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深入解析 onsemi FDPF390N15A N 溝道 MOSFET

lhl545545 ? 2026-04-15 09:15 ? 次閱讀
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深入解析 onsemi FDPF390N15A N 溝道 MOSFET

引言

在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的電子元件,廣泛應用于各種電路中。今天我們要深入探討的是 onsemi 公司的 FDPF390N15A N 溝道 MOSFET,它采用了先進的 POWERTRENCH 工藝,具備諸多優(yōu)異特性,接下來我們將詳細了解它的各項參數(shù)和性能。

文件下載:FDPF390N15A-D.pdf

產(chǎn)品概述

FDPF390N15A 是一款 N 溝道 MOSFET,由 onsemi 采用先進的 POWERTRENCH 工藝生產(chǎn)。該工藝經(jīng)過精心設(shè)計,在保證卓越開關(guān)性能的同時,能有效降低導通電阻。

產(chǎn)品特性

  1. 低導通電阻:在 (V{GS}=10V),(I{D}=15A) 的條件下,典型導通電阻 (R_{DS(on)} = 31 mOmega)。這一特性使得該 MOSFET 在導通狀態(tài)下的功率損耗較小,提高了電路的效率。
  2. 快速開關(guān)速度:能夠快速響應信號變化,減少開關(guān)過程中的能量損耗,適用于對開關(guān)速度要求較高的應用場景。
  3. 低柵極電荷:典型柵極電荷 (Q_{G}=14.3 nC),意味著在開關(guān)過程中,驅(qū)動該 MOSFET 所需的能量較少,降低了驅(qū)動電路的功耗。
  4. 高性能溝槽技術(shù):有助于進一步降低導通電阻,提高器件的性能。
  5. 高功率和電流處理能力:連續(xù)漏極電流在 (T{C}=25^{circ}C) 時可達 15A,在 (T{C}=100^{circ}C) 時可達 10A,脈沖漏極電流可達 60A,能夠滿足多種高功率應用的需求。
  6. 環(huán)保特性:該器件符合 Pb - Free、Halide Free 和 RoHS 標準,符合環(huán)保要求。

產(chǎn)品應用

FDPF390N15A 的應用場景十分廣泛,主要包括以下幾個方面:

  1. 消費電器:如 LED TV 等,可用于電源管理和功率轉(zhuǎn)換等電路中。
  2. 同步整流:在開關(guān)電源中,利用其低導通電阻和快速開關(guān)特性,提高整流效率。
  3. 不間斷電源(UPS):為設(shè)備提供穩(wěn)定的電源,確保在市電中斷時設(shè)備能正常運行。
  4. 電機和太陽能逆變器:在電機驅(qū)動和太陽能能量轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

參數(shù) 數(shù)值 單位
漏源電壓 (V_{DSS}) 150 V
柵源電壓 (V_{GSS}) ±20 V
連續(xù)漏極電流((T{C}=25^{circ}C)) (I{D}) 15 A
連續(xù)漏極電流((T{C}=100^{circ}C)) (I{D}) 10 A
脈沖漏極電流 (I_{DM}) 60 A
單脈沖雪崩能量 (E_{AS}) 78 mJ
峰值二極管恢復 (dv/dt) 6.0 V/ns
功率耗散((T{C}=25^{circ}C)) (P{D}) 22 W
25°C 以上降額系數(shù) 0.18 W/°C
工作和存儲溫度范圍 (T{J}, T{STG}) -55 至 +175 °C
焊接時最大引腳溫度(距外殼 1/8”,5 秒) (T_{L}) 300 °C

熱特性

參數(shù) 數(shù)值 單位
結(jié)到外殼熱阻 (R_{JC})(最大) 5.7 °C/W
結(jié)到環(huán)境熱阻 (R_{JA})(最大) 62.5 °C/W

電氣特性

  1. 關(guān)斷特性
    • 漏源擊穿電壓 (B{VDS}):在 (I{D}=250mu A),(V_{GS}=0V) 時為 150V。
    • 擊穿電壓溫度系數(shù):在 (I_{D}=250mu A) 時為 0.1V/°C。
    • 零柵壓漏極電流 (I{DSS}):在 (V{DS}=120V),(V{GS}=0V) 時最大為 1(mu A);在 (V{DS}=120V),(T_{C}=125^{circ}C) 時最大為 500(mu A)。
    • 柵體泄漏電流 (I{GSS}):在 (V{GS}=±20V),(V_{DS}=0V) 時最大為 ±100nA。
  2. 導通特性:靜態(tài)漏源導通電阻在 (V_{GS}=4.0V) 時有相應的特性表現(xiàn)。
  3. 動態(tài)特性:包括輸入電容 (C{iss})、輸出電容 (C{oss})、反向傳輸電容 (C_{rss}) 等參數(shù),在特定測試條件下有明確的數(shù)值。
  4. 開關(guān)特性:如開關(guān)時間等參數(shù)也有相應的規(guī)定。
  5. 漏源二極管特性:包括二極管正向電流 (I{SM})、正向電壓 (V{SD}) 等參數(shù)。

典型性能特性

文檔中給出了多個典型性能特性曲線,這些曲線展示了該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn),例如:

  1. 導通區(qū)域特性:展示了不同柵源電壓下,漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
  2. 傳輸特性:體現(xiàn)了在不同溫度下,漏極電流與柵源電壓的變化關(guān)系。
  3. 導通電阻變化特性:顯示了導通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。
  4. 電容特性:給出了輸入電容、輸出電容等隨漏源電壓的變化曲線。
  5. 柵極電荷特性:展示了總柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系。
  6. 擊穿電壓和導通電阻隨溫度變化特性:反映了擊穿電壓和導通電阻隨結(jié)溫的變化趨勢。
  7. 最大安全工作區(qū):明確了該 MOSFET 在不同電壓和電流條件下的安全工作范圍。
  8. 雪崩電流和能量特性:展示了雪崩電流和能量與漏源電壓的關(guān)系。
  9. 瞬態(tài)熱響應曲線:體現(xiàn)了器件在不同脈沖持續(xù)時間下的熱響應特性。

測試電路和波形

文檔中還給出了多種測試電路和波形,如柵極電荷測試電路、電阻性開關(guān)測試電路、非鉗位電感開關(guān)測試電路和峰值二極管恢復 (dv/dt) 測試電路等,這些測試電路和波形有助于工程師更好地理解和測試該 MOSFET 的性能。

機械尺寸

該 MOSFET 采用 TO - 220 Fullpack,3 - Lead / TO - 220F - 3SG 封裝,文檔詳細給出了封裝的機械尺寸,包括各個尺寸的最小值、標稱值和最大值,同時還給出了相關(guān)的注意事項,如尺寸公差標準、尺寸不包括毛刺等。

總結(jié)

onsemi 的 FDPF390N15A N 溝道 MOSFET 憑借其先進的工藝、優(yōu)異的性能和廣泛的應用場景,成為電子工程師在設(shè)計電路時的一個不錯選擇。在實際應用中,工程師需要根據(jù)具體的電路需求,綜合考慮其各項參數(shù)和性能特性,合理設(shè)計電路,以充分發(fā)揮該 MOSFET 的優(yōu)勢。同時,在使用過程中,也要注意遵循相關(guān)的安全和環(huán)保要求,確保電路的穩(wěn)定運行。你在使用這款 MOSFET 時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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