chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

FGY100T120RWD IGBT:高效能電力開關(guān)的理想之選

lhl545545 ? 2026-04-22 15:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

FGY100T120RWD IGBT:高效能電力開關(guān)的理想之選

引言

在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導體器件,廣泛應用于電機控制、UPS、數(shù)據(jù)中心等眾多領(lǐng)域。今天,我們就來深入了解一款性能卓越的IGBT產(chǎn)品——FGY100T120RWD。

文件下載:FGY100T120RWD-D.PDF

產(chǎn)品概述

FGY100T120RWD采用了新穎的場截止第7代IGBT技術(shù)和Gen7二極管,封裝形式為TO247 - 3L。這種組合使得該產(chǎn)品在各種應用中都能實現(xiàn)高效運行,具備低傳導損耗和良好的開關(guān)可控性。

產(chǎn)品特性

低損耗與優(yōu)化開關(guān)

FGY100T120RWD具有低傳導損耗,能夠有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率。同時,其優(yōu)化的開關(guān)特性使得開關(guān)過程更加穩(wěn)定和高效。

高結(jié)溫能力

該產(chǎn)品的最大結(jié)溫可達175°C,這意味著它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應各種惡劣的工作條件。

正溫度系數(shù)

正溫度系數(shù)特性使得多個FGY100T120RWD器件可以輕松并聯(lián)運行,提高系統(tǒng)的功率處理能力。

高電流能力

具備高電流能力,能夠滿足高功率應用的需求。

動態(tài)測試與短路額定

所有產(chǎn)品都經(jīng)過100%動態(tài)測試,并且具有短路額定能力,提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

RoHS合規(guī)

符合RoHS標準,環(huán)保性能良好。

應用領(lǐng)域

電機控制

在電機控制領(lǐng)域,F(xiàn)GY100T120RWD的低損耗和良好的開關(guān)特性能夠提高電機的運行效率和控制精度。

UPS

對于UPS系統(tǒng),該產(chǎn)品的高可靠性和高電流能力能夠確保系統(tǒng)在緊急情況下穩(wěn)定供電。

高功率開關(guān)應用

適用于各種需要高功率開關(guān)的通用應用場景。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

參數(shù) 符號 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCES 1200 V
柵極 - 發(fā)射極電壓 VGES ±20 V
瞬態(tài)柵極 - 發(fā)射極電壓 ±30 V
集電極電流(TC = 25°C) IC 200 A
集電極電流(TC = 100°C) 100 A
功率耗散(TC = 25°C) PD 1071 W
功率耗散(TC = 100°C) 535 W
脈沖集電極電流(TC = 25°C, tp = 10 s) ICM 300 A
二極管正向電流(TC = 25°C) IF 200 A
二極管正向電流(TC = 100°C) 100 A
脈沖二極管正向電流(TC = 25°C, tp = 10 s) IFM 300 A
短路耐受時間(VGE = 15 V, VCC = 600 V, TC = 150°C) TSC 5 s
工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 TJ, TSTG -55 to 175 °C
焊接用引腳溫度 TL 260 °C

