FDP036N10A N溝道PowerTrench? MOSFET：性能與應(yīng)用解析

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種關(guān)鍵的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天，我們來詳細(xì)了解一下飛兆半導(dǎo)體（現(xiàn)屬于安森美半導(dǎo)體）的FDP036N10A N溝道PowerTrench? MOSFET。

文件下載：FDP036N10ACN-D.pdf

1. 公司背景與產(chǎn)品編號(hào)變更

飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)已成為安森美半導(dǎo)體的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分飛兆可訂購的產(chǎn)品編號(hào)需要更改。安森美半導(dǎo)體的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（）的零件命名，因此飛兆零件編號(hào)中的下劃線（）將更改為破折號(hào)（-）。大家可通過安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站（www.onsemi.com）驗(yàn)證更新后的器件編號(hào)。

2. FDP036N10A MOSFET特性

2.1 基本參數(shù)

FDP036N10A是一款100V、214A、3.6mΩ的N溝道MOSFET。在(V{GS}=10V)，(I{D}=75A)的條件下，其典型導(dǎo)通電阻(R_{DS(on)} = 3.2mΩ)。

2.2 性能優(yōu)勢(shì)

• 快速開關(guān)速度：能夠在短時(shí)間內(nèi)完成導(dǎo)通和關(guān)斷操作，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
• 低柵極電荷：典型值(Q_{G}=89nC)，這意味著在開關(guān)過程中，對(duì)柵極的驅(qū)動(dòng)能量需求較低，有助于降低功耗。
• 高性能溝道技術(shù)：可實(shí)現(xiàn)極低的(R_{DS(on)})，減少導(dǎo)通損耗，提高效率。
• 高功率和高電流處理能力：能夠承受較大的功率和電流，適用于高功率應(yīng)用。
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保型產(chǎn)品，符合相關(guān)環(huán)保要求。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

3.1 同步整流

用于ATX/服務(wù)器/電信PSU（電源供應(yīng)單元）的同步整流，可提高電源效率，降低損耗。

3.2 電池保護(hù)電路

在電池保護(hù)電路中，F(xiàn)DP036N10A可以起到過流、過壓保護(hù)等作用，保障電池的安全使用。

3.3 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源中，該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的功率輸出，確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行。

3.4 微型太陽能逆變器

可應(yīng)用于微型太陽能逆變器，將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的過程中，提高能量轉(zhuǎn)換效率。

4. 最大額定值與熱性能

4.1 最大額定值

注：*計(jì)算連續(xù)電流（基于最高允許結(jié)溫），封裝限制電流為120A。

4.2 熱性能

熱性能參數(shù)對(duì)于設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)至關(guān)重要，合理的散熱設(shè)計(jì)可以確保MOSFET在正常溫度范圍內(nèi)工作，提高其可靠性和使用壽命。

5. 電氣特性

5.1 關(guān)斷特性

• 漏極 - 源極擊穿電壓(BV_{DSS})：在(I{D}=250μA)，(V{GS}=0V)，(T_{C}=25°C)的條件下，最小值為100V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)(Delta BV{DSS} / Delta T{J})：推薦選用25°C時(shí)，典型值為0.03V/°C。
• 零柵極電壓漏極電流(I_{DSS})：在(V{DS}=80V)，(V{GS}=0V)，(T{C}=25°C)時(shí)，最大值為1μA；在(V{DS}=80V)，(T_{C}=150°C)時(shí)，最大值為500μA。
• 柵極 - 體漏電流(I_{GSS})：在(V{GS}=±20V)，(V{DS}=0V)時(shí)，最大值為±100nA。

5.2 導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓(V_{GS(th)})：在(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250μA)的條件下，最小值為2.0V，典型值為3.0V，最大值為4.0V。
• 漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻(R_{DS(on)})：在(V{GS}=10V)，(I{D}=75A)時(shí)，典型值為3.2mΩ，最大值為3.6mΩ。
• 正向跨導(dǎo)(g_{FS})：在(V{DS}=10V)，(I{D}=75A)時(shí)，典型值為167S。

5.3 動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容(C_{iss})：典型值為5485pF，最大值為7295pF。
• 輸出電容(C_{oss})：在(V{DS}=25V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)的條件下，典型值為2430pF，最大值為3230pF。
• 反向傳輸電容(C_{rss})：典型值為210pF，最大值為315pF。
• 10V的柵極電荷總量(Q_{g(tot)})：在(V{DS}=80V)，(I{D}=75A)，(V_{GS}=10V)的條件下，典型值為89nC，最大值為116nC。
• 柵極 - 源極柵極電荷(Q_{gs})：典型值為24nC。
• 柵極平臺(tái)電荷閾值(Q_{gs2})：典型值為8nC。
• 柵極 - 漏極 “米勒” 電荷(Q_{gd})：典型值為25nC。
• 等效串聯(lián)電阻 (G - S)(ESR)：在(f = 1MHz)時(shí)，典型值為1.2Ω。

5.4 開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間(t_{d(on)})：最大值為54ns。
• 開通上升時(shí)間(t_{r})：在(V{DD}=50V)，(I{D}=75A)，(V{GS}=10V)，(R{G}=4.7Ω)的條件下，最大值為118ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間(t_{d(off)})：最大值為84ns。
• 關(guān)斷下降時(shí)間(t_{f})：最大值為32ns。

5.5 漏極 - 源極二極管特性

• 漏極 - 源極二極管最大正向連續(xù)電流和最大正向脈沖電流(I{S})和(I{SM})：最大正向連續(xù)電流最大值為214A，最大正向脈沖電流為856A。
• 漏極 - 源極二極管正向電壓(V_{SD})：在(V{GS}=0V)，(I{SD}=75A)時(shí)，最大值為1.25V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間(t_{rr})：在(V{GS}=0V)，(I{SD}=75A)，(dI_{F} / dt = 100A/μs)的條件下，典型值為72ns，最大值為93.6ns。
• 反向恢復(fù)電荷(Q_{rr})：典型值為129nC。

6. 典型性能特征

文檔中給出了多個(gè)典型性能特征圖，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓等。這些圖表直觀地展示了MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，對(duì)于工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和性能評(píng)估非常有幫助。例如，通過導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系圖，工程師可以了解在不同電流和柵極電壓下，MOSFET的導(dǎo)通電阻變化情況，從而選擇合適的工作點(diǎn)。

7. 封裝與訂購信息

FDP036N10A采用TO - 220封裝，頂標(biāo)為FDP036N10A，包裝方法為塑料管，每管50個(gè)。

8. 注意事項(xiàng)

8.1 產(chǎn)品變更

安森美半導(dǎo)體保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利，且不會(huì)另行通知。因此，在使用過程中，建議密切關(guān)注產(chǎn)品的最新信息。

8.2 應(yīng)用限制

該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備，以及用于人體植入的設(shè)備。如果買方將產(chǎn)品用于非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買方需承擔(dān)相應(yīng)的責(zé)任。

8.3 反假冒政策

為避免購買到假冒產(chǎn)品，建議從安森美半導(dǎo)體或其授權(quán)經(jīng)銷商處購買產(chǎn)品。假冒產(chǎn)品可能會(huì)導(dǎo)致品牌聲譽(yù)受損、性能不佳、應(yīng)用失敗等問題。

綜上所述，F(xiàn)DP036N10A N溝道PowerTrench? MOSFET具有優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。電子工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可以根據(jù)其特性和參數(shù)，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中，有沒有遇到過使用這款MOSFET的有趣經(jīng)歷呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。