FGY100T120RWD IGBT:高效能電力開關(guān)的理想之選
引言
在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導體器件,廣泛應用于電機控制、UPS、數(shù)據(jù)中心等眾多領(lǐng)域。今天,我們就來深入了解一款性能卓越的IGBT產(chǎn)品——FGY100T120RWD。
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產(chǎn)品概述
FGY100T120RWD采用了新穎的場截止第7代IGBT技術(shù)和Gen7二極管,封裝形式為TO247 - 3L。這種組合使得該產(chǎn)品在各種應用中都能實現(xiàn)高效運行,具備低傳導損耗和良好的開關(guān)可控性。
產(chǎn)品特性
低損耗與優(yōu)化開關(guān)
FGY100T120RWD具有低傳導損耗,能夠有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率。同時,其優(yōu)化的開關(guān)特性使得開關(guān)過程更加穩(wěn)定和高效。
高結(jié)溫能力
該產(chǎn)品的最大結(jié)溫可達175°C,這意味著它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應各種惡劣的工作條件。
正溫度系數(shù)
正溫度系數(shù)特性使得多個FGY100T120RWD器件可以輕松并聯(lián)運行,提高系統(tǒng)的功率處理能力。
高電流能力
具備高電流能力,能夠滿足高功率應用的需求。
動態(tài)測試與短路額定
所有產(chǎn)品都經(jīng)過100%動態(tài)測試,并且具有短路額定能力,提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
RoHS合規(guī)
符合RoHS標準,環(huán)保性能良好。
應用領(lǐng)域
電機控制
在電機控制領(lǐng)域,F(xiàn)GY100T120RWD的低損耗和良好的開關(guān)特性能夠提高電機的運行效率和控制精度。
UPS
對于UPS系統(tǒng),該產(chǎn)品的高可靠性和高電流能力能夠確保系統(tǒng)在緊急情況下穩(wěn)定供電。
高功率開關(guān)應用
適用于各種需要高功率開關(guān)的通用應用場景。
關(guān)鍵參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCES | 1200 | V |
| 柵極 - 發(fā)射極電壓 | VGES | ±20 | V |
| 瞬態(tài)柵極 - 發(fā)射極電壓 | ±30 | V | |
| 集電極電流(TC = 25°C) | IC | 200 | A |
| 集電極電流(TC = 100°C) | 100 | A | |
| 功率耗散(TC = 25°C) | PD | 1071 | W |
| 功率耗散(TC = 100°C) | 535 | W | |
| 脈沖集電極電流(TC = 25°C, tp = 10 s) | ICM | 300 | A |
| 二極管正向電流(TC = 25°C) | IF | 200 | A |
| 二極管正向電流(TC = 100°C) | 100 | A | |
| 脈沖二極管正向電流(TC = 25°C, tp = 10 s) | IFM | 300 | A |
| 短路耐受時間(VGE = 15 V, VCC = 600 V, TC = 150°C) | TSC | 5 | s |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 to 175 | °C |
| 焊接用引腳溫度 | TL | 260 | °C |
電氣特性
IGBT電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 | BVCES | VGE = 0 V, IC = 5 mA | 1200 | - | - | V |
| 擊穿電壓溫度系數(shù) | BVCES / TJ | VGE = 0 V, IC = 5 mA | - | 1221 | - | mV/°C |
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流 | ICES | VGE = 0 V, VCE = VCES | - | - | 40 | μA |
| 柵極 - 發(fā)射極泄漏電流 | IGES | VGE = 20 V, VCE = 0 V | - | - | ±400 | nA |
| 柵極 - 發(fā)射極閾值電壓 | VGE(TH) | VGE = VCE, IC = 100 mA | 4.9 | 5.92 | 6.7 | V |
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(TJ = 25°C) | VCE(SAT) | VGE = 15 V, IC = 100 A | 1.15 | 1.43 | 1.75 | V |
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(TJ = 175°C) | VGE = 15 V, IC = 100 A | - | 1.66 | - | V | |
| 輸入電容 | CIES | VCE = 30 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz | - | 12200 | - | pF |
| 輸出電容 | COES | - | 392 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | CRES | - | 44.2 | - | pF | |
| 總柵極電荷 | QG | VCE = 600 V, VGE = 15 V, IC = 100 A | - | 427 | - | nC |
| 柵極到發(fā)射極電荷 | QGE | - | 108 | - | nC | |
| 柵極到集電極電荷 | QGC | - | 161 | - | nC | |
| 開通延遲時間(IC = 50 A, TJ = 25°C) | td(on) | VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 | - | 74 | - | ns |
| 關(guān)斷延遲時間(IC = 50 A, TJ = 25°C) | td(off) | - | 464 | - | ns | |
| 上升時間(IC = 50 A, TJ = 25°C) | tr | - | 45 | - | ns | |
| 下降時間(IC = 50 A, TJ = 25°C) | tf | - | 196 | - | ns | |
| 開通開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) | Eon | - | 3.43 | - | mJ | |
| 關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) | Eoff | - | 4.54 | - | mJ | |
| 總開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 25°C) | Ets | - | 7.97 | - | mJ | |
| 開通延遲時間(IC = 100 A, TJ = 25°C) | td(on) | VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 | - | 80 | - | ns |
| 關(guān)斷延遲時間(IC = 100 A, TJ = 25°C) | td(off) | - | 364 | - | ns | |
| 上升時間(IC = 100 A, TJ = 25°C) | tr | - | 85 | - | ns | |
