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科學(xué)家成功研發(fā)出僅有單原子層厚度的二極管

cMdW_icsmart ? 來(lái)源:未知 ? 2018-11-28 10:24 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,即將面臨積體電路微縮化的三奈米制程極限,因此科學(xué)家除改善積體電路中電晶體的基本架構(gòu)外,亦積極尋找具有優(yōu)異物理特性且能微縮至原子尺度(<1 奈米)的電晶體材料。

***團(tuán)隊(duì):?jiǎn)卧訉雍穸鹊?a target="_blank">二極管

***成大物理系吳忠霖教授與同步輻射研究中心陳家浩博士所組成的國(guó)內(nèi)研究團(tuán)隊(duì),在全球眾多競(jìng)爭(zhēng)團(tuán)隊(duì)中脫穎而出,成功地研發(fā)出僅有單原子層厚度(0.7奈米)且具優(yōu)異的邏輯開關(guān)特性的二硒化鎢(WSe2)二極管,并在「自然通訊Nature Communications」雜志上發(fā)表研究成果。

此二維單原子層二極管的誕生,更加輕薄,效率更高,除了可超越『摩爾定律』進(jìn)行后硅時(shí)代電子元件的開發(fā),以追求元件成本/耗能/速度最佳化的產(chǎn)業(yè)價(jià)值外,并可滿足未來(lái)人工智慧芯片與機(jī)器學(xué)習(xí)所需大量計(jì)算效能的需求。

二維材料具有許多獨(dú)特的物理與化學(xué)性質(zhì),科學(xué)家相信這些性質(zhì)能為計(jì)算機(jī)和通信等多方領(lǐng)域帶來(lái)革命性沖擊。其中與石墨烯(Graphene)同屬二維材料的二硒化鎢(WSe2),是一種過(guò)渡金屬二硫族化合物(Transition Metal Dichalcogenides, 簡(jiǎn)稱TMDs),能夠在單化合原子層的厚度(約0.7 奈米)內(nèi)展現(xiàn)絕佳的半導(dǎo)體傳輸特性,相比以往的傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體材料,除了厚度上已超越三奈米的制程極限外,可完全滿足次世代積體電路所需更薄、更小、更快的需求。

研究團(tuán)隊(duì)利用同時(shí)兼具高亮度/高能量解析/高顯微力的***『三高』同步輻射光源,成功觀察到可以利用乘載二維材料的鐵酸鉍(BiFeO3)鐵電氧化物基板,能有效地在奈米尺度下改變單原子層二硒化鎢半導(dǎo)體不同區(qū)域的電性。吳忠霖教授表示,相較以往只能利用元素參雜或加電壓電極等改變電性的方式,本研究無(wú)需金屬電極的加入,為極重大的突破。

本研究利用單層二硒化鎢半導(dǎo)體與鐵酸鉍氧化物所組成的二維復(fù)合材料,展示了調(diào)控二維材料電性無(wú)需金屬電極的加入,就能打開和關(guān)閉電流以產(chǎn)生1 和0 的邏輯訊號(hào),這樣能大幅降低電路制程與設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,以避免短路、漏電、或互相干擾的情況產(chǎn)生。此外,由于二維材料的厚度極薄,能如同現(xiàn)今先進(jìn)的晶圓3D 堆疊技術(shù)一樣,透過(guò)堆疊不同類型的二維材料展現(xiàn)不同的功能性。

透過(guò)本研究成果,未來(lái)若能將此微縮到極限的單原子層二極管組合成各種積體電路,由于負(fù)責(zé)運(yùn)算的傳輸電子被限定在單原子層內(nèi),因此能大幅地降低干擾并能增加運(yùn)算速度,預(yù)期可超過(guò)現(xiàn)今電腦的千倍、萬(wàn)倍,而且所需的能量極少,大量運(yùn)算時(shí)也不會(huì)耗費(fèi)太多能量達(dá)到節(jié)能的效果,其各項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)將對(duì)現(xiàn)今的數(shù)位科技發(fā)展帶來(lái)重大的影響,也許手機(jī)充電一次就能連續(xù)使用一個(gè)月,而以現(xiàn)階段積極發(fā)展的自動(dòng)駕駛汽車來(lái)說(shuō),如果所有的感測(cè)、運(yùn)算速度都比現(xiàn)在快上千、萬(wàn)倍,行駛霹靂車再也不是夢(mèng)想。

澳洲團(tuán)隊(duì):用空氣間隙傳送電子

據(jù)美媒稱,電子工程師開發(fā)出一種能通過(guò)細(xì)微空氣間隙——而不是硅——來(lái)傳送電子的新型晶體管。這一發(fā)展否定了半導(dǎo)體的必要性,提高了該裝置的速度,且降低了過(guò)熱的可能性。

據(jù)合眾國(guó)際社網(wǎng)站日前報(bào)道,研究人員利用這項(xiàng)突破為一種納米芯片開發(fā)出概念驗(yàn)證設(shè)計(jì),這種芯片的特點(diǎn)是金屬與狹小空氣間隙相結(jié)合,這個(gè)工程師團(tuán)隊(duì)在《納米通訊》月刊上詳細(xì)介紹了他們的發(fā)明。

