長江存儲投產(chǎn)32層3D NAND，計劃2020年進入128層堆疊
根據(jù)消息報道，武漢長江存儲有望按計劃在今年年底投產(chǎn)32層3D NAND，力爭未來幾年實現(xiàn)30萬片每月的晶圓產(chǎn)能目標。
目前世界上存儲器芯片市場主要由美、日、韓主導(dǎo)，是高度壟斷的寡頭市場格局，長江存儲的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
資料顯示，長江存儲成立于2016年，總投資達40億美元。依照長江存儲的目標，2023年要實現(xiàn)每月30萬片晶圓的產(chǎn)能，年產(chǎn)值1000億元，快速提升國產(chǎn)自給率。
此外，也有業(yè)界人士透露長江存儲Xtacking?架構(gòu)的64層NAND樣品已經(jīng)送至合作伙伴進行測試，讀寫質(zhì)量大致穩(wěn)定，預(yù)計最快將在2019年第3季投產(chǎn)。長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進入128層堆疊。
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原文標題：長江存儲即將投產(chǎn)！2020年直接上128層3D NAND
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