深入解析NTD20P06L與NTDV20P06L MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用
在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們來詳細(xì)了解一下安森美(onsemi)的NTD20P06L和NTDV20P06L這兩款P溝道單功率MOSFET。
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產(chǎn)品概述
NTD20P06L和NTDV20P06L是安森美推出的P溝道單功率MOSFET,具有-60V的耐壓和-15.5A的連續(xù)漏極電流能力。其中,NTDV20P06L通過了AEC Q101認(rèn)證,適用于對可靠性要求較高的汽車電子等領(lǐng)域。這兩款器件均為無鉛產(chǎn)品,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了環(huán)保設(shè)計理念。
產(chǎn)品特性
高能量承受能力
這兩款MOSFET能夠在雪崩和換向模式下承受高能量,這使得它們在一些需要處理高能量瞬變的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,例如開關(guān)電源中的能量轉(zhuǎn)換過程。
快速開關(guān)特性
低柵極電荷設(shè)計使得MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān),從而降低開關(guān)損耗,提高電路的效率。在高頻開關(guān)應(yīng)用中,這一特性尤為重要。
汽車級認(rèn)證
NTDV20P06L通過AEC Q101認(rèn)證,這意味著它滿足汽車電子的嚴(yán)格要求,可用于汽車的各種電子系統(tǒng)中,如動力系統(tǒng)、車身電子等。
應(yīng)用領(lǐng)域
橋式電路
在橋式電路中,NTD20P06L和NTDV20P06L可以作為開關(guān)元件,實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。例如,在直流-交流逆變器中,它們可以將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,為負(fù)載提供所需的電源。
電源與電機控制
在電源供應(yīng)和電機控制領(lǐng)域,這兩款MOSFET可用于調(diào)節(jié)電壓和電流,實現(xiàn)對電機的精確控制。例如,在直流-直流轉(zhuǎn)換器中,它們可以將輸入電壓轉(zhuǎn)換為不同的輸出電壓,滿足不同負(fù)載的需求。
DC - DC轉(zhuǎn)換
在DC - DC轉(zhuǎn)換電路中,NTD20P06L和NTDV20P06L能夠高效地實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換,提高電源的效率和穩(wěn)定性。
關(guān)鍵參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | -60 | V |
| 柵源電壓(連續(xù)) | VGS | ±20 | V |
| 柵源電壓(非重復(fù),tp ≤10 ms) | VGSM | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流(穩(wěn)態(tài),TC = 25 °C) | ID | -15.5 | A |
| 功率耗散(穩(wěn)態(tài),TC = 25 °C) | PD | 65 | W |
| 脈沖漏極電流(tp = 10 s) | IDM | ±50 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度 | TJ, TSTG | -55 to 175 | °C |
| 單脈沖漏源雪崩能量(VDD = 25 V, VGS = 5 V, IPK = 15 A, L = 2.7 mH, RG = 25 ) | EAS | 304 | mJ |
| 焊接用引腳溫度(距外殼1/8”,10 s) | TL | 260 | °C |
熱阻額定值
| 參數(shù) | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到外殼(漏極)熱阻 | RJC | 2.3 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻(穩(wěn)態(tài),注1) | RJA | 80 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻(穩(wěn)態(tài),注2) | RJA | 110 | °C/W |
注:
- 表面安裝在FR4板上,使用1平方英寸焊盤尺寸(銅面積 = 1.127平方英寸[1 oz],包括走線)。
- 表面安裝在FR4板上,使用最小推薦焊盤尺寸(銅面積 = 0.412平方英寸)。
電氣特性
| 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 正向二極管電壓 | VGs = 0V, Is = -15A, T = 25°C | 1.5 | 2.5 | V | |
| VGs = 0V, Is = -15A, T = 150°C | 1.3 | V | |||
| 反向恢復(fù)時間 | VGs = 0V, dis/dt = 100 A/μs, Is = -12A | 60 | ns | ||
| 充電時間 | 39 | ns | |||
| 放電時間 | 21 | ns | |||
| 反向恢復(fù)電荷 | 0.13 | nC |
典型性能曲線
文檔中提供了一系列典型性能曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與漏極電流和溫度的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關(guān)系等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能,從而進(jìn)行合理的電路設(shè)計。
訂購信息
| 器件 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|
| NTD20P06LT4G | DPAK | 2500 / 卷帶包裝 |
| NTDV20P06LT4G - VF01 | (無鉛) | 2500 / 卷帶包裝 |
需要注意的是,部分器件已停產(chǎn),請參考文檔第5頁的表格獲取詳細(xì)信息。
機械尺寸
文檔中提供了DPAK封裝的詳細(xì)機械尺寸信息,包括不同樣式的引腳定義和尺寸公差。這些信息對于PCB布局和器件安裝非常重要,工程師在設(shè)計時需要仔細(xì)參考。
總結(jié)
NTD20P06L和NTDV20P06L MOSFET具有高能量承受能力、快速開關(guān)特性和汽車級認(rèn)證等優(yōu)點,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域。在進(jìn)行電路設(shè)計時,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇器件,并參考文檔中的參數(shù)和性能曲線,確保電路的性能和可靠性。同時,要注意器件的最大額定值和熱阻等參數(shù),避免因超過極限值而導(dǎo)致器件損壞。大家在實際應(yīng)用中是否遇到過類似MOSFET的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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MOSFET
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