電氣特性

IGBT電氣特性

參數(shù) 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 BVCES VGE = 0 V, IC = 5 mA 1200 - - V
擊穿電壓溫度系數(shù) BVCES / TJ VGE = 0 V, IC = 5 mA - 1221 - mV/°C
集電極 - 發(fā)射極截止電流 ICES VGE = 0 V, VCE = VCES - - 40 μA
柵極 - 發(fā)射極泄漏電流 IGES VGE = 20 V, VCE = 0 V - - ±400 nA
柵極 - 發(fā)射極閾值電壓 VGE(TH) VGE = VCE, IC = 100 mA 4.9 5.92 6.7 V
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(TJ = 25°C) VCE(SAT) VGE = 15 V, IC = 100 A 1.15 1.43 1.75 V
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(TJ = 175°C) VGE = 15 V, IC = 100 A - 1.66 - V
輸入電容 CIES VCE = 30 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 12200 - pF
輸出電容 COES - 392 - pF
反向傳輸電容 CRES - 44.2 - pF
總柵極電荷 QG VCE = 600 V, VGE = 15 V, IC = 100 A - 427 - nC
柵極到發(fā)射極電荷 QGE - 108 - nC
柵極到集電極電荷 QGC - 161 - nC
開通延遲時間(IC = 50 A, TJ = 25°C) td(on) VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 - 74 - ns
關(guān)斷延遲時間(IC = 50 A, TJ = 25°C) td(off) - 464 - ns
上升時間(IC = 50 A, TJ = 25°C) tr - 45 - ns
下降時間(IC = 50 A, TJ = 25°C) tf - 196 - ns
開通開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) Eon - 3.43 - mJ
關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) Eoff - 4.54 - mJ
總開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) Ets - 7.97 - mJ
開通延遲時間(IC = 100 A, TJ = 25°C) td(on) VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 - 80 - ns
關(guān)斷延遲時間(IC = 100 A, TJ = 25°C) td(off) - 364 - ns
上升時間(IC = 100 A, TJ = 25°C) tr - 85 - ns
下降時間(IC = 100 A, TJ = 25°C) tf - 180 - ns
開通開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) Eon - 8.13 - mJ
關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) Eoff - 7.05 - mJ
總開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) Ets - 15.18 - mJ
開通延遲時間(IC = 50 A, TJ = 175°C) td(on) VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 - 70 - ns
關(guān)斷延遲時間(IC = 50 A, TJ = 175°C) td(off) - 536 - ns
上升時間(IC = 50 A, TJ = 175°C) tr - 50 - ns
下降時間(IC = 50 A, TJ = 175°C) tf - 348 - ns
開通開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) Eon - 5.58 - mJ
關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) Eoff - 6.83 - mJ
總開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) Ets - 12.41 - mJ
開通延遲時間(IC = 100 A, TJ = 175°C) td(on) VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 - 78 - ns
關(guān)斷延遲時間(IC = 100 A, TJ = 175°C) td(off) - 412 - ns
上升時間(IC = 100 A, TJ = 175°C) tr - 93 - ns
下降時間(IC = 100 A, TJ = 175°C) tf - 316 - ns
開通開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) Eon - 12.00 - mJ
關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) Eoff - 10.30 - mJ
總開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) Ets - 22.30 - mJ

二極管特性

參數(shù) 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
二極管正向電壓(TJ = 25°C) VF IF = 100 A 1.46 1.80 2.08 V
二極管正向電壓(TJ = 175°C) IF = 100 A - 1.90 - V
反向恢復時間(IF = 50 A, TJ = 25°C) trr VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs - 256 - ns
反向恢復電荷(IF = 50 A, TJ = 25°C) Qrr - 3140 - nC
反向恢復能量(IF = 50 A, TJ = 25°C) Erec - 1 - mJ
峰值反向恢復電流(IF = 50 A, TJ = 25°C) IRRM - 24.5 - A
反向恢復時間(IF = 100 A, TJ = 25°C) trr VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs - 347 - ns
反向恢復電荷(IF = 100 A, TJ = 25°C) Qrr - 4408 - nC
反向恢復能量(IF = 100 A, TJ = 25°C) Erec - 2 - mJ
峰值反向恢復電流(IF = 100 A, TJ = 25°C) IRRM - 25.8 - A
反向恢復時間(IF = 50 A, TJ = 175°C) trr VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs - 424 - ns
反向恢復電荷(IF = 50 A, TJ = 175°C) Qrr - 8610 - nC
反向恢復能量(IF = 50 A, TJ = 175°C) Erec - 4 - mJ
峰值反向恢復電流(IF = 50 A, TJ = 175°C) IRRM - 40.8 - A
反向恢復時間(IF = 100 A, TJ = 175°C) trr VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs - 572 - ns
反向恢復電荷(IF = 100 A, TJ = 175°C) Qrr - 12476 - nC
反向恢復能量(IF = 100 A, TJ = 175°C) Erec - 5 - mJ
峰值反向恢復電流(IF = 100 A, TJ = 175°C) IRRM - 43.6 - A

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和電壓特性、電容特性、柵極電荷特性、安全工作區(qū)特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解FGY100T120RWD在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

機械封裝

該產(chǎn)品采用TO - 247 - 3LD封裝,文檔中詳細給出了封裝的尺寸信息。同時,需要注意的是,該封裝不遵循任何標準,所有尺寸單位為毫米,且尺寸不包括毛刺、模具飛邊和連接條突出部分。

總結(jié)

FGY100T120RWD IGBT憑借其低損耗、高結(jié)溫、高電流能力等優(yōu)秀特性,在電機控制、UPS等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。電子工程師設計相關(guān)電路時,可以根據(jù)其詳細的參數(shù)和特性,合理選擇和使用該產(chǎn)品,以實現(xiàn)系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運行。大家在實際應用中,是否遇到過類似IGBT產(chǎn)品的選型和使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1291

