2026年以來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的價(jià)格調(diào)整信號從存儲芯片、模擬芯片、功率器件，逐步傳導(dǎo)至晶圓代工與封裝測試環(huán)節(jié)。對于移動(dòng)電源行業(yè)的采購與研發(fā)人員而言，BOM（物料清單）成本的上升已成為需要直面的事實(shí)。

本文將從漲價(jià)動(dòng)因、產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)機(jī)制、以及芯片方案的技術(shù)優(yōu)化路徑三個(gè)層面，梳理當(dāng)前市場環(huán)境下的客觀情況與可選應(yīng)對思路。

一、產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)格調(diào)整：多環(huán)節(jié)信號已明確

1.1 存儲芯片：領(lǐng)漲幅度較大

據(jù)證券時(shí)報(bào)2026年3月底報(bào)道，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷新一輪價(jià)格調(diào)整周期。其中：

三星NAND Flash產(chǎn)品漲幅超過100%，DRAM漲幅達(dá)60%-70%；

SK海力士部分LPDDR產(chǎn)品漲幅接近100%。

這意味著，若移動(dòng)電源產(chǎn)品集成了存儲芯片（如帶數(shù)據(jù)顯示或APP交互功能），該部分物料成本顯著上升。

1.2 模擬芯片與功率器件：普遍跟漲

德州儀器年內(nèi)已完成兩次價(jià)格調(diào)整，部分產(chǎn)品漲幅最高達(dá)85%；

英飛凌主流產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整幅度在5%-15%之間；

國內(nèi)多家MOSFET廠商將產(chǎn)品售價(jià)上調(diào)10%-20%；

模擬芯片、信號鏈芯片華芯邦廠商普遍跟漲，幅度多在10%-20%。

1.3 晶圓代工與封測：基礎(chǔ)環(huán)節(jié)提價(jià)

國內(nèi)某晶圓代工頭部企業(yè)于3月中旬公告，自6月1日起對所有晶圓代工產(chǎn)品價(jià)格統(tǒng)一上調(diào)10%；

多家存儲封測廠商近期調(diào)升封測價(jià)格，部分調(diào)幅達(dá)30%；

國內(nèi)封測龍頭產(chǎn)能利用率提升至八成左右，價(jià)格同步上行。

上述信號疊加，意味著移動(dòng)電源產(chǎn)品中從主控芯片、協(xié)議芯片到MOSFET等多個(gè)物料的成本均在上升。

二、漲價(jià)的結(jié)構(gòu)性原因：四重因素疊加

本輪價(jià)格調(diào)整并非短期供需波動(dòng)，而是多重結(jié)構(gòu)性因素共同作用的結(jié)果。

2.1 AI算力需求擠占成熟制程產(chǎn)能

AI服務(wù)器對HBM（高帶寬存儲）的需求快速增長，頭部廠商將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端存儲產(chǎn)品。據(jù)集邦咨詢報(bào)告，2026年第一季度：

DRAM顆粒平均價(jià)格同比上漲47%；

NAND Flash顆粒同比上漲38%；

全球存儲芯片整體庫存僅約4周，處于歷史較低水平。

高盛2026年2月發(fā)布的報(bào)告指出，2026年DRAM、NAND、HBM三大品類的供需缺口分別為4.9%、4.2%、5.1%，預(yù)計(jì)短缺局面將持續(xù)至2027年或更久。

2.2 原材料成本持續(xù)攀升

芯片制造涉及金、銀、銅、鈷等貴金屬，以及光刻膠、拋光液、特種氣體等化工材料。原材料價(jià)格上漲直接推高了芯片制造成本，并沿產(chǎn)業(yè)鏈向下傳導(dǎo)。

