MOSFET它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底,在其面上擴(kuò)散了兩個N型區(qū),再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2)絕緣層,最后在N區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個孔,用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內(nèi)做成三個電極:G(柵極)、S(源極)及D(漏極)
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發(fā)表于 04-23 11:25
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發(fā)表于 02-26 14:41
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