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晶豐明源推出BP83323單級高PF恒壓電源解決方案

晶豐明源 ? 來源:晶豐明源 ? 2026-04-16 17:33 ? 次閱讀
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大功率電源適配器的應用場景正不斷拓寬,從數(shù)據(jù)中心供電、工業(yè)設備驅(qū)動到便捷式快充設備,市場對其高效率、高可靠性及小型化需求持續(xù)攀升,設計者們也隨之對大功率電源的性能提出了更高要求:在功率因數(shù)和效率上尋求突破的同時,實現(xiàn)更低的待機功耗,更優(yōu)的EMI性能以及更簡單的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。

晶豐明源推出新一代單級高PF恒壓控制器BP83323,該產(chǎn)品以第三代碳化硅(SiC)器件集成為核心,采用單級APFC + 反激恒壓輸出的創(chuàng)新拓撲架構(gòu),支持全電壓(90-264Vac)輸入,可實現(xiàn)高達150W的輸出功率,為高性能AC/DC電源設計提供了具備競爭力的解決方案。BP83323采用晶豐明源自研的ESOP10封裝,具備良好的散熱性能,可確保產(chǎn)品在高功率密度環(huán)境下長期穩(wěn)定運行。

39175ff2-3945-11f1-90a1-92fbcf53809c.png 圖1.BP83323芯片封裝圖

精簡拓撲結(jié)構(gòu),方案效能躍升

BP83323采用單級APFC+反激恒壓輸出架構(gòu),芯片內(nèi)部高度集成800V SiC功率MOSFET、功率因數(shù)(PF)控制核心、原邊反饋電路和高壓啟動模塊,從系統(tǒng)底層實現(xiàn)高功率因數(shù)與穩(wěn)定電壓輸出。

39744712-3945-11f1-90a1-92fbcf53809c.png 圖2.BP83323方案應用框圖

相較于傳統(tǒng)的“兩級PFC+反激”拓撲結(jié)構(gòu),這一單級結(jié)構(gòu)設計直接省去獨立的PFC前級電路與外部光耦反饋模塊,帶來三大直接優(yōu)勢:

BOM精簡:大幅減少外圍元器件數(shù)量,有效降低系統(tǒng)成本;

PCB布局緊湊:為高密度小型化電源設計釋放更多空間,適配多樣應用場景;

運行穩(wěn)定與可靠性增強:采用原邊反饋(PSR)架構(gòu),省去光耦輔助器件,簡化外圍電路的同時,實現(xiàn)高精度恒壓輸出,提升長期運行的穩(wěn)定性與可靠性。

目標應用領(lǐng)域

電源適配器

多口大功率快充電源

工業(yè)輔助電源

LED恒壓驅(qū)動電源

SiC技術(shù)深度加持,高效率成為標配

卓越的SiC高溫Rds(on)穩(wěn)定性

SiC材料的寬禁帶特性,賦予器件出色的高溫導通內(nèi)阻穩(wěn)定性。從以下測試曲線可以看出,相較于傳統(tǒng)硅基MOSFET,BP83323內(nèi)部集成的SiC MOSFET在不同溫度條件下仍能保持較為穩(wěn)定的Rdson 特性,即使在高溫環(huán)境下,其Rdson變化仍較小,有利于保證系統(tǒng)在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行。

39c80244-3945-11f1-90a1-92fbcf53809c.png 圖3.SiC高溫Rds(on)曲線

采用18V驅(qū)動優(yōu)化設計,充分釋放SiC潛能

針對SiC器件的驅(qū)動特性,BP83323采用18V優(yōu)化柵極驅(qū)動電壓設計。從以下曲線顯示,隨著Vgs的提升,SiC器件的Rdson呈明顯下降趨勢。當驅(qū)動電壓提升至18V時,器件已進入最佳導通狀態(tài)。因此BP83323采用18V作為驅(qū)動電壓,在降低導通損耗的同時兼顧了系統(tǒng)的可靠性,使SiC器件性能得到充分發(fā)揮。

3a1ba796-3945-11f1-90a1-92fbcf53809c.png 圖4.不同驅(qū)動電壓下的導通電阻

實測效率表現(xiàn):突破95%能效水平

效率是衡量電源方案性能的關(guān)鍵指標。依托內(nèi)部集成的800V SiC MOSFET與先進的拓撲控制,BP83323的效率表現(xiàn)非常亮眼。

