6P3P單端A類電子管功放電路,6P3P Vacuum Tube Amplifier
關鍵字:6P3P單端A類電子管功放電路
線路簡介
1.輸入電壓放大級
SRPP電路(亦稱并聯(lián)調(diào)整式推挽電路)是一種深受推崇的電路,該電路具有失真小、噪聲低、頻響寬等特點,是目前電子管功放電路中常見的優(yōu)秀線路之一。
電路見圖。VT1、VT2直流通路串聯(lián)。VT1構(gòu)成普通的三極管共陰放大器,VTr2構(gòu)成陰極輸出器,對VT1而言VT2是一個帶電流負反饋的高阻負載。音頻信號由6N3(3)腳輸入,經(jīng)VT1共陰放大后從第④腳輸出,進入VT2構(gòu)成的陰極輸出器,然后由VT2⑧腳輸出。進入后級電路。vT2接成陰極輸出器形式,其電壓放大倍數(shù)接近于1,故輸入級SRPP電路的電壓放大倍數(shù)主要取決于VT1。同時,VTl、VT2交流通路對輸入級負載電阻R4(即功率輸出級VT3的柵極電阻)而言等效為“并聯(lián)”,相對使單管共陰放大電路內(nèi)阻降低一半,帶負載能力大為提高,易于和低阻負載匹配,音質(zhì)因此有較大改善。又因為VT1、VT2對R4負載來說是推挽工作,輸出電流增大一倍,失真也有所降低。C1是VTl的陰極交流旁路電容。避免R3對交流信號起交流電流負反饋作用,提高輸入級交流放大倍數(shù),改善輸入級對VT3的驅(qū)動能力。
R3上的壓降2.6V,作為VT1的柵負偏壓,此負壓比現(xiàn)代數(shù)碼音源輸出信號振幅大1.5V,避開了6N3動態(tài)陽一柵特性曲線的非線性部分。輸入級電壓放大倍數(shù)為:A=u·R4/(Ri/2+R4)=35·360k/(5.8k/2+360k)≈35倍。其中u為6N3放大系數(shù),值為35;Ri為6N3內(nèi)阻,值為5.8k.

2.功率輸出級
功率管6P3P采用標準接法,信號由控制柵極(⑤腳)輸入,簾柵極(④腳)與電源+B1直接相連。這種接法的特點是:放大效率高。能達到特性表中功放管所規(guī)定的輸出功率。R6為輸出級陰極電阻,將輸出級柵負壓確定在-20V。6P3P屏極電壓為290V,柵負壓為-20V,屏流為50mA,作A類放大,輸出功率約為5 5W,基本滿足一般家居環(huán)境放音的要求。
功率管6P3P采用標準接法,信號由控制柵極(⑤腳)輸入,簾柵極(④腳)與電源+B1直接相連。這種接法的特點是:放大效率高。能達到特性表中功放管所規(guī)定的輸出功率。R6為輸出級陰極電阻,將輸出級柵負壓確定在-20V。6P3P屏極電壓為290V,柵負壓為-20V,屏流為50mA,作A類放大,輸出功率約為5 5W,基本滿足一般家居環(huán)境放音的要求。
3.電源電路
電源電路采用傳統(tǒng)的電子管整流,CLC-π型濾波器,既保持了傳統(tǒng)膽機的音樂韻味,也使整機音色達到和諧與平衡。
由電源變壓器次級輸出的雙250V電壓經(jīng)523P全波整流,輸出100Hz的單向脈動直流經(jīng)C6、L1、C7組成的CLC-π濾波器得到平穩(wěn)的直流高壓。電子管整流在開機時經(jīng)歷預熱過程而無高壓沖擊,具有保護電子管的作用,這一點在功放電路使用天價電子管時顯得尤為重要。CLC—π型濾波方式濾波效果好,電源內(nèi)阻低,對降低噪音,提高整機動態(tài)有極大的益處。R7、R8的作用是保護C6。R9為高阻值的高壓泄放電阻,防止開機高壓的峰值脈沖電壓對功率管和輸出變壓器的沖擊。
輸出變壓器的制作
輸出變壓器是電子管功放電路的重要部件。如果自制條件不具備,可以構(gòu)買成品。本機所用輸出變壓器的具體參數(shù)見圖2。鐵芯為22×33冷軋硅鋼片,初極共3300圈,分兩層,線徑為O 18mm;次級共172圈,分三層,所用線徑為0.82mm。EI硅鋼片所留空氣隙為O.08mm、最大工作電流70mA、功率為8.5W。

制作與調(diào)試
本機線路簡潔,所用元件較少,可采用搭棚焊接,制作調(diào)試簡單,成功率高。
制作時可以先焊接電源與燈絲供電部分,電源正常之后再焊接放大電路,要注意的是,電源空載時,電壓稍高,電容耐壓一定要滿足圖-1的要求。該圖所標注的幾個測試點電壓是本人制作時的實測電壓,可作為制作時的參考,在電網(wǎng)電壓變動不大時,應接近上述測試值,這樣成功就不在話下。R2、R3、R4、R6可改變整機工作狀態(tài), 制作過程中要引起注意,尤其是R2、R3誤差不能太大,否則vTl④腳直流電壓就可能不等于+B2電壓的一半。
