onsemi FDMC8010DC MOSFET:性能卓越的功率器件
在電子工程師的設(shè)計(jì)工作中,MOSFET是不可或缺的功率器件。今天要為大家介紹的是安森美(onsemi)的FDMC8010DC N溝道MOSFET,它結(jié)合了先進(jìn)的POWERTRENCH工藝和DUAL COOL封裝技術(shù),具有出色的性能表現(xiàn)。
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一、基本概述
FDMC8010DC采用安森美先進(jìn)的POWERTRENCH工藝生產(chǎn),將硅技術(shù)和DUAL COOL封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)相結(jié)合,在保持出色開(kāi)關(guān)性能的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻 (r_{DS}(on)) ,并且具有極低的結(jié)到環(huán)境熱阻。
二、產(chǎn)品特性
2.1 封裝與導(dǎo)通電阻
采用DUAL COOL頂部散熱PQFN封裝,在 (V_{GS}=4.5 V) 、 (Ip = 32A) 時(shí),最大 (r{DS}(on)=1.74 mΩ) 。這種低導(dǎo)通電阻特性使得該MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中能夠有效降低功耗,提高效率。
2.2 高性能技術(shù)
具備高性能技術(shù),可實(shí)現(xiàn)極低的 (r_{DS}(on)) ,這對(duì)于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。同時(shí),該器件無(wú)鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
3.1 負(fù)載開(kāi)關(guān)
在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,F(xiàn)DMC8010DC能夠快速、可靠地切換負(fù)載,實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的有效控制。其低導(dǎo)通電阻特性可以減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。
3.2 電機(jī)橋開(kāi)關(guān)
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,作為電機(jī)橋開(kāi)關(guān),它能夠承受高電流和高電壓,確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。其良好的開(kāi)關(guān)性能可以減少電機(jī)的啟動(dòng)和停止時(shí)間,提高電機(jī)的響應(yīng)速度。
3.3 同步整流
在同步整流應(yīng)用中,F(xiàn)DMC8010DC可以替代傳統(tǒng)的二極管整流,降低整流損耗,提高電源的效率和功率密度。
四、電氣特性
4.1 最大額定值
| Symbol | Parameter | Ratings | Units |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | 漏源電壓 | 30 | V |
| (V_{GS}) | 柵源電壓 | ± 20 | V |
| (I_D) | 漏極電流 | A | |
| - 連續(xù)( (T_C = 25 °C) ) | 157 | ||
| - 連續(xù)( (T_C = 100 °C) ) | 99 | ||
| - 連續(xù)( (T_A = 25 °C) ) | 37 | ||
| - 脈沖 | 788 | ||
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 337 | mJ |
| (P_D) | 功率耗散( (T_C = 25 °C) ) | 50 | W |
| 功率耗散( (T_A = 25 °C) ) | 3.0 | ||
| (TJ, T{STG}) | 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 | -55 to +150 | °C |
4.2 電氣參數(shù)
在不同的測(cè)試條件下,F(xiàn)DMC8010DC具有一系列特定的電氣參數(shù)。例如,在 (ID = 250 μA) 、 (V{GS}=0 V) 時(shí),漏源擊穿電壓 (B{VDS}) 有相應(yīng)的數(shù)值;在 (V{GS}=V_{DS}) 、 (ID = 250 μA) 時(shí),柵源閾值電壓 (V{GS(th)}) 為1.0 - 1.4 V等。這些參數(shù)為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。
五、熱特性
| 熱特性對(duì)于MOSFET的性能和可靠性至關(guān)重要。FDMC8010DC的熱阻參數(shù)如下: | Symbol | Parameter | Ratings | Unit |
|---|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結(jié)到外殼(底部漏極)熱阻 | 2.5 | °C/W | |
| (R_{θJA}) | 結(jié)到環(huán)境熱阻(不同條件下) | |||
| - 條件a | 42 | °C/W | ||
| - 條件b | 105 | °C/W | ||
| - 條件c | 29 | °C/W | ||
| - 條件d | 40 | °C/W | ||
| - 條件e | 19 | °C/W | ||
| - 條件f | 23 | °C/W | ||
| - 條件g | 30 | °C/W | ||
| - 條件h | 79 | °C/W | ||
| - 條件i | 17 | °C/W | ||
| - 條件j | 26 | °C/W | ||
| - 條件k | 12 | °C/W | ||
| - 條件l | 16 | °C/W |
不同的熱阻數(shù)值對(duì)應(yīng)著不同的安裝條件,工程師可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的散熱方式,以確保MOSFET在安全的溫度范圍內(nèi)工作。
六、典型特性曲線
文檔中給出了一系列典型特性曲線,如導(dǎo)通區(qū)域特性曲線、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線等。這些曲線直觀地展示了FDMC8010DC在不同條件下的性能表現(xiàn),工程師可以通過(guò)這些曲線更好地了解器件的特性,優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。
七、總結(jié)
FDMC8010DC MOSFET憑借其先進(jìn)的工藝、出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為電子工程師在功率設(shè)計(jì)中的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的電路要求,合理選擇器件的參數(shù)和散熱方式,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用這款MOSFET時(shí),有沒(méi)有遇到過(guò)一些特殊的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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