近日，在首屆全球IC企業(yè)家大會(huì)暨第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽在上海召開(kāi)。在RISC-V創(chuàng)新應(yīng)用開(kāi)發(fā)者論壇上，記者獲悉，中天弘宇公司4F2NOR Flash新一代閃存亮相，這款被命名為“中國(guó)閃存”的技術(shù)，突破了多年來(lái)困擾半導(dǎo)體NOR閃存領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，引起人們廣泛關(guān)注。

“我們經(jīng)過(guò)了十幾年的研發(fā)積累，完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新?！敝刑旌胗?a target="_blank">集成電路有限責(zé)任公司執(zhí)行董事長(zhǎng)趙涇生告訴記者。

中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司執(zhí)行董事長(zhǎng)趙涇生發(fā)表演講

十余年創(chuàng)新之路 顛覆傳統(tǒng)技術(shù)

中天弘宇研究人員向記者介紹，閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。

中天弘宇研究人員回憶到，2010年，因一位研究人員偶然接錯(cuò)了電路，研發(fā)團(tuán)隊(duì)便陰差陽(yáng)錯(cuò)地開(kāi)啟了對(duì)NOR的創(chuàng)新之路。經(jīng)過(guò)近十年研發(fā)，中天弘宇突破了多年來(lái)困擾半導(dǎo)體NOR閃存科技領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸，最終完成4F2NOR Flash閃存技術(shù)的研發(fā)，成為一家全面完整擁有4F2NOR Flash閃存核心技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)。

“通過(guò)我們的架構(gòu)設(shè)計(jì)完全可以讓NOR閃存進(jìn)入到65nm甚至28nm以下的工藝?！?中天弘宇研究人員告訴記者，相比于更適合大容量應(yīng)用的NAND閃存，NOR閃存的讀取速度要快得多，非常適合芯片內(nèi)的存儲(chǔ)應(yīng)用，但限于工藝制程，NOR閃存的應(yīng)用市場(chǎng)比起千億級(jí)的NAND閃存要小得多，很多芯片內(nèi)還在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技術(shù)突破將讓NOR閃存變得更具競(jìng)爭(zhēng)力，通過(guò)取代DRAM+NAND的方式可以為芯片帶來(lái)更高讀取速度和更低的內(nèi)存讀取功耗，而后者現(xiàn)在已經(jīng)成為芯片整體功耗中非常關(guān)鍵的一環(huán)。

對(duì)于這項(xiàng)創(chuàng)新，NOR Flash發(fā)明人、英特爾前副總裁Dr. Stefan Lai認(rèn)為，這是對(duì)他的NOR Flash的革命性創(chuàng)新。

趙涇生執(zhí)行董事長(zhǎng)代表中天弘宇給Dr. Stefan Lai 頒發(fā)首席技術(shù)顧問(wèn)聘書(shū)

上世紀(jì)八十年代，Dr. Stefan Lai發(fā)明了NOR，隨后被產(chǎn)業(yè)化，但由于當(dāng)時(shí)NOR無(wú)法繼續(xù)縮小，發(fā)展陷入停滯?！拔覐膩?lái)沒(méi)有想過(guò)會(huì)有新的東西出現(xiàn)，這是對(duì)NOR Flash的顛覆性的發(fā)現(xiàn)，解決了很多問(wèn)題。意義十分重大?！盌r. Stefan Lai告訴記者，“新一代NOR技術(shù)的出現(xiàn)，讓我看到新的希望?！?/p>

中國(guó)智造 提升我國(guó)芯片自主化水平

如今，這家總部位于上海、專(zhuān)注于集成電路存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的企業(yè)已擁有了43項(xiàng)國(guó)際專(zhuān)利，尚有20多項(xiàng)專(zhuān)利在申請(qǐng)中，構(gòu)成較完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系。

這項(xiàng)突破性的技術(shù)創(chuàng)新將會(huì)帶來(lái)哪些產(chǎn)品的創(chuàng)新？趙涇生告訴記者，目前，中天弘宇已完成1MB NOR的硅驗(yàn)證，并成功流片，2017年開(kāi)始運(yùn)用在中天弘宇首顆MCU（微控制單元）產(chǎn)品的設(shè)計(jì)上，使芯片可在低至1V的電壓下工作，低壓、低功耗的特性使這款MUC在物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域大有可為。

“中國(guó)閃存”憑借著強(qiáng)大的性能和價(jià)格優(yōu)勢(shì)，擁有廣闊的市場(chǎng)前景，不但可對(duì)現(xiàn)有使用傳統(tǒng)NOR閃存的產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)換代，還可以進(jìn)入中低端功能手機(jī)、智能電視、機(jī)頂盒、國(guó)產(chǎn)平板等消費(fèi)類(lèi)智能等電子產(chǎn)品及汽車(chē)市場(chǎng)中。隨著進(jìn)一步研發(fā)及工藝的優(yōu)化，新一代NOR閃存將觸及NAND閃存的海量存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，并將拓展至人工智能領(lǐng)域。

“希望和上下游合作伙伴一起進(jìn)行制造和工藝攻關(guān)，邁出中國(guó)閃存更大的一步，提升我國(guó)芯片自主化水平?！壁w涇生告訴記者。

談及未來(lái)，趙涇生表示，中天弘宇的三大目標(biāo)，第一是讓中國(guó)自主研制的存儲(chǔ)芯片從無(wú)到有，第二是讓存儲(chǔ)芯片擁有完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，第三是進(jìn)一步完成NOR閃存向1X進(jìn)軍，向3D NOR發(fā)展，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商實(shí)現(xiàn)合作共贏。