chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

華為P30和P30Pro的渲染圖曝光 后置相機或?qū)⒃俅伟园馜xOMark

454398 ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-02-28 08:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2月28日消息,知名爆料人士Roland Quandt帶來了華為P30和P30 Pro的渲染圖。

如圖所示,華為P30和P30 Pro均采用了水滴屏形態(tài),背部是漸變設計,支持屏幕指紋識別,這是華為P系列首款支持屏幕指紋識別的旗艦手機。

↑↑↑華為P30 Pro

兩款新機最大的亮點是拍照,華為P30 Pro后置四攝像頭,其中三攝呈縱向排布,另一顆是TOF鏡頭(在閃光燈下方),支持激光對焦、十倍變焦。華為P30后置三攝像頭,同樣支持激光對焦。

↑↑↑華為P30

上一代旗艦P20 Pro以109分的好成績成為DxOMark排行榜第一名,時隔近一年時間P20 Pro仍然沒有被競品超越(三星Galaxy S10+成績與華為P20 Pro持平,都是109分),是迄今為止手機后置相機綜合實力最強的旗艦之一。

作為新一代旗艦,華為P30、P30 Pro的拍照、視頻錄制實力值得期待,而且不排除再次霸榜DxOMark的可能。

核心配置上,華為P30、P30 Pro將搭載麒麟980芯片,這是全球首款基于7nm工藝制程打造的手機芯片。不僅如此,麒麟980率先實現(xiàn)基于Cortex A76架構的開發(fā)商用,并在業(yè)內(nèi)首商用Mali-G76 GPU,性能毋庸置疑。

最后是發(fā)布時間,兩款旗艦將于3月26日在巴黎亮相。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 華為
    +關注

    關注

    218

    文章

    36162

    瀏覽量

    262625
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    Onsemi P溝道雙MOSFET NTMD3P03和NVMD3P03的特性與應用

    NTMD3P03和NVMD3P03采用雙SOIC - 8封裝,具備 - 3.05 A的連續(xù)漏極電流和 - 30 V的漏源電壓,適用于多種功率應用。其中,NVMD3P03R2G通過了A
    的頭像 發(fā)表于 04-19 16:45 ?45次閱讀

    onsemi NTMD3P03和NVMD3P03 MOSFET:高性能雙P溝道解決方案

    NTMD3P03和NVMD3P03是安森美公司生產(chǎn)的雙P溝道功率MOSFET,采用SOIC - 8封裝。它們的額定電壓為 - 30V,連續(xù)漏極電流可達 - 3.05A,非常適合用于各
    的頭像 發(fā)表于 04-19 11:00 ?119次閱讀

    金升陽推出30mA大電流工業(yè)高壓電源HO1-P102-30F系列

    適應性提出更高要求。金升陽HO1-P102-30F系列30W定電壓輸入DC/DC模塊電源,專為0-1000V高壓+30mA大電流場景研發(fā)設計,憑借高壓大電流輸出、全參數(shù)實時檢測、工業(yè)級嚴苛性能等核心特性,為各行業(yè)高壓設備提供穩(wěn)定
    的頭像 發(fā)表于 04-11 09:54 ?836次閱讀
    金升陽推出<b class='flag-5'>30</b>mA大電流工業(yè)高壓電源HO1-<b class='flag-5'>P102-30</b>F系列

    深入剖析SGMPM16330:30V單P溝道PDFN封裝MOSFET的卓越性能

    深入剖析SGMPM16330:30V單P溝道PDFN封裝MOSFET的卓越性能 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的MOSFET對于電路設計的成功至關重要。今天,我們深入剖析SG Micro
    的頭像 發(fā)表于 03-20 16:15 ?196次閱讀

    深入剖析SGMPM15330:30V單P溝道MOSFET的卓越性能與應用潛力

    深入剖析SGMPM15330:30V單P溝道MOSFET的卓越性能與應用潛力 引言 在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET作為關鍵的電子元件,廣泛應用于各種電路設計。今天,我們深入剖析
    的頭像 發(fā)表于 03-20 16:00 ?167次閱讀

