突破 DDR 內存供電 3 大核心痛點！SQ24335：雙向灌拉 + 全 DDR 兼容的五大核心優(yōu)勢

DDR 內存終端供電需雙向灌拉電流支撐、小型化計算設備封裝與散熱空間受限、低噪聲系統(tǒng)要求外圍器件極簡且成本可控。作為設備供電的核心組件，電源管理芯片的穩(wěn)壓、穩(wěn)流、能效控制、安全防護能力直接決定終端產品的穩(wěn)定性、能效水平與小型化程度。作為矽力杰核心合作代理商，佰祥電子本期為您深度解析 SQ24335 電源管理芯片。

SQ24335 芯片核心功能

一、原生集成：一體化架構設計，適配 DDR 內存終端、計算設備、基站需求

SQ24335 并非簡單的控制電路與功率器件的組合拼接，而是立足于 DDR 內存終端、筆記本電腦、臺式機、服務器、基站全場景需求的一體化原生架構設計。芯片集成雙向灌拉電流控制電路、下垂補償電路、遠程電壓采樣電路、±10mA 緩沖參考輸出電路、開漏 PGOOD 監(jiān)測電路、EN 引腳放電電路、內置軟啟動電路、多重硬件保護電路。在 DFN3×3-10 帶熱焊盤緊湊封裝內實現了高集成、低成本、高能效、高可靠性的四重平衡，完美適配 DDR 內存終端、筆記本與服務器、基站的一站式解決方案。

SQ24335 引腳定義與功能標注圖

二、五大核心技術亮點，破解 DDR 供電設計痛點

SQ24335 支持 2.375V 至 3.5V VIN 輸入電壓、1.1V 至 3.5V VLDOIN 輸入電壓，具備雙向灌拉電流輸出能力，作為線性穩(wěn)壓器無開關頻率，內部集成下垂補償、遠程采樣、軟啟動、PGOOD 監(jiān)測與多重保護電路，采用 DFN3×3-10 帶熱焊盤小型封裝，可全面滿足 DDR 全系列內存終端的供電需求。

亮點一：核心精準調控技術

SQ24335 搭載遠程電壓采樣 VOSNS 引腳實現精準穩(wěn)壓，通過 REFIN 引腳可直接或經電阻分壓靈活跟蹤輸入電壓，REFOUT 輸出電壓與 REFIN 保持精準跟隨，誤差低至 ±15mV，輸出電壓相對參考的容差控制穩(wěn)定。

SQ24335 負載瞬態(tài)與啟動特性曲線

亮點二：全工況高效運行控制

芯片支持雙向灌拉電流工作模式完美匹配 DDR 終端需求，內置下垂補償電路優(yōu)化負載動態(tài)響應，僅需最小 20μF 輸出電容即可穩(wěn)定工作，大幅降低外圍器件成本與布局空間。

亮點三：輸出性能優(yōu)化功能

SQ24335 具備快速瞬態(tài)響應特性適配內存高頻負載變化，EN 引腳可實現 DDR S3 模式下 VTT 快速放電，REFOUT 提供 ±10mA 緩沖驅動能力，滿足內存參考電壓供電需求。

SQ24335 典型應用電路原理圖?

亮點四：超低啟動與靜態(tài)功耗

芯片 VIN 輸入欠壓鎖定閾值低至 2.375V 即可啟動，REFIN 欠壓鎖定閾值僅 390mV，空載狀態(tài)下 VIN 供電電流低至 0.7mA，關斷狀態(tài)下功耗控制優(yōu)異，適配設備低功耗運行需求。

亮點五：全維度硬件安全保護

芯片內置恒定過流限制保護電路，輸出超范圍時限流值自動減半，具備 VIN 輸入欠壓鎖定保護功能，內置 150℃熱關斷保護并搭配 20℃滯回機制，全方位保障芯片與內存系統(tǒng)安全運行。

SQ24335 DFN3×3-10 封裝尺寸圖

三、產品核心價值與定位

總體而言，SQ24335 絕非一款簡單的 “電源管理芯片”，而是矽力杰針對 DDR 內存終端、筆記本電腦、臺式機、服務器、基站場景，在高集成、低成本、高能效、高可靠性、小型化五大核心需求上做出的精準工程取舍，充分體現了矽力杰在電源管理芯片領域的深厚技術底蘊。該芯片可廣泛應用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3、DDR4 內存終端穩(wěn)壓，筆記本電腦、臺式機、服務器供電以及基站設備供電等終端產品。作為矽力杰的核心合作代理商，佰祥電子不僅提供原裝正品的 SQ24335 全系列芯片，更將持續(xù)結合客戶的實際產品應用場景，提供從器件選型、原理圖評審、PCB Layout 指導到系統(tǒng)級 Debug 的全方位技術支持，助力您的計算設備、通信基站在內存供電、服務器、通信領域實現更高效、更可靠的落地。隨著 DDR 內存向高頻、低電壓、小型化方向持續(xù)迭代，雙向灌拉型 DDR 終端穩(wěn)壓器成為內存供電的核心選型，SQ24335 憑借全 DDR 兼容、雙向灌拉、高集成小封裝的特性，成為各類計算與通信設備內存電源設計的優(yōu)選器件，有效簡化電路設計并提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

審核編輯 黃宇