Onsemi NDP6060L/NDB6060L MOSFET：低電壓應(yīng)用的理想之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，MOSFET 是不可或缺的元件。今天，我們來(lái)深入了解 Onsemi 推出的 NDP6060L 和 NDB6060L 這兩款 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，看看它們?cè)诘碗妷簯?yīng)用中能帶來(lái)怎樣的優(yōu)勢(shì)。

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產(chǎn)品概述

NDP6060L 和 NDB6060L 采用了 Onsemi 專有的高單元密度 DMOS 技術(shù)。這種技術(shù)經(jīng)過(guò)特別優(yōu)化，能有效降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，還能在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。這兩款器件非常適合用于汽車、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、PWM 電機(jī)控制以及其他需要快速開(kāi)關(guān)、低在線功率損耗和抗瞬態(tài)能力的電池供電電路等低電壓應(yīng)用場(chǎng)景。

關(guān)鍵特性

電氣性能

• 高電流與耐壓能力：能夠處理高達(dá) 48A 的電流，耐壓達(dá)到 60V，這使得它們?cè)谠S多功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
• 低導(dǎo)通電阻：在 (V{GS}=5V) 時(shí)，(R{DS(ON)} = 0.025mOmega)，低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗更低，能有效提高電路效率。
• 低驅(qū)動(dòng)要求：(V_{GS(TH)} < 2.0V)，可以直接由邏輯驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。

其他特性

• 高溫性能：規(guī)定了高溫下的關(guān)鍵直流電氣參數(shù)，最大結(jié)溫額定值為 175°C，保證了在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定工作。
• 內(nèi)部二極管：堅(jiān)固的內(nèi)部源 - 漏二極管可以消除對(duì)外部齊納二極管瞬態(tài)抑制器的需求，減少了元件數(shù)量，降低了成本和電路板空間。
• 環(huán)保設(shè)計(jì)：這些器件是無(wú)鉛的，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

最大額定值

電氣特性

雪崩額定值

單脈沖漏 - 源雪崩能量 (W{DSS}) 在 (V{DD}=25V)，(I{D}=48A) 時(shí)最大為 200mJ，最大漏 - 源雪崩電流 (I{AR}) 為 48A。這表明它們?cè)谘┍滥Ｊ较掠休^好的能量承受能力。

關(guān)斷特性

• 漏 - 源擊穿電壓 (BV{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A) 時(shí)最大為 60V。
• 零柵壓漏電流 (I{DSS}) 在 (V{DS}=60V)，(V{GS}=0V) 時(shí)，(T{J}=25^{circ}C) 最大為 250(mu A)，(T_{J}=125^{circ}C) 最大為 1mA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{DS}=V{GS})，(I{D}=250mu A) 時(shí)，典型值為 1V，最大值為 2V，并且在 (T_{J}=125^{circ}C) 時(shí)會(huì)有所變化。
• 靜態(tài)漏 - 源導(dǎo)通電阻 (R{DS(ON)}) 在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 條件下有不同的值，例如在 (V{GS}=5V)，(I{D}=24A) 時(shí)，(T{J}=25^{circ}C) 最大為 0.025(Omega)，(T_{J}=125^{circ}C) 最大為 0.04(Omega)。

動(dòng)態(tài)特性

包括輸入電容 (C{iss})、輸出電容 (C{oss}) 和反向傳輸電容 (C{rss}) 等，這些參數(shù)對(duì)于開(kāi)關(guān)性能有重要影響。例如，(C{iss}) 在 (V{DS}=25V)，(V{GS}=0V)，(f = 1.0MHz) 時(shí)為 1630 - 2000pF。

開(kāi)關(guān)特性

如導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t{D(on)})、導(dǎo)通上升時(shí)間 (t{r})、關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{D(off)}) 和關(guān)斷下降時(shí)間 (t{f}) 等，這些時(shí)間參數(shù)決定了 MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度。例如，在 (V{DD}=30V)，(I{D}=48A)，(V{GS}=5V)，(R{GEN}=15Omega)，(R{GS}=15Omega) 條件下，(t{D(on)}) 為 15 - 30ns。

漏 - 源二極管特性

最大連續(xù)漏 - 源二極管正向電流 (I{S}) 為 48A，最大脈沖漏 - 源二極管正向電流 (I{SM}) 為 144A，正向電壓 (V{SD}) 在 (V{GS}=0V)，(I{S}=24A) 時(shí)為 1.3V（(T{J}=25^{circ}C)），(T_{J}=125^{circ}C) 時(shí)為 1.2V。

熱特性

結(jié)到外殼的熱阻 (R{theta JC}) 為 1.5°C/W，結(jié)到環(huán)境的熱阻 (R{theta JA}) 為 62.5°C/W。了解這些熱特性對(duì)于散熱設(shè)計(jì)非常重要，以確保 MOSFET 在工作過(guò)程中不會(huì)因過(guò)熱而損壞。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，展示了導(dǎo)通電阻隨柵極電壓、漏極電流和溫度的變化，以及轉(zhuǎn)移特性、跨導(dǎo)隨漏極電流和溫度的變化等。這些曲線可以幫助工程師更好地理解 MOSFET 在不同工作條件下的性能，從而進(jìn)行更優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)。例如，從導(dǎo)通電阻隨溫度的變化曲線可以看出，隨著溫度升高，導(dǎo)通電阻會(huì)增大，這在設(shè)計(jì)散熱和功率損耗時(shí)需要考慮。

封裝信息

NDP6060L 采用 TO - 220 - 3LD 封裝，適用于通孔安裝；NDB6060L 采用 D2PAK - 3（TO - 263，3 - 引腳）封裝，適用于表面貼裝。文檔中還給出了詳細(xì)的封裝尺寸和引腳圖，方便工程師進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)。

訂購(gòu)信息

兩款器件均為無(wú)鉛產(chǎn)品，每管包裝數(shù)量均為 800 個(gè)。如果需要了解卷帶包裝規(guī)格，可以參考相關(guān)的卷帶包裝規(guī)范手冊(cè)。

總的來(lái)說(shuō)，Onsemi 的 NDP6060L 和 NDB6060L MOSFET 憑借其出色的電氣性能、低導(dǎo)通電阻、高溫穩(wěn)定性和環(huán)保設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)，在低電壓應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以根據(jù)具體需求考慮使用這兩款器件。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)類似 MOSFET 的使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。