    SGMPM21330:30V P溝道MOSFET的特性與應用

    SGMPM21330:30V P溝道MOSFET的特性與應用 在電子設計領域,MOSFET是一種常用的功率開關器件。今天我們來深入了解SG Micro Corp推出的SGMPM21330,這是一款
    的頭像 發(fā)表于 03-20 16:00 ?177次閱讀

    新潔能NCE01P30:高效能P溝道功率MOSFET的卓越之選

    在便攜式設備和電池供電系統(tǒng)日益普及的今天,如何提高電源管理效率、延長電池續(xù)航,成為了電子設計師們關注的核心。南山電子代理品牌新潔能(NCE)推出的NCE01P30P溝道增強型功率MOSFET,憑借
    的頭像 發(fā)表于 03-02 17:04 ?1225次閱讀
    新潔能NCE01<b class='flag-5'>P30</b>:高效能<b class='flag-5'>P</b>溝道功率MOSFET的卓越之選

    50P03惠海HCE010P03L電機驅(qū)動專用PMOS管-30V-50A 40P03 30P03

    PMOS 管可不簡單,全稱是 P 型金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管,以 P 型半導體為襯底。它就像個聰明的控水閥,柵極是控制桿,只要施加負電壓,就能精準調(diào)控源漏極間空穴的遷移,輕松實現(xiàn)電路開關
    發(fā)表于 01-09 09:45

    HCD010P03L擴展塢方案PMOS管(-30V-40A)

    PMOS 管(P 型金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)以 P 型半導體為襯底,通過柵極施加負電壓調(diào)控源漏極間空穴遷移,實現(xiàn)電路開關控制信號放大,是拓展塢電路中的關鍵基礎器件,專為其多接
    發(fā)表于 12-04 11:12

    30P06貼片MOS管規(guī)格書

    30P06 TO-252貼片MOS管規(guī)格書
    發(fā)表于 11-25 10:26 ?0次下載

    ?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術解析與應用指南

    onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET,尺寸為5mmx6mm,可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導性能。這款P溝道MOSFET具有1
    的頭像 發(fā)表于 11-24 15:54 ?998次閱讀
    ?onsemi NTMFS003<b class='flag-5'>P03P</b>8Z <b class='flag-5'>P</b>溝道MOSFET技術解析與應用指南

    新潔能NCE55P30K:讓空氣檢測儀“芯”動,守護每一次呼吸

    在當今環(huán)保意識日益增強的時代,空氣質(zhì)量的優(yōu)劣直接關系到人們的健康與生活質(zhì)量。空氣檢測儀作為監(jiān)測空氣質(zhì)量的關鍵設備,其性能的優(yōu)劣至關重要。而新潔能NCE55P30K作為一款高性能的P溝道MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 10-14 14:08 ?576次閱讀
    新潔能NCE55<b class='flag-5'>P30</b>K:讓空氣檢測儀“芯”動,守護每一次呼吸

    p30pro支持無線充電寶嗎

    華為P30 Pro支持Qi協(xié)議,15W無線充電,兼容充電寶,具備反向充電功能,便于應急補電。
    的頭像 發(fā)表于 09-27 08:26 ?1470次閱讀
    <b class='flag-5'>p30pro</b>支持無線充電寶嗎

    合科泰P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開關中的應用

    在電子工程領域,VBUS開關的性能對于電子設備的穩(wěn)定運行至關重要。很多中層管理者在實際工作中,常常會遇到VBUS開關方面的各種問題,今天就來和大家深入探討這些問題,并介紹一款能有效解決問題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。
    的頭像 發(fā)表于 09-08 15:48 ?1131次閱讀

    ABIT5-08001200-30-22P-S內(nèi)置測試檢測器放大器MITEQ

    ABIT5-08001200-30-22P-S內(nèi)置測試檢測器放大器MITEQABIT5-08001200-30-22P-S是一款基于Narda-MITEQ制造的內(nèi)置測試檢測器放大器,致力于高精密
    發(fā)表于 06-19 09:18