FGH50T65UPD 650V、50A 場(chǎng)截止溝道 IGBT：設(shè)計(jì)利器詳解

一、引言

在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為功率半導(dǎo)體器件，在眾多電力電子應(yīng)用中扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討飛兆半導(dǎo)體的 FGH50T65UPD 650V、50A 場(chǎng)截止溝道 IGBT，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。

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二、產(chǎn)品背景與公司信息

飛兆半導(dǎo)體已成為安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分飛兆可訂購(gòu)的產(chǎn)品編號(hào)會(huì)有所改變，原編號(hào)中的下劃線（_）將改為破折號(hào)（-），大家可在安森美官網(wǎng)核實(shí)更新后的器件編號(hào)。

安森美半導(dǎo)體擁有眾多專利、商標(biāo)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，但不建議將其產(chǎn)品用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用。

三、FGH50T65UPD IGBT 特性

3.1 基本特性

• 高結(jié)溫與并聯(lián)優(yōu)勢(shì)：最大結(jié)溫 (T_{J}=175^{circ}C)，且具有正溫度系數(shù)，這使得它易于并聯(lián)運(yùn)行，能滿足高電流需求。
• 低飽和電壓：在 (I{C}=50A) 時(shí)，典型飽和電壓 (V{CE (sat) }=1.65V)，有助于降低導(dǎo)通損耗。
• 測(cè)試與標(biāo)準(zhǔn)：器件 100% 經(jīng)過(guò) (LM(2)) 測(cè)試，具有高輸入阻抗、緊密的參數(shù)分布，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保又可靠。
• 短路耐用性：在 25°C 時(shí)，短路耐受時(shí)間大于 5μs，為系統(tǒng)提供了一定的安全保障。

3.2 應(yīng)用領(lǐng)域

該 IGBT 適用于光伏逆變器、UPS、焊機(jī)、數(shù)碼發(fā)電機(jī)、通信電源以及 ESS 等領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)Φ蛯?dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗有較高要求，而 FGH50T65UPD 正好能滿足。

四、產(chǎn)品參數(shù)詳解

4.1 絕對(duì)最大額定值