    文章

    4425

    瀏覽量

    264319
  • 電力開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    5

    瀏覽量

    5990
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    探索onsemi FGY100T120RWD IGBT高效性能與廣泛應用的完美結(jié)合

    在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導體器件,廣泛應用于各種高功率、高效率的電子設備中。今天,我們將深入探討 onsemi 公司推出的 FGY100T120RWD
    的頭像 發(fā)表于 12-04 11:11 ?1040次閱讀
    探索onsemi <b class='flag-5'>FGY100T120RWD</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>:<b class='flag-5'>高效</b>性能與廣泛應用的完美結(jié)合

    解析 onsemi FGY4L160T120SWD IGBT高效能電力應用的理想

    解析 onsemi FGY4L160T120SWD IGBT高效能電力應用的理想
    的頭像 發(fā)表于 04-22 14:25 ?89次閱讀

    FGY4L100T120SWD IGBT高效電力轉(zhuǎn)換的理想

    FGY4L100T120SWD IGBT高效電力轉(zhuǎn)換的理想
    的頭像 發(fā)表于 04-22 14:50 ?65次閱讀

    探索FGY140T120SWD IGBT高效能與可靠性的完美結(jié)合

    探索FGY140T120SWD IGBT高效能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種關(guān)鍵的功率半導體器件,廣泛應用于太陽能、UPS、儲能系統(tǒng)等眾多領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 04-22 14:50 ?70次閱讀

    安森美FGY4L140T120SWD IGBT高效能與可靠性的完美結(jié)合

    安森美FGY4L140T120SWD IGBT高效能與可靠性的完美結(jié)合 在電力電子領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)一直是實現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 04-22 14:50 ?81次閱讀

    深入解析 FGY160T65SPD - F085 IGBT高效能功率開關(guān)理想

    深入解析 FGY160T65SPD - F085 IGBT高效能功率開關(guān)理想
    的頭像 發(fā)表于 04-22 14:50 ?74次閱讀

    深入解析 onsemi FGY120T65SPD:高功率 IGBT 的卓越

    深入解析 onsemi FGY120T65SPD:高功率 IGBT 的卓越 在電子工程師的世界里,選擇合適的功率器件對于設計的成功至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:00 ?65次閱讀

    解析FGY120T65SPD - F085 IGBT:高性能功率開關(guān)的卓越

    解析FGY120T65SPD - F085 IGBT:高性能功率開關(guān)的卓越 在電子工程領(lǐng)域,功率開關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:05 ?64次閱讀

    FGY100T120SWD IGBT高效能功率器件的技術(shù)剖析

    FGY100T120SWD IGBT高效能功率器件的技術(shù)剖析 在電子工程領(lǐng)域,功率器件的性能對于各種應用的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們來深入剖析一款備受關(guān)注的IGBT
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:05 ?80次閱讀

    FGHL60T120RWD IGBT高效能功率器件的技術(shù)剖析

    FGHL60T120RWD IGBT高效能功率器件的技術(shù)剖析 在如今的電子設備中,功率器件的性能直接影響著設備的效率、可靠性和穩(wěn)定性。FGHL60T120RWD 作為一款采用新型場截
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:40 ?27次閱讀

    FGHL25T120RWD IGBT:工業(yè)應用的高效

    FGHL25T120RWD IGBT:工業(yè)應用的高效 在工業(yè)應用的電力電子領(lǐng)域,絕緣柵雙極型
    的頭像 發(fā)表于 04-22 16:10 ?123次閱讀

    FGHL40T120RWD IGBT特性分析與應用探討

    FGHL40T120RWD IGBT特性分析與應用探討 在電力電子應用領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為關(guān)鍵功率器件,其性能直接影響著系統(tǒng)的效率和可靠性。FGHL40
    的頭像 發(fā)表于 04-22 16:10 ?126次閱讀

    onsemi FGH50T65SQD IGBT高效能開關(guān)理想

    onsemi FGH50T65SQD IGBT高效能開關(guān)理想 在電子工程領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 04-22 16:50 ?134次閱讀

    探索 onsemi FGH40T120SQDNL4 IGBT高效開關(guān)應用的理想

    探索 onsemi FGH40T120SQDNL4 IGBT高效開關(guān)應用的理想
    的頭像 發(fā)表于 04-22 17:35 ?202次閱讀

    onsemi FGH40T120SMD系列IGBT高效能開關(guān)理想

    onsemi FGH40T120SMD系列IGBT高效能開關(guān)理想 在電子工程領(lǐng)域,絕緣柵
    的頭像 發(fā)表于 04-22 17:35 ?185次閱讀