| 下降時間(IC = 100 A, TJ = 25°C) | tf | - | 180 | - | ns | |
| 開通開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) | Eon | - | 8.13 | - | mJ | |
| 關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) | Eoff | - | 7.05 | - | mJ | |
| 總開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 25°C) | Ets | - | 15.18 | - | mJ | |
| 開通延遲時間(IC = 50 A, TJ = 175°C) | td(on) | VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 | - | 70 | - | ns |
| 關(guān)斷延遲時間(IC = 50 A, TJ = 175°C) | td(off) | - | 536 | - | ns | |
| 上升時間(IC = 50 A, TJ = 175°C) | tr | - | 50 | - | ns | |
| 下降時間(IC = 50 A, TJ = 175°C) | tf | - | 348 | - | ns | |
| 開通開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) | Eon | - | 5.58 | - | mJ | |
| 關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) | Eoff | - | 6.83 | - | mJ | |
| 總開關(guān)損耗(IC = 50 A, TJ = 175°C) | Ets | - | 12.41 | - | mJ | |
| 開通延遲時間(IC = 100 A, TJ = 175°C) | td(on) | VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7 | - | 78 | - | ns |
| 關(guān)斷延遲時間(IC = 100 A, TJ = 175°C) | td(off) | - | 412 | - | ns | |
| 上升時間(IC = 100 A, TJ = 175°C) | tr | - | 93 | - | ns | |
| 下降時間(IC = 100 A, TJ = 175°C) | tf | - | 316 | - | ns | |
| 開通開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) | Eon | - | 12.00 | - | mJ | |
| 關(guān)斷開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) | Eoff | - | 10.30 | - | mJ | |
| 總開關(guān)損耗(IC = 100 A, TJ = 175°C) | Ets | - | 22.30 | - | mJ |
二極管特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 二極管正向電壓(TJ = 25°C) | VF | IF = 100 A | 1.46 | 1.80 | 2.08 | V |
| 二極管正向電壓(TJ = 175°C) | IF = 100 A | - | 1.90 | - | V | |
| 反向恢復時間(IF = 50 A, TJ = 25°C) | trr | VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs | - | 256 | - | ns |
| 反向恢復電荷(IF = 50 A, TJ = 25°C) | Qrr | - | 3140 | - | nC | |
| 反向恢復能量(IF = 50 A, TJ = 25°C) | Erec | - | 1 | - | mJ | |
| 峰值反向恢復電流(IF = 50 A, TJ = 25°C) | IRRM | - | 24.5 | - | A | |
| 反向恢復時間(IF = 100 A, TJ = 25°C) | trr | VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs | - | 347 | - | ns |
| 反向恢復電荷(IF = 100 A, TJ = 25°C) | Qrr | - | 4408 | - | nC | |
| 反向恢復能量(IF = 100 A, TJ = 25°C) | Erec | - | 2 | - | mJ | |
| 峰值反向恢復電流(IF = 100 A, TJ = 25°C) | IRRM | - | 25.8 | - | A | |
| 反向恢復時間(IF = 50 A, TJ = 175°C) | trr | VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs | - | 424 | - | ns |
| 反向恢復電荷(IF = 50 A, TJ = 175°C) | Qrr | - | 8610 | - | nC | |
| 反向恢復能量(IF = 50 A, TJ = 175°C) | Erec | - | 4 | - | mJ | |
| 峰值反向恢復電流(IF = 50 A, TJ = 175°C) | IRRM | - | 40.8 | - | A | |
| 反向恢復時間(IF = 100 A, TJ = 175°C) | trr | VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs | - | 572 | - | ns |
| 反向恢復電荷(IF = 100 A, TJ = 175°C) | Qrr | - | 12476 | - | nC | |
| 反向恢復能量(IF = 100 A, TJ = 175°C) | Erec | - | 5 | - | mJ | |
| 峰值反向恢復電流(IF = 100 A, TJ = 175°C) | IRRM | - | 43.6 | - | A |
典型特性
文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和電壓特性、電容特性、柵極電荷特性、安全工作區(qū)特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解FGY100T120RWD在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。
機械封裝
該產(chǎn)品采用TO - 247 - 3LD封裝,文檔中詳細給出了封裝的尺寸信息。同時,需要注意的是,該封裝不遵循任何標準,所有尺寸單位為毫米,且尺寸不包括毛刺、模具飛邊和連接條突出部分。
總結(jié)
FGY100T120RWD IGBT憑借其低損耗、高結(jié)溫、高電流能力等優(yōu)秀特性,在電機控制、UPS等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。電子工程師在設計相關(guān)電路時,可以根據(jù)其詳細的參數(shù)和特性,合理選擇和使用該產(chǎn)品,以實現(xiàn)系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運行。大家在實際應用中,是否遇到過類似IGBT產(chǎn)品的選型和使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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