onsemi ECH8690功率MOSFET：設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選

在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件。今天我們來(lái)深入探討一下onsemi推出的ECH8690功率MOSFET，它在眾多低導(dǎo)通電阻要求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

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產(chǎn)品概述

ECH8690采用了onsemi的 trench技術(shù)，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于降低導(dǎo)通電阻。它是一款互補(bǔ)雙MOSFET，包含N溝道和P溝道MOSFET，并且該器件是無(wú)鉛、無(wú)鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的，充分體現(xiàn)了環(huán)保理念。其封裝為SOT - 28FL/ECH8，引腳電氣連接和標(biāo)記圖等詳細(xì)信息在數(shù)據(jù)手冊(cè)中有說(shuō)明。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

這是該產(chǎn)品的一大亮點(diǎn)，低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。在不同的測(cè)試條件下，N溝道和P溝道的導(dǎo)通電阻都有出色的表現(xiàn)。例如，N溝道在(I{D}=2A)，(V{GS}=10V)時(shí)，典型導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})為42mΩ，最大為55mΩ；P溝道在(I{D}=-1A)，(V{GS}=-10V)時(shí)，典型導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})為73mΩ，最大為94mΩ。

保護(hù)二極管內(nèi)置

內(nèi)置的保護(hù)二極管可以為電路提供額外的保護(hù)，防止反向電壓對(duì)MOSFET造成損壞，增強(qiáng)了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

4V驅(qū)動(dòng)能力

支持4V驅(qū)動(dòng)，這意味著在一些低電壓驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，該MOSFET能夠很好地適配，為設(shè)計(jì)帶來(lái)了更多的靈活性。

電氣參數(shù)

絕對(duì)最大額定值

在(T{A}=25^{circ}C)的條件下，N溝道的漏源電壓(V{DSS})最大為60V，P溝道為 - 60V；柵源電壓(V{GSS})最大為±20V；N溝道的直流漏極電流(I{D})最大為4.7A，P溝道為 - 3.5A；脈沖漏極電流(I{DP})在PW≤10μs，占空比≤1%的條件下，N溝道和P溝道均為30A。此外，在安裝在特定陶瓷基板（(1200mm^2×0.8mm)）上時(shí)，允許的功率耗散(P{D})為1.5W，總耗散(P{T})為1.8W，通道溫度(T{ch})最大為150°C，存儲(chǔ)溫度(T_{stg})范圍為 - 55°C到 + 150°C。需要注意的是，超過(guò)這些最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

在不同的測(cè)試條件下，N溝道和P溝道呈現(xiàn)出不同的電氣特性。以N溝道為例，漏源擊穿電壓(V{(BR)DSS})在(I{D}=1mA)，(V{GS}=0V)時(shí)為60V；零柵壓漏極電流(I{loss})在(V{DS}=60V)，(V{GS}=0V)時(shí)最大為1μA；柵源泄漏電流(I{GSS})在(V{GS}=±16V)，(V_{DS}=0V)時(shí)最大為±10μA等。P溝道也有相應(yīng)的類(lèi)似參數(shù)。這些參數(shù)為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。

典型特性

數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出了一系列典型特性曲線，如(I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A})等曲線。這些曲線直觀地展示了該MOSFET在不同電壓、電流和溫度條件下的性能表現(xiàn)。例如，(R{DS(on)}-V{GS})曲線可以幫助工程師了解導(dǎo)通電阻隨柵源電壓的變化情況，從而在設(shè)計(jì)時(shí)選擇合適的柵源電壓來(lái)獲得所需的導(dǎo)通電阻。

應(yīng)用與注意事項(xiàng)

應(yīng)用

由于其低導(dǎo)通電阻和良好的電氣性能，ECH8690適用于各種需要低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用，如電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

注意事項(xiàng)

因?yàn)镋CH8690是MOSFET產(chǎn)品，在使用時(shí)要避免在高電荷物體附近使用。如果用于指定應(yīng)用以外的場(chǎng)景，需要聯(lián)系銷(xiāo)售部門(mén)。

總之，onsemi的ECH8690功率MOSFET以其出色的性能和環(huán)保特性，為電子工程師在電路設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師們可以根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，結(jié)合其電氣參數(shù)和典型特性，充分發(fā)揮該MOSFET的優(yōu)勢(shì)。大家在使用這款MOSFET的過(guò)程中，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。