2.3 地緣政治因素增加供應(yīng)鏈不確定性

美國對華出口管制持續(xù)加碼，全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)“去全球化”趨勢，多國加快本土產(chǎn)能建設(shè)。新產(chǎn)能從建設(shè)到量產(chǎn)通常需要18-24個(gè)月，期間產(chǎn)能缺口持續(xù)存在。部分下游企業(yè)為保障供應(yīng)鏈安全而加大備貨，進(jìn)一步推高了短期價(jià)格。

2.4 產(chǎn)能向高毛利產(chǎn)品傾斜

部分代工廠主動(dòng)收縮成熟制程產(chǎn)能，將資源向高毛利產(chǎn)品傾斜。AI數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器需求導(dǎo)致8英寸產(chǎn)能供需關(guān)系趨緊，模擬芯片板塊價(jià)格隨之承壓。

綜合來看，本輪漲價(jià)是“AI需求拉動(dòng) + 原材料成本推動(dòng) + 地緣政治擾動(dòng) + 產(chǎn)能結(jié)構(gòu)優(yōu)化”四重因素疊加的結(jié)果，短期內(nèi)難以快速緩解。

三、深圳作為移動(dòng)電源產(chǎn)業(yè)鏈中心的方案供給能力

深圳及周邊地區(qū)集中了全球絕大部分移動(dòng)電源的產(chǎn)能，擁有從電芯、芯片、方案設(shè)計(jì)到成品組裝的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

在芯片領(lǐng)域，深圳已成長出一批具備全鏈條服務(wù)能力的本土設(shè)計(jì)企業(yè)。其方案普遍強(qiáng)調(diào)高集成度與整體BOM優(yōu)化，而非單純壓低單顆芯片價(jià)格。

四、高集成度方案的技術(shù)路徑與成本影響

以下梳理幾種在實(shí)際應(yīng)用中已得到驗(yàn)證的技術(shù)方案類型。

4.1 三合一SoC方案

將PD協(xié)議、MCU和充電管理三大核心功能集成于一顆芯片。

帶來的成本變化：

芯片采購成本：一顆SoC的價(jià)格通常低于多顆芯片的總價(jià)；

PCB面積：單顆芯片占板面積更小，有利于產(chǎn)品緊湊設(shè)計(jì)；

貼片費(fèi)用：貼片廠按元件數(shù)量收費(fèi)，元件減少可降低該部分支出；

研發(fā)周期：元件數(shù)量減少，調(diào)試工作量相應(yīng)下降。

在實(shí)際應(yīng)用中，基于高集成度SoC的方案，搭配一顆升降壓芯片即可實(shí)現(xiàn)30W多口快充移動(dòng)電源，外圍元件較少，BOM整體可控。

4.2 充放電同口方案

采用同步開關(guān)架構(gòu)的同口充放電方案，充電與放電共用一顆電感和同一端口。

技術(shù)特點(diǎn)：

僅需一顆電感即可實(shí)現(xiàn)同步開關(guān)充電和同步升壓放電；

方案尺寸可比傳統(tǒng)方案縮小約40%；

適用于對產(chǎn)品體積有要求的場景。

4.3 極簡外圍方案

將充電管理、LED指示、升壓放電三大功能集成于單一芯片，外圍元件數(shù)量大幅壓縮。

實(shí)測數(shù)據(jù)參考（來自公開方案對比）：

傳統(tǒng)分立方案約需15顆以上外圍元件；

高集成度方案可降至約6顆元件；

某高集成度方案升壓效率實(shí)測達(dá)91%，對照某進(jìn)口同類芯片為88%。

效率差異帶來的實(shí)際影響：相同電池容量下，前者可多支持手機(jī)15-20分鐘續(xù)航。

五、3C認(rèn)證對芯片選型的影響

自2024年8月起，移動(dòng)電源正式納入國家強(qiáng)制性產(chǎn)品認(rèn)證（3C認(rèn)證）管理范圍，產(chǎn)品需滿足安全性及可靠性標(biāo)準(zhǔn)后方可在正規(guī)渠道銷售。

