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TPS8213x 電源模塊評估模塊使用指南

chencui ? 2026-04-26 10:15 ? 次閱讀
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TPS8213x 電源模塊評估模塊使用指南

在電子設(shè)備的設(shè)計過程中,電源模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。德州儀器Texas Instruments)的 TPS8213x 電源模塊評估模塊(EVM)為工程師提供了一個便捷的平臺,用于評估 TPS82130/40/50 MicroSiP? 電源模塊的性能。下面將詳細介紹該評估模塊的相關(guān)信息。

文件下載:TPS82130EVM-720.pdf

一、概述

TPS82130 是一款采用 2.8×3.0×1.53 - mm 封裝的 3 - A 同步降壓模塊,內(nèi)部集成了電感器和 IC。TPS82140 和 TPS82150 是引腳兼容的電源模塊,支持較低的輸出電流。PWR720 EVM 可用于評估這些電源模塊,該模塊能在 3 V 至 17 V 的輸入電壓下輸出 1.8 V 的電壓,最大輸出電流可達 3 A。

1.1 性能規(guī)格

規(guī)格 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
輸入電壓 3 17 V
輸出電壓設(shè)定點 1.8 V
輸出電流(TPS82130EVM - 720) 0 3000 mA
輸出電流(TPS82140EVM - 720) 0 2000 mA
輸出電流(TPS82150EVM - 720) 0 1000 mA

1.2 熱數(shù)據(jù)

與數(shù)據(jù)手冊中的 JEDEC 值相比,PWR720 EVM 的設(shè)計在兩個內(nèi)層使用了更厚的銅,有更大的平面連接到 IC,并且使用了更薄的 PCB,這些改進了熱性能。但 PCB 比標準 JEDEC PCB 小,這會降低熱性能。總體而言,這些差異提高了熱性能,更接近實際終端應(yīng)用。

熱指標 TPS821x0EVM - 720 TPS821x0 數(shù)據(jù)手冊(JEDEC 51 - 5) 單位
RθJA(結(jié)到環(huán)境熱阻) 46.1 58.2 °C/W
RθJC(top)(結(jié)到外殼(頂部)熱阻) 9.4 9.4 °C/W
RθJB(結(jié)到電路板熱阻) 14.4 14.4 °C/W
ψJT(結(jié)到頂部特征參數(shù)) 0.9 0.9
ψJB(結(jié)到電路板特征參數(shù)) 14.0 14.2
RθJC(bot)(結(jié)到外殼(底部)熱阻) 21.3 21.3 °C/W

1.3 可修改之處

該 EVM 的 PCB 設(shè)計允許用戶進行一些修改??梢蕴砑宇~外的輸入和輸出電容器。

  • 輸入電容:C5 可用于添加額外的輸入電容器,該電容器不是正常運行所必需的,但可用于減少輸入電壓紋波。
  • 輸出電容器:C6、C7 和 C8 可用于添加額外的輸出電容器,這些電容器不是正常運行所必需的,但可用于減少輸出電壓紋波并改善負載瞬態(tài)響應(yīng)??傒敵鲭娙荼仨毐3衷跀?shù)據(jù)手冊推薦的范圍內(nèi),以確保正常運行。

二、設(shè)置

2.1 輸入/輸出連接器說明

  • J1:EVM 輸入電源的正輸入連接。
  • J2:輸入電壓感測連接,在此處測量輸入電壓。
  • J3:EVM 輸入電源的返回連接。
  • J4:輸出電壓連接。
  • J5:輸出電壓感測連接,在此處測量輸出電壓。
  • J6:輸出返回連接。
  • J7:PG/GND,PG 輸出出現(xiàn)在該接頭的引腳 1 上,引腳 2 為方便的接地。
  • J8:SS/TR & GND,SS/TR 輸入出現(xiàn)在該接頭的引腳 1 上,引腳 2 為方便的接地。
  • JP1:EN 引腳輸入跳線。將提供的跳線跨接在 ON 和 EN 上以開啟 IC,跨接在 OFF 和 EN 上以關(guān)閉 IC。
  • JP2:PG 上拉電壓跳線。將提供的跳線放在 JP2 上,將 PG 引腳的上拉電阻連接到 Vout。也可以移除跳線,并在引腳 2 上提供不同的電壓,將 PG 引腳拉到不同的電平,但此外部施加的電壓應(yīng)保持在 6 V 以下。

2.2 操作設(shè)置

要操作 EVM,根據(jù)上述說明將跳線 JP1 和 JP2 設(shè)置到所需位置。將輸入電源連接到 J1 和 J3,將負載連接到 J4 和 J6。

三、測試結(jié)果

PWR720 EVM 用于獲取 TPS821x0 數(shù)據(jù)手冊(SLVSCY5、SLVSDN3 或 SLVSDN4)中的所有數(shù)據(jù)。具體性能可參考設(shè)備數(shù)據(jù)手冊。

四、電路板布局

文檔提供了 PWR720 EVM 的電路板布局和相關(guān)圖示(圖 4 - 1 至圖 4 - 6)。Gerbers 文件可在 EVM 產(chǎn)品頁面(TPS82130EVM - 720、TPS82140EVM - 720 或 TPS82150EVM - 720)獲取。PCB 的 B 版本僅糾正了 A 版本中的排版錯誤。

五、原理圖和物料清單

5.1 原理圖

圖 5 - 1 展示了 EVM 的原理圖,清晰地呈現(xiàn)了各個元件的連接關(guān)系。

5.2 物料清單

數(shù)量 - 001 - 002 - 003 參考編號 描述 尺寸 零件編號 制造商
1 1 1 1 C1 10 μF 陶瓷電容,10 μF,25 V,±20%,X7R 1206 C3216X7R1E106M160AE TDK
1 1 1 1 C2 22 μF 陶瓷電容,22 μF,10 V,±20%,X7S 0805 C2012X7S1A226M125AC TDK
1 1 1 1 C3 3300 pF 陶瓷電容,3300 pF,50 V,±5%,C0G/NP0 0603 Std Std 7343 - 43 AVX
1 1 1 1 C4 68 μF 鉭電容,68 μF,25 V,±20%,0.125 歐姆,SMD TPSE686M025R0125
1 1 1 1 R1 124 k 電阻,124 k,1%,0.1 W,0603 0603 Std Std
2 2 2 2 R2, R3 100 k 電阻,100 k,1%,0.1 W,0603 0603 Std Std
1 0 0 0 U1 TPS82130 3A 高效降壓 MicroSiP 模塊,集成電感器 3 x 2.8 mm TPS82130SIL Texas Instruments
0 1 0 0 U1 TPS82140 2A 高效降壓 MicroSiP 模塊,集成電感器 3 x 2.8 mm TPS82140SIL Texas Instruments
0 0 1 0 U1 TPS82150 1A 高效降壓 MicroSiP 模塊,集成電感器 3 x 2.8 mm TPS82150SIL Texas Instruments

六、修訂歷史

文檔記錄了從 A 版本到 B 版本以及從 B 版本到 C 版本的修訂內(nèi)容,包括表格和圖形編號格式的更新、用戶指南標題的更新、支持新的 EVM 型號、性能規(guī)格表和物料清單的更新等。

在使用 TPS8213x 電源模塊評估模塊時,工程師們可以根據(jù)上述信息進行合理的評估和設(shè)計。大家在實際應(yīng)用中是否遇到過類似電源模塊的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)交流分享。

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