探索 onsemi ECH8308 P 溝道 MOSFET：卓越性能與設(shè)計(jì)應(yīng)用
探索 onsemi ECH8308 P 溝道 MOSFET：卓越性能與設(shè)計(jì)應(yīng)用
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天我們就來(lái)深入了解 onsemi 推出的 ECH8308 單 P 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的性能特點(diǎn)和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
文件下載：ECH8308-D.PDF
一、產(chǎn)品概述
ECH8308 是一款適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)的 P 溝道 MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻的顯著特性，能夠在 1.8V 驅(qū)動(dòng)下高效工作，并且內(nèi)部集成了保護(hù)二極管。此外，它還是一款無(wú)鉛且無(wú)鹵化物的環(huán)保型器件，符合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)環(huán)保的要求。
二、絕對(duì)最大額定值
| 在使用 ECH8308 時(shí)，我們需要嚴(yán)格關(guān)注其絕對(duì)最大額定值，以確保器件的安全和可靠運(yùn)行。以下是各項(xiàng)參數(shù)的具體信息： | 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | $V_{DSS}$ | - | -12 | V | |
| 柵源電壓 | $V_{GSS}$ | - | ±10 | V | |
| 直流漏極電流 | $I_{D}$ | - | -10 | A | |
| 脈沖漏極電流 | $I_{DP}$ | $PWleq10 mu s$，占空比$leq1%$ | -40 | A | |
| 允許功率耗散 | $P_{D}$ | 安裝在陶瓷基板（$900 mm^2times0.8 mm$）上時(shí) | 1.6 | W | |
| 溝道溫度 | $T_{ch}$ | - | 150 | °C | |
| 存儲(chǔ)溫度 | $T_{stg}$ | - | -55 至 +150 | °C |
需要注意的是，如果超過(guò)這些最大額定值，可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。
三、電氣連接與訂購(gòu)信息
1. 電氣連接
ECH8308 的引腳定義如下： 1: 源極；2: 源極；3: 源極；4: 柵極；5: 漏極；6: 漏極；7: 漏極；8: 漏極。
2. 訂購(gòu)信息
| 器件 | 封裝 | 包裝方式 |
|---|---|---|
| ECH8308 - TL - H | SOT - 28FL / ECH8（無(wú)鉛且無(wú)鹵化物） | 3000 / 卷帶包裝 |
關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息，可參考《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。
四、電氣特性
| 在$Ta = 25^{circ}C$的條件下，ECH8308 的電氣特性如下： | 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | $V_{(BR)DSS}$ | $I{D} = -1 mA$，$V{GS} = 0 V$ | -12 | - | - | V | |
| 零柵壓漏極電流 | $I_{DSS}$ | $V{DS} = -12 V$，$V{GS} = 0 V$ | - | - | -10 | μA | |
| 柵源泄漏電流 | $I_{GSS}$ | $V{GS} = pm 8 V$，$V{DS} = 0 V$ | - | - | ±10 | μA | |
| 截止電壓 | $V_{GS(off)}$ | $V{DS} = -6 V$，$I{D} = -1 mA$ | -0.4 | - | -1.3 | V | |
| 正向傳輸導(dǎo)納 | $y_{fs}$ | $V{DS} = -6 V$，$I{D} = -4.5 A$ | 12 | 21 | - | S | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | $R_{DS(on)1}$ | $I{D} = -4.5 A$，$V{GS} = -4.5 V$ | - | 9.2 | 12.5 | mΩ | |
| $R_{DS(on)2}$ | $I{D} = -2 A$，$V{GS} = -2.5 V$ | - | 14 | 20 | mΩ | ||
| $R_{DS(on)3}$ | $I{D} = -1 A$，$V{GS} = -1.8 V$ | - | 22 | 33 | mΩ | ||
| 輸入電容 | $C_{iss}$ | $V_{DS} = -6 V$，$f = 1 MHz$ | - | 2300 | - | pF | |
| 輸出電容 | $C_{oss}$ | - | 720 | - | pF | ||
| 反向傳輸電容 | $C_{rss}$ | - | 550 | - | pF | ||
| 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | $t_{d(on)}$ | 見(jiàn)指定測(cè)試電路 | - | 24 | - | ns | |
| 上升時(shí)間 | $t_{r}$ | - | 130 | - | ns | ||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | $t_{d(off)}$ | - | 230 | - | ns | ||
| 下降時(shí)間 | $t_{f}$ | - | 195 | - | ns | ||
| 總柵極電荷 | $Q_{g}$ | $V{DS} = -6 V$，$V{GS} = -4.5 V$，$I_{D} = -10 A$ | - | 26 | - | nC | |
| 柵源電荷 | $Q_{gs}$ | - | 4.0 | - | nC | ||
| 柵漏“米勒”電荷 | $Q_{gd}$ | - | 7.1 | - | nC | ||
| 二極管正向電壓 | $V_{SD}$ | $I{S} = -10 A$，$V{GS} = 0 V$ | - | -0.79 | -1.2 | V |
這里需要提醒大家，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在所列測(cè)試條件下給出的，如果在不同條件下運(yùn)行，實(shí)際性能可能會(huì)有所不同。
五、圖表分析
文檔中還給出了多個(gè)圖表，包括$I{D}-V{DS}$、$I{D}-V{GS}$、$R{DS(on)}-V{GS}$等特性曲線。這些圖表能夠幫助我們更直觀地了解 ECH8308 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。例如，通過(guò)$R{DS(on)}-V{GS}$曲線，我們可以清晰地看到導(dǎo)通電阻隨柵源電壓的變化情況，這對(duì)于設(shè)計(jì)中合理選擇柵源電壓非常重要。大家不妨思考一下，如何根據(jù)這些曲線來(lái)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，以達(dá)到最佳的性能和效率呢？
六、機(jī)械封裝與尺寸
ECH8308 采用 SOT - 28FL / ECH8 封裝（CASE 318BF），詳細(xì)的機(jī)械尺寸信息可參考相關(guān)文檔。在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)，準(zhǔn)確的封裝尺寸對(duì)于布局和布線至關(guān)重要，大家在實(shí)際應(yīng)用中一定要仔細(xì)核對(duì)。
七、總結(jié)
ECH8308 作為一款性能優(yōu)異的 P 溝道 MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、1.8V 驅(qū)動(dòng)等特點(diǎn)，非常適合用于負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景。在使用過(guò)程中，我們要嚴(yán)格遵守其絕對(duì)最大額定值，根據(jù)實(shí)際工作條件合理選擇參數(shù)，并結(jié)合圖表信息進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。希望通過(guò)本文的介紹，能幫助大家更好地了解和應(yīng)用 ECH8308 這款器件。大家在實(shí)際使用中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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負(fù)載開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
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