3a794946-3945-11f1-90a1-92fbcf53809c.png 圖5.80W效率測試

在80W級別測試下,全電壓輸入范圍內(nèi),系統(tǒng)效率穩(wěn)定在94%以上區(qū)間;在150W級別測試下,系統(tǒng)峰值效率突破95%,這一數(shù)據(jù)表現(xiàn)已超越眾多傳統(tǒng)兩級架構(gòu)方案的整體效率水平。

3ad6abcc-3945-11f1-90a1-92fbcf53809c.png 圖6.150W效率測試不僅如此,BP83323內(nèi)置頻率折返控制技術(shù),可以在輕載和全載條件下保持高效率。系統(tǒng)在重載時工作于臨界導通模式(BCM),而在輕載時自動切換至斷續(xù)導通模式(DCM)并降低開關(guān)頻率,從而在輕負載下提升整體能效表現(xiàn)。

原邊反饋與高PF控制,共筑高品質(zhì)輸入性能

BP83323內(nèi)置增強型功率因數(shù)校正算法,配合BCM/DCM固定導通時間策略,使得輸入電流波形能有效接近正弦波。這使得方案在不同電壓輸入條件下,均能呈現(xiàn)高PF值與低THDi的優(yōu)良特性,輕松滿足IEC 61000-3-2及GB 17625.1諧波標準。此外,該控制方式對優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能具有積極作用,有效降低了后期EMI整改的復雜度。

全面保護功能,構(gòu)筑安全可靠的系統(tǒng)保障

在系統(tǒng)可靠性方面,BP83323提供例如一套全面且完整的保護功能。芯片內(nèi)置輸出短路保護、輸出過壓保護、過載保護、輸入欠壓保護、VCC欠/過壓保護及過溫保護等。這種覆蓋多種異常工況的保護體系,不僅提升了產(chǎn)品的長期穩(wěn)定性,也為整機安全性提供了強有力的硬件保障。

低待機功耗與靜音運行,優(yōu)化用戶體驗

在終端產(chǎn)品中,待機表現(xiàn)同樣是用戶關(guān)注的重要指標。BP83323 在輕載甚至無負載狀態(tài)下,系統(tǒng)待機能耗可低至 <150mW。同時,通過優(yōu)化功率控制環(huán)路,芯片有效抑制了開關(guān)噪聲與音頻噪聲,使產(chǎn)品整體運行更安靜、更舒適。這種“高效率 + 靜音 + 低待機功耗”的組合正是未來高效電源產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢之一。BP83323作為一款高度集成、具備高功率因數(shù)與低待機功耗的SiC單級恒壓控制器,通過“單級PFC架構(gòu)”與“集成SiC”的雙重創(chuàng)新,為AC/DC電源設計開辟了一條更簡潔、更高效、更可靠的電源架構(gòu)路線。它不僅以顯著的效率提升與BOM精簡助力客戶構(gòu)建差異化競爭優(yōu)勢,更精準契合了電源工程師對下一代高性能、高可靠性電源方案的核心訴求。

晶豐明源

上海晶豐明源半導體股份有限公司(股票代碼:688368),成立于2008年10月,是專業(yè)的電源管理和控制驅(qū)動芯片供應商。公司總部位于上海,在杭州、成都、南京、海南和香港設有子公司,在深圳、廈門、中山、東莞、蘇州等15個城市設有客戶支持中心。

晶豐明源專注于電源管理和電機控制芯片的研發(fā)和銷售,堅持自主創(chuàng)新,產(chǎn)品覆蓋AC/DC電源管理芯片、DC/DC電源管理芯片、電機控制驅(qū)動芯片、LED照明驅(qū)動芯片等,廣泛應用于家電、手機、個人電腦、服務器、基站、網(wǎng)通、汽車、智能照明、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

晶豐明源堅持“創(chuàng)芯助力智造,用心成就伙伴”的使命,為行業(yè)發(fā)展而拼搏,為國家強盛而立志,在技術(shù)領(lǐng)先的領(lǐng)域推動行業(yè)進步,在國產(chǎn)落后的領(lǐng)域奮力縮小差距,鑄就時代芯夢想!

*本文提及的測試結(jié)果是在實驗室條件下真實測試下得出,實際產(chǎn)品視應用環(huán)境和批次差異,可能會存在不同,晶豐明源保留最終解釋權(quán)

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原文標題:以SiC賦能大功率電源:晶豐明源推出BP83323單級高PF恒壓電源解決方案

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