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FDD4685 40V P-Channel PowerTrench? MOSFET:高性能功率器件解析

lhl545545 ? 2026-04-17 16:05 ? 次閱讀
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FDD4685 40V P-Channel PowerTrench? MOSFET:高性能功率器件解析

電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天就來詳細(xì)介紹一款由 ON Semiconductor 推出的 FDD4685 40V P-Channel PowerTrench? MOSFET,深入了解它的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。

文件下載:FDD4685-D.pdf

一、背景與更名說明

Fairchild Semiconductor 已被 ON Semiconductor 整合,部分 Fairchild 可訂購的零件編號(hào)需要更改以符合 ON Semiconductor 的系統(tǒng)要求。由于 ON Semiconductor 產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線()的零件命名,F(xiàn)airchild 零件編號(hào)中的下劃線()將更改為破折號(hào)(-)。大家可通過 ON Semiconductor 網(wǎng)站核實(shí)更新后的器件編號(hào),最新的訂購信息可在 www.onsemi.com 上找到。若有關(guān)于系統(tǒng)集成的問題,可發(fā)郵件至 Fairchild_questions@onsemi.com。

二、產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

  • 在 (V{GS}=-10 V),(I{D}=-8.4 A) 時(shí),最大 (r{DS(on)}=27 mOmega);在 (V{GS}=-4.5 V),(I{D}=-7 A) 時(shí),最大 (r{DS(on)}=35 mOmega)。這種低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
  • 采用高性能溝槽技術(shù),實(shí)現(xiàn)極低的 (r_{DS(on)}),這是該 MOSFET 的一大亮點(diǎn)。

環(huán)保合規(guī)

該產(chǎn)品符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求,有助于工程師設(shè)計(jì)出符合環(huán)保法規(guī)的產(chǎn)品。

三、產(chǎn)品概述

FDD4685 是一款 P-Channel MOSFET,采用 Fairchild Semiconductor 的專有 PowerTrench? 技術(shù)生產(chǎn)。這種技術(shù)使得該 MOSFET 具有低 (r_{DS(on)}) 和良好的開關(guān)特性,能在應(yīng)用中提供卓越的性能。

四、應(yīng)用場(chǎng)景

  • 逆變器:在逆變器設(shè)計(jì)中,F(xiàn)DD4685 的低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)特性有助于提高逆變器的效率和性能。
  • 電源供應(yīng):適用于各種電源供應(yīng)電路,能有效降低功率損耗,提高電源的穩(wěn)定性和可靠性。

五、參數(shù)詳解

最大額定值

參數(shù) 符號(hào) 數(shù)值 單位
漏源電壓 (V_{DS}) -40 V
柵源電壓 (V_{GS}) ±20 V
連續(xù)漏極電流(封裝限制,(T_{C}=25^{circ}C)) (I_{D}) -32 A
連續(xù)漏極電流(硅片限制,(T_{C}=25^{circ}C)) (I_{D}) -40 A
連續(xù)漏極電流((T_{A}=25^{circ}C)) (I_{D}) -8.4 A
脈沖漏極電流 (I_{D}) -100 A
漏源雪崩能量 (E_{AS}) 121 mJ
功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) (P_{D}) 69 W
功率耗散(特定條件) (P_{D}) 3 W
工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 (T{J},T{STG}) -55 至 +150 °C

熱特性

參數(shù) 符號(hào) 數(shù)值 單位
結(jié)到外殼熱阻 (R_{theta JC}) 1.8 °C/W
結(jié)到環(huán)境熱阻 (R_{theta JA}) 40(特定條件) °C/W

電氣特性

關(guān)斷特性

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 (BV_{DSS}) (I{D} = –250 mu A),(V{GS} = 0V) -40 V
擊穿電壓溫度系數(shù) (Delta BV{DSS}/Delta T{J}) (I_{D} = –250 mu A),參考 25°C -33 mV/°C
零柵壓漏極電流 (I_{DSS}) (V{DS} = –32V),(V{GS} = 0V) -1 (mu A)
柵源泄漏電流 (I_{GSS}) (V{GS} = ±20V),(V{GS} = 0V) ±100 nA

導(dǎo)通特性

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
柵源閾值電壓 (V_{GS(th)}) (V{GS} = V{DS}),(I_{D} = –250 mu A) -1 -1.6 -3 V
柵源閾值電壓溫度系數(shù) (Delta V{GS(th)}/Delta T{J}) (I_{D} = –250 mu A),參考 25°C 4.9 mV/°C
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (r_{DS(on)}) (V{GS} = –10V),(I{D} = –8.4A) 23 27
(V{GS} = –4.5V),(I{D} = –7A) 30 35
(V{GS} = –10V),(I{D} = –8.4A),(T_{J} =125°C) 33 42
正向跨導(dǎo) (g_{FS}) (V{DS} = –5V),(I{D} = –8.4A) 23 S

動(dòng)態(tài)特性

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
輸入電容 (C_{iss}) (V{DS}=-20V),(V{GS}=0V),(f=1MHz) 1790 2380 pF
輸出電容 (C_{oss}) 260 345 pF
反向傳輸電容 (C_{rss}) 140 205 pF
柵極電阻 (R_{g}) (f=1MHz) 4 Ω

開關(guān)特性

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t_{d(on)}) (V{DD} = –20V),(I{D} = –8.4A),(V{GS} = –10V),(R{GEN} = 6 Ω) 8 16 ns
上升時(shí)間 (t_{r}) 15 27 ns
關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(off)}) 34 55 ns
下降時(shí)間 (t_{f}) 14 26 ns
總柵極電荷 (Q_{g(TOT)}) (V{DD}=–20V),(I{D} = –8.4A),(V_{GS} = –5V) 19 27 nC
柵源柵極電荷 (Q_{gs}) 5.6 nC
柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd}) 6.1 nC

漏源二極管特性

參數(shù) 符號(hào) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
源漏二極管正向電壓 (V_{SD}) (V{GS} = 0V),(I{S} = –8.4A) -0.85 -1.2 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (t_{rr}) (I_{F} = –8.4A),(di/dt = 100A/ mu s) 30 45 ns
反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr}) 31 47 nC

六、典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與外殼溫度的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線能幫助工程師更直觀地了解該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)。

七、封裝與訂購信息

器件標(biāo)記 器件 封裝 卷盤尺寸 膠帶寬度 數(shù)量
FDD4685 FDD4685 D-PAK(TO-252) 13’’ 16mm 2500 單位

八、注意事項(xiàng)

  • ON Semiconductor 保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改而不另行通知的權(quán)利。
  • 該公司不保證產(chǎn)品適用于任何特定用途,也不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任。
  • 買家需對(duì)使用 ON Semiconductor 產(chǎn)品的產(chǎn)品和應(yīng)用負(fù)責(zé),包括遵守所有法律法規(guī)和安全要求或標(biāo)準(zhǔn)。
  • “典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所不同,實(shí)際性能可能會(huì)隨時(shí)間變化,所有工作參數(shù)都必須由客戶的技術(shù)專家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。
  • ON Semiconductor 產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類似分類的外國(guó)醫(yī)療設(shè)備,或任何用于人體植入的設(shè)備。若買家將產(chǎn)品用于此類非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用,需承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,電子工程師們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮 FDD4685 的各項(xiàng)參數(shù)和特性,以確保設(shè)計(jì)出的電路能夠穩(wěn)定、高效地運(yùn)行。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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