本機實測輸出功率為5.5W左右,音質(zhì)清純圓潤,對揚聲器有良好的控制力,且膽味濃郁,音樂感十足。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
Onsemi NTF6P02、NVF6P02 P溝道MOSFET的特性與應用
Onsemi NTF6P02、NVF6P02 P溝道MOSFET的特性與應用 在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET作為常用的功率器件,其性能表現(xiàn)對整個
onsemi NTMD3P03和NVMD3P03 MOSFET:高性能雙P溝道解決方案
onsemi NTMD3P03和NVMD3P03 MOSFET:高性能雙P溝道解決方案 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率開關元件,其性能直接影響到整個
深入解析 NTMFS003P03P8Z P 溝道 MOSFET
深入解析 NTMFS003P03P8Z P 溝道 MOSFET 在電子設計領域,MOSFET 作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來詳細探討 onsemi 推出
安森美單P溝道功率MOSFET NVMFS3D0P04M8L:性能剖析與應用指南
眾多電子工程師的理想之選。今天我就結(jié)合實際應用,對這款MOSFET的關鍵特性、參數(shù)及典型特征進行全面分析,為大家在電路設計中提供參考。 文件下載: NVMFS3D0P04M8L-D.PDF 核心特性 低
Onsemi NVMFS9D6P04M8L P溝道MOSFET:高效與緊湊的完美結(jié)合
NVMFS9D6P04M8L是一款單P溝道功率MOSFET,具有 -40V 的耐壓能力,最大連續(xù)漏極電流可達 -77A。其低導通電阻(RDS(on))和低電容的特性,使得它在降低傳導
深入解析 onsemi NVMFS9D6P04M8L P 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi NVMFS9D6P04M8L P 溝道 MOSFET 在電子設計領域,MOSFET 是不可或缺的功率器件,其性能直接影響電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們來深入了解
探索NVTFS9D6P04M8L P溝道MOSFET:特性、參數(shù)與應用考量
探索NVTFS9D6P04M8L P溝道MOSFET:特性、參數(shù)與應用考量 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率開關器件,其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了
探索FQD3P50 P溝道MOSFET:性能、特性與應用
探索FQD3P50 P溝道MOSFET:性能、特性與應用 在電子設計領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)是至關重要的元件,廣泛應用于各種
深入解析Onsemi FQD3P50 P溝道MOSFET
深入解析Onsemi FQD3P50 P溝道MOSFET 引言 在電子設計的世界里,功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件。Onsemi的FQD3P50
探索Broadcom HL3P - 6xC0 - 000xx雙色LED燈的奧秘
探索Broadcom HL3P - 6xC0 - 000xx雙色LED燈的奧秘 在電子設備的設計中,指示燈的選擇至關重要,它不僅要滿足功能需求,還要考慮到成本、易用性等多方面因素。今天,我們就來詳細
探索P3H244x/P3H284x I3C Hub:多端口連接的理想之選
探索P3H244x/P3H284x I3C Hub:多端口連接的理想之選 在電子設備設計中,高效的總線連接和靈活的端口配置至關重要。NXP Semiconductors推出的
星海P4KE與P6KE兩大系列TVS管性能與應用的深度剖析
電子設備日益復雜的今天,電路保護已成為確保設備穩(wěn)定運行和延長使用壽命的關鍵因素,TVS管成為了眾多電子設備制造商的首選保護元件。作為星海代理商的南山
6P3P單端A類電子管功放電路,6P3P Vacuum Tube Amplifier
評論