(gè)/卷帶和卷盤(pán)的形式發(fā)貨。

總結(jié)

onsemi 的 NTLJS17D0P03P8Z P 溝道 MOSFET 憑借其緊湊的設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻和環(huán)保合規(guī)等特性，在電池管理、保護(hù)電路和功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以根據(jù)其各項(xiàng)參數(shù)和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中，有沒(méi)有遇到過(guò)使用 MOSFET 時(shí)的一些特殊問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。