onsemi FDMC86139P P-Channel MOSFET：高性能與可靠性的完美結合

在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的半導體器件，其性能直接影響著整個電路的表現(xiàn)。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）推出的FDMC86139P P-Channel MOSFET，看看它有哪些獨特之處。

文件下載：FDMC86139P-D.pdf

產品概述

FDMC86139P采用了安森美先進的POWERTRENCH技術，這種高密度工藝專為降低導通電阻和優(yōu)化開關性能而設計。它適用于多種應用場景，如主動鉗位開關和負載開關等。

關鍵特性

低導通電阻

這款MOSFET的導通電阻非常低，在 (V{GS}=-10V)、(I{D}=-4.4A) 時，最大 (r{DS(on)}) 僅為 (67mOmega)；在 (V{GS}=-6V)、(I{D}=-3.6A) 時，最大 (r{DS(on)}) 為 (89mOmega)。低導通電阻意味著在導通狀態(tài)下，器件的功耗更低，能夠有效提高電路的效率。

優(yōu)化的開關性能

該產品針對快速開關應用進行了優(yōu)化，具備較低的柵極電荷 (Q_{g})，這使得它在開關過程中能夠快速響應，減少開關損耗，提高開關速度。

高可靠性

FDMC86139P經(jīng)過了100%的UIL（非鉗位電感開關）測試，確保了其在實際應用中的可靠性。同時，該器件符合無鉛和RoHS標準，環(huán)保性能出色。

電氣特性

最大額定值

電氣參數(shù)

• 關斷特性：
  • 漏源擊穿電壓 (B{VDS})：在 (I{D}=-250mu A)、(V_{GS}=0V) 時為 -100V。
  • 擊穿電壓溫度系數(shù) (B_{VDS TJ})：-63mV/°C。
  • 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{DS}=-80V)、(V_{GS}=0V) 時小于 -1μA。
  • 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{GS}=±25V)、(V_{DS}=0V) 時為 ±100nA。
• 導通特性：
  • 柵源閾值電壓 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=-250mu A) 時為 -2 至 -4V。
  • 柵源閾值電壓溫度系數(shù) (V_{GS(th) TJ})：7mV/°C。
  • 靜態(tài)漏源導通電阻 (r{DS(on)})：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 條件下有不同的值，如 (V{GS}=-10V)、(I_{D}=-4.4A) 時為 56 - 67mΩ。
  • 正向跨導 (g{FS})：在 (V{DS}=-10V)、(I_{D}=-4.4A) 時為 12S。
• 動態(tài)特性：
  • 輸入電容 (C{iss})：在 (V{DS}=-50V)、(V_{GS}=0V)、(f = 1MHz) 時為 1001 - 1335pF。
  • 輸出電容 (C_{oss})：178 - 240pF。
  • 反向傳輸電容 (C_{rss})：10 - 15pF。
  • 柵極電阻 (R_{g})：0.1 - 3.2Ω。
• 開關特性：
  • 導通延遲時間 (t{d(on)})：在 (V{DD}=-50V)、(I{D}=-4.4A)、(V{GS}=-10V)、(R_{GEN}=6Omega) 時為 11 - 20ns。
  • 上升時間 (t_{r})：2.5 - 10ns。
  • 關斷延遲時間 (t_{d(off)})：17 - 30ns。
  • 下降時間 (t_{f})：4 - 10ns。
  • 總柵極電荷 (Q{g(TOT)})：在不同的 (V{GS}) 條件下有不同的值，如 (V{DD}=-50V)、(I{D}=-4.4A)、(V_{GS}=0V) 至 -10V 時為 16 - 22nC。
  • 柵源總電荷 (Q{gs})：在 (V{DD}=-50V)、(I_{D}=-4.4A) 時為 4.5nC。
  • 柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd})：3.2nC。
• 漏源二極管特性：
  • 源漏二極管正向電壓 (V{SD})：在不同的 (I{S}) 條件下有不同的值，如 (V{GS}=0V)、(I{S}=-4.4A) 時為 -0.84 至 -1.3V。
  • 反向恢復時間 (t{rr})：在 (I{F}=-4.4A)、(di/dt = 100A/mu s) 時為 70 - 112ns。
  • 反向恢復電荷 (Q_{rr})：141 - 225nC。

典型特性

通過一系列的典型特性曲線，我們可以更直觀地了解FDMC86139P的性能表現(xiàn)。例如，導通電阻與漏極電流、柵源電壓以及結溫的關系曲線，能夠幫助我們在不同的工作條件下選擇合適的參數(shù)；柵極電荷特性曲線則展示了器件在開關過程中的電荷變化情況。

封裝與訂購信息

FDMC86139P采用WDFN8 3.3x3.3, 0.65P封裝，這種封裝具有良好的散熱性能和較小的尺寸，適合在高密度的電路板上使用。訂購時，其卷盤尺寸為13”，膠帶寬度為12mm，每卷數(shù)量為3000個。

總結

onsemi的FDMC86139P P-Channel MOSFET憑借其低導通電阻、優(yōu)化的開關性能和高可靠性，成為了電子工程師在設計主動鉗位開關和負載開關等應用時的理想選擇。在實際應用中，我們可以根據(jù)具體的電路要求，合理選擇器件的工作參數(shù)，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。你在使用MOSFET時，有沒有遇到過一些特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。