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Onsemi BS170和MMBF170場(chǎng)效應(yīng)晶體管深度解析

我快閉嘴 ? 2026-04-20 14:15 ? 次閱讀
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Onsemi BS170和MMBF170場(chǎng)效應(yīng)晶體管深度解析

一、引言

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。Onsemi的BS170和MMBF170 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,憑借其出色的性能和可靠性,成為了眾多工程師的首選。今天,我們就來(lái)深入了解一下這兩款產(chǎn)品。

文件下載:MMBF170-D.PDF

二、產(chǎn)品概述

2.1 技術(shù)與設(shè)計(jì)

BS170和MMBF170采用了Onsemi專有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種技術(shù)使得產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上能夠有效降低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)具備堅(jiān)固、可靠和快速開(kāi)關(guān)的性能。

2.2 應(yīng)用場(chǎng)景

這兩款產(chǎn)品適用于大多數(shù)直流電流高達(dá)500 mA的應(yīng)用。尤其在低電壓、低電流的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色,例如小型伺服電機(jī)控制、功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以及其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

三、產(chǎn)品特性

3.1 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)

高密度單元設(shè)計(jì)使得RDS(ON)極低,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,晶體管的功率損耗更小,效率更高。

3.2 電壓控制小信號(hào)開(kāi)關(guān)

作為電壓控制的小信號(hào)開(kāi)關(guān),能夠精確地控制電路的通斷,響應(yīng)速度快,滿足各種快速開(kāi)關(guān)的需求。

3.3 堅(jiān)固可靠

產(chǎn)品具備較高的飽和電流能力,能夠承受一定的電流沖擊,保證了在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性。

3.4 無(wú)鉛設(shè)計(jì)

符合環(huán)保要求,是綠色電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

四、產(chǎn)品規(guī)格

4.1 絕對(duì)最大額定值

在環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ} C) 時(shí),漏源電壓(VDGR)最大為60 V,連續(xù)漏極電流(ID)有相應(yīng)規(guī)定,同時(shí)對(duì)于焊接目的,距離管殼1/16"處10秒的最大引線溫度為300°C。需要注意的是,超過(guò)這些最大額定值可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。

4.2 熱特性

最大功耗和熱阻等熱特性參數(shù)也有明確規(guī)定。例如,熱阻(結(jié)到環(huán)境)為417 °C/W,這對(duì)于評(píng)估器件在工作時(shí)的散熱情況非常重要。

4.3 電氣特性

  • 關(guān)斷特性:包括漏源擊穿電壓(BVDSS)、零柵壓漏極電流(IDSS)和柵 - 體正向泄漏電流(IGSSF)等參數(shù)。例如,BVDSS在VGS = 0 V,ID = 100 μA時(shí),所有型號(hào)的最小值為60 V。
  • 導(dǎo)通特性:如柵源閾值電壓(VGS(th))和導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。VGS(th)在VDs = VGS,ID = 1 mA時(shí),典型值在0.8 - 3 V之間;RDS(ON)在VGS = 10 V,ID = 200 mA時(shí),有具體的數(shù)值范圍。
  • 動(dòng)態(tài)特性:輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)和反向傳輸電容(Crss)等參數(shù)描述了器件的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性。例如,Ciss在VDS = 10 V,VGS = 0 V時(shí),典型值為24 - 40 pF。
  • 開(kāi)關(guān)特性:在特定的測(cè)試條件下,如VGS = 10 V,RGEN = 25 Ω等,給出了開(kāi)關(guān)時(shí)間等參數(shù),對(duì)于評(píng)估器件的開(kāi)關(guān)速度非常關(guān)鍵。

五、典型電氣特性圖表

文檔中提供了一系列典型電氣特性圖表,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、導(dǎo)通電阻隨柵極電壓和漏極電流的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、轉(zhuǎn)移特性等。這些圖表能夠幫助工程師更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn),從而更好地進(jìn)行電路設(shè)計(jì)

六、訂購(gòu)信息

6.1 可用型號(hào)

提供了不同封裝和引腳排列的型號(hào),如BS170有TO - 92封裝,包括直引腳和成型引腳;MMBF170采用SOT - 23封裝。不同型號(hào)的包裝和運(yùn)輸方式也有所不同,例如BS170有10,000個(gè)/散裝,也有2,000個(gè)/卷帶包裝。

6.2 停產(chǎn)型號(hào)

文檔中也列出了一些已停產(chǎn)的型號(hào),如BS170 - D74Z和BS170 - D75Z等。對(duì)于這些停產(chǎn)型號(hào),工程師需要注意其可用性,并及時(shí)與Onsemi代表聯(lián)系獲取最新信息。

七、機(jī)械尺寸

文檔詳細(xì)給出了TO - 92和SOT - 23封裝的機(jī)械尺寸圖和相關(guān)參數(shù),包括各個(gè)尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值。這對(duì)于PCB設(shè)計(jì)和器件安裝非常重要,確保器件能夠正確地安裝在電路板上。

八、總結(jié)與思考

Onsemi的BS170和MMBF170場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其優(yōu)秀的性能和豐富的特性,為電子工程師提供了可靠的選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,仔細(xì)考慮器件的各項(xiàng)參數(shù),合理選擇合適的型號(hào)。同時(shí),要關(guān)注器件的熱特性和開(kāi)關(guān)特性,確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用這兩款器件時(shí),有沒(méi)有遇到過(guò)一些特殊的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享。

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