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onsemi FDMS86350 N溝道MOSFET深度解析

lhl545545 ? 2026-04-15 15:35 ? 次閱讀
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onsemi FDMS86350 N溝道MOSFET深度解析

電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,MOSFET一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們就來(lái)深入探討一下 onsemi 的 FDMS86350 N 溝道 MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用場(chǎng)景。

文件下載:FDMS86350-D.PDF

產(chǎn)品概述

FDMS86350這款N溝道MOSFET采用了 onsemi 先進(jìn)的 POWERTRENCH? 工藝制造。該工藝經(jīng)過(guò)特別優(yōu)化,能夠在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí),保持出色的開(kāi)關(guān)性能,為眾多應(yīng)用提供了高效穩(wěn)定的解決方案。

關(guān)鍵特性

低導(dǎo)通電阻

在不同的柵源電壓和漏極電流條件下,F(xiàn)DMS86350展現(xiàn)出了極低的導(dǎo)通電阻。當(dāng) (V{GS}=10 V),(I{D}=25 A) 時(shí),最大 (R{DS(on)}) 僅為 (2.4 mOmega);當(dāng) (V{GS}=8 V),(I{D}=22 A) 時(shí),最大 (R{DS(on)}) 為 (3.2 mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗更小,能夠有效提高系統(tǒng)的效率。

先進(jìn)的封裝與硅片組合

采用先進(jìn)的封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了低 (R_{DS (on) }) 和高效率的完美結(jié)合。同時(shí),其 MSL1 穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì),增強(qiáng)了器件的可靠性。而且,該器件經(jīng)過(guò)了 100% 的 UIL 測(cè)試,確保了在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性。

環(huán)保特性

FDMS86350 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),并且是無(wú)鹵產(chǎn)品,滿足環(huán)保要求,為綠色電子設(shè)計(jì)提供了支持。

應(yīng)用場(chǎng)景

初級(jí)MOSFET

電源電路中,作為初級(jí) MOSFET,能夠高效地控制功率的傳輸,為后續(xù)電路提供穩(wěn)定的電源。

同步整流

開(kāi)關(guān)電源中,同步整流技術(shù)可以有效提高電源的效率。FDMS86350 憑借其低導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)性能,非常適合用于同步整流電路。

負(fù)載開(kāi)關(guān)

可以作為負(fù)載開(kāi)關(guān),靈活地控制負(fù)載的通斷,實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的精確控制。

電機(jī)控制開(kāi)關(guān)

電機(jī)控制領(lǐng)域,F(xiàn)DMS86350 能夠快速、準(zhǔn)確地控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和調(diào)速,為電機(jī)控制提供可靠的保障。

電氣參數(shù)

最大額定值

符號(hào) 參數(shù) 額定值 單位
(V_{DS}) 漏源電壓 80 V
(V_{GS}) 柵源電壓 ± 20 V
(I_{D}) 漏極電流(連續(xù) (T{C}=25 °C)、連續(xù) (T{A}=25 °C)、脈沖) 130、25、680 A
(E_{AS}) 單脈沖雪崩能量 864 mJ
(P_{D}) 功率耗散((T{C}=25 °C)、(T{A}=25 °C)) 156、2.7 W
(T{J}),(T{STG}) 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 -55 至 +150 °C

電氣特性

在不同的測(cè)試條件下,F(xiàn)DMS86350 展現(xiàn)出了一系列優(yōu)秀的電氣特性,如擊穿電壓、閾值電壓、導(dǎo)通電阻、跨導(dǎo)等。這些特性為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。

熱特性

符號(hào) 參數(shù) 額定值 單位
(R_{θJC}) 結(jié)到殼熱阻 0.8 °C/W
(R_{θJA}) 結(jié)到環(huán)境熱阻(不同安裝條件) 45((1 in^2) 2 oz 銅焊盤(pán))、115(最小 2 oz 銅焊盤(pán)) °C/W

熱特性對(duì)于 MOSFET 的性能和可靠性至關(guān)重要。較低的熱阻能夠有效地將熱量散發(fā)出去,保證器件在正常的溫度范圍內(nèi)工作。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了 FDMS86350 在不同工作條件下的性能表現(xiàn),工程師可以根據(jù)這些曲線進(jìn)行電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)。

封裝與訂購(gòu)信息

FDMS86350 采用 PQFN8 5X6, 1.27P 封裝,文檔中還提供了詳細(xì)的封裝尺寸和電氣連接圖。同時(shí),對(duì)于訂購(gòu)信息也有明確的說(shuō)明,方便工程師進(jìn)行采購(gòu)。

總的來(lái)說(shuō),onsemi 的 FDMS86350 N 溝道 MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、高效的開(kāi)關(guān)性能、先進(jìn)的封裝設(shè)計(jì)和環(huán)保特性,在電源管理、電機(jī)控制等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí),可以根據(jù)具體的需求,充分利用該器件的特性,實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類(lèi)似 MOSFET 的使用問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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