數(shù)字化轉(zhuǎn)型（DX）和AI的迅猛發(fā)展，為社會帶來了巨大的便利，而支撐其運行的數(shù)據(jù)中心耗電量卻持續(xù)攀升。

為了助力解決這一社會課題，羅姆已將融合多年來積累的“功率電子”和“模擬”技術(shù)優(yōu)勢，更大程度地提高服務(wù)器能效當作使命。其中，服務(wù)器總功耗中占比較大的“電源”的效率提升，以及通過“電機”驅(qū)動的冷卻系統(tǒng)的進一步節(jié)能，是實現(xiàn)無碳社會的重要課題。

從業(yè)界先進的SiC（碳化硅）功率元器件，到可實現(xiàn)高精度控制的模擬IC以及各種分立器件，羅姆集這些產(chǎn)品的開發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售于一體，為客戶提供前瞻性的解決方案。

羅姆的半導體技術(shù)可高水平兼顧客戶服務(wù)器系統(tǒng)的“節(jié)能”和“小型化”需求，同時還有助于提高其可靠性。羅姆將與客戶攜手共創(chuàng)可持續(xù)發(fā)展的數(shù)字社會。

AI服務(wù)器主板（Server Board）

隨著生成式AI的普及和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，現(xiàn)代服務(wù)器面臨著前所未有的算力需求，以及隨之而來的功耗激增問題。要改善數(shù)據(jù)中心電源使用效率指標（PUE），從傳統(tǒng)12V分散式供電向48V集中式供電架構(gòu)的轉(zhuǎn)型，以及電源單元的小型化和效率提升已成為當務(wù)之急。

羅姆利用多年積累的高效電源IC技術(shù)，結(jié)合包括GaN（氮化鎵）器件在內(nèi)的高性能MOSFET，為客戶提供綜合解決方案。通過可充分激發(fā)產(chǎn)品特性的驅(qū)動技術(shù)，大幅降低功率轉(zhuǎn)換損耗。通過同時實現(xiàn)更低發(fā)熱量和更高功率密度，助力服務(wù)器主板的處理能力提升及節(jié)能降耗。

電源供應(yīng)單元（PSU）

羅姆可一站式提供下一代服務(wù)器PSU所需的全部電源解決方案。針對高電壓大電流化的一次側(cè)電路，可提供業(yè)界先進的SiC元器件和高速GaN元器件產(chǎn)品群，助力應(yīng)用產(chǎn)品大幅提升效率。另外，針對AI服務(wù)器等主流的50V輸出二次側(cè)整流用途，可提供80V耐壓等高性能LV MOS產(chǎn)品群，可將導通損耗降至超低水平。當然，羅姆還擁有性價比超高、也非常適用于圖騰柱PFC低速側(cè)開關(guān)應(yīng)用的豐富的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）產(chǎn)品群。

在這些種類繁多的產(chǎn)品群基礎(chǔ)上，羅姆還可提供系統(tǒng)層面的綜合解決方案，其中包括可更大程度激發(fā)產(chǎn)品性能的柵極驅(qū)動器和控制IC。這正是羅姆的優(yōu)勢所在。本頁面將介紹羅姆支撐未來AI數(shù)據(jù)中心的最新科技和解決方案。

備用電池單元（BBU）

在BBU（備用電池單元，用來在電源異常時保護數(shù)據(jù)）設(shè)計中，能夠充分發(fā)揮鋰離子電池性能的先進電池管理系統(tǒng)至關(guān)重要。羅姆提供可高精度監(jiān)測電池健康狀態(tài)（SoH）的電池電量監(jiān)控IC（電量計IC）等產(chǎn)品，助力BBU的小型化和可靠性提升。

此外，在保障服務(wù)器穩(wěn)定運行和可維護性的熱插拔電路中，能夠承受大電流負載的寬SOA（安全工作區(qū)）范圍至關(guān)重要。尤其是大量使用GPU的AI服務(wù)器，對其穩(wěn)定性的要求非常嚴苛。羅姆兼具寬SOA范圍和低導通電阻的100V耐壓功率MOSFET，可滿足其嚴苛要求，并可提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性。

羅姆不僅提供這類元器件級解決方案，還針對多樣化的電源架構(gòu)，提供滿足從傳統(tǒng)的12V/50V級電源，到可顯著改善數(shù)據(jù)中心整體節(jié)能性能的400V級HVDC（高壓直流供電）機架應(yīng)用需求的豐富產(chǎn)品群。