皇家墨爾本理工大學(xué)的研究人員什魯?shù)佟つ崽m塔在一份新聞稿中稱:“每臺(tái)計(jì)算機(jī)和手機(jī)都有數(shù)百萬(wàn)至數(shù)十億由硅制成的電子晶體管,但這項(xiàng)技術(shù)正在達(dá)到其物理極限,導(dǎo)致硅原子阻礙電流、限制速度并產(chǎn)生熱量。我們的空氣通道晶體管技術(shù)讓電流在空氣中流動(dòng),因此不會(huì)發(fā)生碰撞使其減速,材料中也沒有產(chǎn)生熱量的阻力。”

報(bào)道稱,在過(guò)去十多年中,隨著工程師們?cè)O(shè)法將越來(lái)越多的晶體管擠進(jìn)硅芯片,計(jì)算機(jī)芯片的功率和效率大約每?jī)赡攴环5F(xiàn)在的晶體管比最微小的病毒都小,而且技術(shù)專家說(shuō),晶體管能小到什么程度是有限的。換句話說(shuō),硅基電子產(chǎn)品面臨著一個(gè)天花板,而工程師們已經(jīng)在接近這一極限。但基于空氣的納米芯片能夠?yàn)檠芯咳藛T提供通往納米電子新范式的途徑。

尼蘭塔說(shuō):“這項(xiàng)技術(shù)在晶體管小型化方面走了另一條路,為的是讓摩爾定律在今后幾十年里依然有效。”

根據(jù)這項(xiàng)新研究,其概念驗(yàn)證設(shè)計(jì)避免了傳統(tǒng)固體通道晶體管的一個(gè)問(wèn)題:原子太多。研究人員沒有使用真空包裝來(lái)降低晶體管密度,而是利用一個(gè)狹窄的空氣間隙。

研究人員沙拉特·斯里拉姆說(shuō):“這個(gè)間隙只有幾十納米,是人類毛發(fā)寬度的5萬(wàn)分之一,但它足以讓電子誤以為自己是在真空中行進(jìn),為在納米級(jí)空氣間隙內(nèi)的電子重新創(chuàng)造一個(gè)虛擬外部空間?!?/p>

研究人員認(rèn)為,他們的裝置將很容易與現(xiàn)有電子技術(shù)兼容。

斯里拉姆說(shuō):“這是朝著一項(xiàng)激動(dòng)人心的技術(shù)邁出的一步,這項(xiàng)技術(shù)旨在‘無(wú)中生有’、大幅提高電子產(chǎn)品的速度并保持快速技術(shù)進(jìn)步的節(jié)奏?!?/p>

量子運(yùn)算和硅光子是救星?

根據(jù)「摩爾定律」(Moore's law),電晶體將隨著技術(shù)的改良而不斷縮小,目前***與韓國(guó)的制程領(lǐng)先全球,已經(jīng)推進(jìn)到7奈米。但一般認(rèn)為當(dāng)演進(jìn)至1奈米,已經(jīng)超過(guò)硅材料的物理極限,摩爾定律將碰到天花板,再也走不下去。

針對(duì)這樣的困境,***工研院表示2019年跨入「后摩爾定律時(shí)代」(beyond Moore's law),技術(shù)上的解方有二:量子運(yùn)算與硅光子。這兩大技術(shù)也將是2020~2030年半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)的重要推手。

有別于一般電腦采用0與1的二進(jìn)位制,量子電腦則采用「量子位元(qubit)」,其「疊加(superposition)」的特性,可以同時(shí)出現(xiàn)0與1,所以能夠同時(shí)處理大量資訊,特別是多變量的數(shù)據(jù),這也符合未來(lái)AI的發(fā)展趨勢(shì)。

日本豐田通商(Toyota Tsusho)與電綜(DENSO)便運(yùn)用量子運(yùn)算,在泰國(guó)建立大規(guī)模交通資訊平臺(tái)「TSQUAREアプリ」,利用13萬(wàn)車輛回報(bào)的資訊,進(jìn)行即時(shí)交通分析,并回饋給用戶最適合的行車建議。利用量子運(yùn)算,36萬(wàn)筆資訊在20微秒(百萬(wàn)分之一秒)內(nèi)完成,相較現(xiàn)行設(shè)備足足快了1億倍。

現(xiàn)在的資訊傳輸主要是靠電,而硅光子( Silicon Photonics )的技術(shù),是將「電訊號(hào)」改為「光訊號(hào)」來(lái)傳遞數(shù)據(jù),以提高傳輸距離、增加資料頻寬與降低單位耗能。

然而硅本身無(wú)法發(fā)光,所以光源發(fā)展來(lái)自于外界,雷射光則是主要光源。需藉由封裝方式將光源與芯片進(jìn)行組裝,而將雷射直接整合到芯片上,則是未來(lái)的目標(biāo)。

另外,硅光子技術(shù)可整合現(xiàn)有半導(dǎo)體CMOS制程,成為業(yè)界頗受矚目的研究方向,但硅光子技術(shù)的難度在于,整合半導(dǎo)體技術(shù)和光學(xué)技術(shù),仍需要扭轉(zhuǎn)部分技術(shù)開發(fā)的思維與制程。

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原文標(biāo)題:科學(xué)家找到延續(xù)摩爾定律的新方法,研發(fā)出厚度僅0.7nm的二極管

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