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安森美:SiC、GaN助力更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)發(fā)展

漁翁先生 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:Allen Yin ? 2019-02-15 00:09 ? 次閱讀
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根據(jù)IHS Markit分析,由于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車,電源和太陽(yáng)能逆變器主要應(yīng)用市場(chǎng)的需求,預(yù)計(jì)2020年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)將達(dá)到近10億美元。全球主要功率半導(dǎo)體供應(yīng)商TI、ST、Maxim、高通、ADI等紛紛搶攻推出新品。


圖:安森美半導(dǎo)體工業(yè)及云電源公司營(yíng)銷及策略經(jīng)理Ali Husain。

安森美半導(dǎo)體工業(yè)及云電源公司營(yíng)銷及策略經(jīng)理Ali Husain在日前接受<電子發(fā)燒友>關(guān)于電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)及趨勢(shì)主題采訪時(shí)表示,功率損耗和系統(tǒng)尺寸是電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。相比以往電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)使用的硅材料,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的更低損耗可降低功率損耗,使用這些寬禁帶(WBG)產(chǎn)品,使系統(tǒng)體積可以通過(guò)減少散熱器或增加開(kāi)關(guān)頻率變得更小,從而使無(wú)源元件更小。

業(yè)界認(rèn)為,由于SiC和GaN比Si材料高3倍的能量帶隙、10倍的介電場(chǎng)強(qiáng)以及更快的開(kāi)關(guān)速度和熱導(dǎo)率。使得前者擁有更高的功率密度、更加環(huán)保,且能讓電源系統(tǒng)更小更薄、更優(yōu)化的成本和較低的工作溫度和熱應(yīng)力。整個(gè)第三代半導(dǎo)體系統(tǒng)比硅系統(tǒng)更好。

安森美半導(dǎo)體作為電源半導(dǎo)體重要供應(yīng)商之一,投入了大量資金研發(fā)寬禁帶(WBG)產(chǎn)品。安森美半導(dǎo)體定位為以合理成本提供最可靠的WBG產(chǎn)品,產(chǎn)品范圍寬廣,涵蓋SiC二極管、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN),以滿足對(duì)電力電子設(shè)備更高能效、更小體積及更低溫度的要求。

以汽車應(yīng)用為例,在汽車功能電子化的趨勢(shì)下,為實(shí)現(xiàn)更高的能效,要提高電池電壓,這就需要考慮寬禁帶方案。如SiC可用于要求小型化、高功率的應(yīng)用,如牽引逆變器,采用400V電池的逆變器能效增加65%,采用800V電池的逆變器能效提升則可達(dá)80%。GaN則在車載充電(OBC)方面更有優(yōu)勢(shì),因?yàn)镺BC的可用空間有限,而GaN頻率范圍更高,可縮減系統(tǒng)體積,降低開(kāi)關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)更高能效。

另一方面,受可再生能源市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng),對(duì)電源和太陽(yáng)能逆變器提出了更高的效率和功率密度要求,而搭載了WBG產(chǎn)品的高性能應(yīng)用將完美解決這一問(wèn)題。

Ali Husain指出,替代能源和能源儲(chǔ)存系統(tǒng)將繼續(xù)從較高功率系統(tǒng)轉(zhuǎn)向較低功率系統(tǒng)。這可以通過(guò)采用較小組的面板以最大功率點(diǎn)工作來(lái)增加太陽(yáng)能電池陣列產(chǎn)生的總功率。此外,分布式能源資源,如住宅太陽(yáng)能,存儲(chǔ)和虛擬發(fā)電廠,將有助于推動(dòng)轉(zhuǎn)向更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的發(fā)展。

不僅如此,WBG產(chǎn)品在照明領(lǐng)域節(jié)能90%,電力電子節(jié)能30%以上,系統(tǒng)體積減少三分之二。同時(shí),它也是5G必須的基本材料。

Ali Husain表示,像碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這樣的寬禁帶材料是提高功率密度和轉(zhuǎn)換效率以及減小尺寸的領(lǐng)先技術(shù)。由于這些材料具有較低的導(dǎo)電損耗并且還可以更高的頻率開(kāi)關(guān),電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以在這些要求之間選擇新的,更好的權(quán)衡取舍。如選擇更高的頻率,諸如電容器電感器的無(wú)源元件的尺寸可更小,或保持相同的開(kāi)關(guān)頻率,但損耗可更低,并且可以使散熱器和整體尺寸更小。即使寬禁帶半導(dǎo)體的成本增加,但整個(gè)系統(tǒng)的成本仍可保持不變甚至更低。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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