3C認(rèn)證對芯片的保護(hù)功能提出明確要求，包括：

過壓保護(hù)

過流保護(hù)

短路保護(hù)

過溫保護(hù)

若芯片本身不具備上述功能，則需在外圍添加額外電路，這會增加BOM成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜度。

部分深圳芯片設(shè)計(jì)企業(yè)已在產(chǎn)品中集成了上述保護(hù)電路，有助于客戶在方案層面滿足認(rèn)證要求。

六、不同功率段的方案選型思路

6.1 22.5W-30W 入門級市場

該功率段對成本較為敏感。高度集成的入門級SoC是常見選擇，將充電、放電、電量顯示集成于一顆芯片，配合一顆電感即可完成基本方案。

關(guān)注指標(biāo)： 外圍元件數(shù)量、單芯片價(jià)格、電量顯示精度。

6.2 65W-100W 中高端市場

需要支持多口輸出和主流快充協(xié)議（PD3.0/PPS、QC4+、AFC、SCP、PE等）。

常見方案組合：

“協(xié)議芯片 + 升降壓控制器”組合；

或集成度更高的中高端SoC。

關(guān)注指標(biāo)： 協(xié)議覆蓋范圍、升降壓效率（通常要求95%以上）、多口策略的合理性。

6.3 100W 以上大功率市場

需支持多串電芯及更復(fù)雜的協(xié)議管理。

常見方案組合： “MCU + 協(xié)議芯片 + 升降壓控制器”三芯片方案，或?qū)榇蠊β试O(shè)計(jì)的高端SoC。

關(guān)注指標(biāo)： 多串電芯均衡能力、多協(xié)議同時(shí)輸出支持、保護(hù)功能完整性。

七、國產(chǎn)方案評估的實(shí)操要點(diǎn)

7.1 兼容性評估

Pin-to-Pin兼容性： 是否可直接替換，無需修改PCB；

軟件兼容性： 固件是否需要重寫，寄存器是否兼容；

性能對標(biāo)： 關(guān)鍵參數(shù)是否達(dá)到或接近原方案。

7.2 可靠性評估維度

ESD等級：建議HBM 2kV以上、CDM 500V以上；

工作溫度范圍：消費(fèi)級-20℃~85℃，工業(yè)級-40℃~125℃；

保護(hù)功能完整性：過壓、過流、短路、過溫、欠壓保護(hù)是否齊全；

批量應(yīng)用記錄：是否有大規(guī)模量產(chǎn)案例；

原廠品控體系：是否通過ISO9001等質(zhì)量體系認(rèn)證。

7.3 供應(yīng)鏈穩(wěn)定性考察

建議在選型時(shí)了解以下信息：

該芯片為常備庫存還是接單生產(chǎn)；

當(dāng)前交期情況，漲價(jià)期間是否有延長；

是否存在第二供應(yīng)商提供Pin-to-Pin兼容方案；

原廠是否有明確的產(chǎn)能保障措施。

7.4 從進(jìn)口方案切換的大致周期

若芯片原廠提供完整的參考設(shè)計(jì)（原理圖、PCB文件、BOM清單、固件源碼），且新方案與參考設(shè)計(jì)差異不大，從評估到小批量試產(chǎn)通?？稍?-8周內(nèi)完成。

八、小結(jié)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的價(jià)格調(diào)整是當(dāng)前全球供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)性變化的一個(gè)縮影。對于移動(dòng)電源行業(yè)而言，BOM成本上升的壓力客觀存在。

在這一背景下，高集成度SoC方案通過減少外圍元件、優(yōu)化PCB面積、縮短研發(fā)周期等方式，提供了一條在不犧牲性能的前提下控制綜合成本的路徑。深圳作為全球移動(dòng)電源產(chǎn)業(yè)鏈的核心聚集地，已積累了較為成熟的方案供給能力。

審核編輯 黃宇