onsemi NTJD4158C和NVJD4158C MOSFET器件介紹

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天給大家介紹onsemi推出的兩款小信號互補MOSFET——NTJD4158C和NVJD4158C，它們具有出色的性能和特點，適用于多種應(yīng)用場景。

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產(chǎn)品特點

低導(dǎo)通電阻性能

采用領(lǐng)先的20V溝槽技術(shù)，有效降低了導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)})，這意味著在電路中能夠減少功率損耗，提高能源效率。對于對功耗要求較高的設(shè)備，如便攜式電子設(shè)備，這種低導(dǎo)通電阻特性尤為重要。

ESD保護

具備ESD保護的柵極，增強了器件的抗靜電能力，減少了因靜電放電而損壞器件的風(fēng)險，提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。在實際應(yīng)用中，特別是在容易產(chǎn)生靜電的環(huán)境中，ESD保護功能能夠為電路提供額外的保障。

小尺寸封裝

采用SC - 88封裝，尺寸僅為2 x 2 mm，具有小尺寸、節(jié)省空間的特點。這使得它非常適合用于對空間要求較高的小型設(shè)備，如手機、MP3、數(shù)碼相機和PDA等。

汽車級應(yīng)用

NV前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他對生產(chǎn)地點和控制變更有特殊要求的應(yīng)用。這些產(chǎn)品經(jīng)過AEC - Q101認證，具備PPAP能力，能夠滿足汽車電子等領(lǐng)域?qū)煽啃院唾|(zhì)量的嚴(yán)格要求。

環(huán)保特性

這些器件是無鉛、無鹵素/BFR的，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，體現(xiàn)了環(huán)保理念，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對環(huán)保的要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

• DC - DC轉(zhuǎn)換：在直流到直流的電源轉(zhuǎn)換電路中，NTJD4158C和NVJD4158C可以有效地實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換，提高電源效率。
• 負載/電源管理：能夠?qū)ω撦d和電源進行有效的管理，確保電路的穩(wěn)定運行。
• 負載開關(guān)：作為負載開關(guān)使用時，可以快速、可靠地控制負載的通斷。
• 消費電子設(shè)備：適用于手機、MP3、數(shù)碼相機、PDA等消費電子產(chǎn)品，為這些設(shè)備的電源管理和開關(guān)控制提供支持。

電氣特性

最大額定值

電氣特性參數(shù)

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V_{(BR)DSS})：N - Ch為30 V，P - Ch為 - 20 V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)：N - Ch為33 mV/°C，P - Ch為 - 9.0 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I_{DSS})：在不同溫度和電壓條件下有相應(yīng)的規(guī)定值。
• 柵源泄漏電流 (I_{GSS})：N - Ch和P - Ch在特定條件下的最大值為1.0 μA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 (V_{GS(TH)})：N - Ch為0.8 - 1.5 V，P - Ch為 - 0.45 - - 1.5 V。
• 負柵極閾值溫度系數(shù)：N - Ch為3.2 mV/°C，P - Ch為 - 2.7 mV/°C。
• 漏源導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)})：在不同的柵源電壓和漏極電流條件下有不同的值，如N - Ch在 (V_{GS} = 4.5 V)，(I_D = 10 mA) 時，典型值為1.0 Ω，最大值為1.5 Ω。
• 正向跨導(dǎo) (g_{fs})：N - Ch在 (V_{DS} = 3.0 V)，(ID = 10 mA) 時，典型值為0.08 S；P - Ch在 (V{DS} = - 10 V)，(I_D = - 0.88 A) 時，典型值為3.0 S。

電荷、電容和柵極電阻

包括輸入電容 (C{ISS})、輸出電容 (C{OSS})、反向傳輸電容 (C{RSS})、總柵極電荷 (Q{G(TOT)})、閾值柵極電荷 (Q{G(TH)})、柵源電荷 (Q{GS}) 和柵漏電荷 (Q_{GD}) 等參數(shù)，這些參數(shù)對于分析MOSFET的開關(guān)特性和動態(tài)性能非常重要。

開關(guān)特性

給出了N - Ch和P - Ch的導(dǎo)通延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間和下降時間等參數(shù)，這些參數(shù)反映了MOSFET的開關(guān)速度和響應(yīng)特性。

漏源二極管特性

包括正向二極管電壓 (V{SD}) 和反向恢復(fù)時間 (t{rr}) 等參數(shù)，對于了解MOSFET的二極管特性和在電路中的應(yīng)用有重要意義。

訂購信息

需要注意的是，部分器件已經(jīng)停產(chǎn)，如NTJD4158CT2G。在訂購時，請參考數(shù)據(jù)表第5頁的詳細訂購、標(biāo)記和運輸信息。

總結(jié)

onsemi的NTJD4158C和NVJD4158C MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、小尺寸封裝、ESD保護等特點，為電子工程師在設(shè)計電路時提供了一個可靠的選擇。無論是在消費電子還是汽車電子等領(lǐng)域，這些器件都能夠發(fā)揮重要的作用。在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路需求和性能要求，合理選擇和使用這些器件。你在使用類似MOSFET器件時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。