chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSFET開(kāi)始止?jié)q回跌,最高降價(jià)兩成!

電子工程師 ? 來(lái)源:lp ? 2019-03-19 15:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)IC渠道商透露,受半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整及大陸廠(chǎng)產(chǎn)能開(kāi)出影響,原本需求強(qiáng)勁,供不應(yīng)求的金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)也將從下季起降價(jià),尤以消費(fèi)性應(yīng)用端降幅最甚,最高降價(jià)兩成,牽動(dòng)世界、合晶、大中、杰力等業(yè)者營(yíng)運(yùn)。

這是繼DRAM、被動(dòng)元件和12英寸半導(dǎo)體硅晶圓等三大去年最搶手的電子元件近期價(jià)格止?jié)q回跌之后,又一項(xiàng)半導(dǎo)體元件因需求轉(zhuǎn)弱而面臨降價(jià)。

功率半導(dǎo)體是去年支撐8英寸半導(dǎo)體硅晶圓和晶圓代工最重要的產(chǎn)品線(xiàn),隨著供需結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,業(yè)界關(guān)注對(duì)世界、合晶等相關(guān)業(yè)者的影響。

對(duì)于相關(guān)降價(jià)傳聞,大中、杰力等功率半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)者都表示,目前車(chē)用需求仍然強(qiáng)勁,仍樂(lè)觀(guān)看態(tài)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)。

但業(yè)界近期已紛紛對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)出預(yù)警,強(qiáng)調(diào)需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)影響,庫(kù)存水位升高,相關(guān)供應(yīng)商不斷拉升備貨,一旦價(jià)格反轉(zhuǎn),恐面臨提列庫(kù)存跌價(jià)損失風(fēng)險(xiǎn)。

IC渠道商則透露,受到英特爾中央處理器缺貨,以及中美貿(mào)易戰(zhàn)干擾一直未明朗化,整體半導(dǎo)體庫(kù)存升高問(wèn)題,也由DRAM、硅晶圓、被動(dòng)元件,擴(kuò)及功率半導(dǎo)體,凸顯半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭遇逆風(fēng),各產(chǎn)品需求減弱,迫使MOSFET廠(chǎng)也被迫降價(jià)鞏固市占率。

尤其近期在大陸重慶設(shè)廠(chǎng)的某知名MOSFET廠(chǎng),以12英寸晶圓生產(chǎn)的MOSFET,已開(kāi)始放量,并發(fā)動(dòng)價(jià)格戰(zhàn),拓展終端PC,NB及消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng),已對(duì)臺(tái)廠(chǎng)造成一定程度沖擊。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9630

    瀏覽量

    233159
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10393

    瀏覽量

    147584
  • 功率半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    1459

    瀏覽量

    45181

原文標(biāo)題:MOSFET開(kāi)始止?jié)q回跌,最高降價(jià)兩成!

文章出處:【微信號(hào):xin_toutiao,微信公眾號(hào):芯頭條】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    比亞迪大降價(jià)!汽車(chē)芯片更卷了?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)5月23日,比亞迪汽車(chē)推出促銷(xiāo)活動(dòng),涉及王朝網(wǎng)、海洋網(wǎng)在內(nèi)的22款智駕版車(chē)型參與降價(jià)活動(dòng),最高優(yōu)惠可達(dá)5.3萬(wàn)元。消息一出,業(yè)內(nèi)紛紛表示,這是新能源汽車(chē)市場(chǎng)在智駕車(chē)型上
    的頭像 發(fā)表于 05-28 09:02 ?6963次閱讀
    比亞迪大<b class='flag-5'>降價(jià)</b>!汽車(chē)芯片更卷了?

    MOSFET相關(guān)問(wèn)題分享

    1.Q:并聯(lián)使用MOS存在一些問(wèn)題,那我們要怎樣做才能避免這些問(wèn)題? A:首先,器件的一致性一定要好。在功率MOSFET多管并聯(lián)時(shí),器件內(nèi)部參數(shù)的微小差異就會(huì)引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導(dǎo)致單管過(guò)流
    發(fā)表于 01-26 07:46

    MOSFET耐壓BVdss

    (1)產(chǎn)品的額定電壓是固定的,MOSFET的耐壓選取也就比較容易,由于BVdss具有正溫度系數(shù),在實(shí)際的應(yīng)用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。 (2)VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss,即便這個(gè)尖峰
    發(fā)表于 12-23 08:37

    為什么超級(jí)結(jié) GaN Sic能避免熱損耗? #MOS #MOS管 #mosfet #mosfet工作原理

    MOSFET
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年12月05日 17:43:24

    onsemi NCP402045集驅(qū)動(dòng)器和MOSFET技術(shù)解析

    安森美 NCP402045集驅(qū)動(dòng)器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高側(cè)MOSFET、 和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化
    的頭像 發(fā)表于 11-24 11:49 ?527次閱讀
    onsemi NCP402045集<b class='flag-5'>成</b>驅(qū)動(dòng)器和<b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析

    功率MOSFET管的應(yīng)用問(wèn)題分析

    MOSFET管,雙管和單管相比,優(yōu)勢(shì)在哪里?是不是簡(jiǎn)單的將RDS(on)減半、ID加倍等參數(shù)合成? 回復(fù):功率MOSFET管數(shù)據(jù)表中,ID和IDSM都是計(jì)算值。ID是基于RθJC和RDS(on)以及最高允許
    發(fā)表于 11-19 06:35

    洲明科技連續(xù)年榮獲深交所信息披露工作最高評(píng)級(jí)

    近日,深圳證券交易所公布了深市創(chuàng)業(yè)板上市公司2024-2025年度信息披露工作評(píng)價(jià)結(jié)果。洲明科技憑借規(guī)范、高效、透明的信息披露體系,連續(xù)年獲評(píng)“A級(jí)”最高評(píng)級(jí)。
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:58 ?702次閱讀

    MOSFET的三重防護(hù)(1)

    MOSFET的Drain(漏極)、Source(源極)、G(柵極)三個(gè)引腳,其兩兩之間都可以用TVS來(lái)做過(guò)壓保護(hù)。
    的頭像 發(fā)表于 11-10 16:47 ?5133次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>的三重防護(hù)(1)

    用STM32H750定時(shí)器抓最高30M信息源,定時(shí)器能不能配置100M?

    你好,我們要用 STM32H750 定時(shí)器抓最高30M 信息源,定時(shí)器能不能配置100M?超過(guò)1M用適波器無(wú)法看到波形,不知道是哪的問(wèn)題
    發(fā)表于 08-08 06:23

    款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎

    款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
    的頭像 發(fā)表于 07-23 18:10 ?1148次閱讀
    <b class='flag-5'>兩</b>款國(guó)產(chǎn)1700V SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎

    一副AI眼鏡需要用到多少個(gè)MOSFET? #MOSFET #AI眼鏡 #小米ai眼鏡 #半導(dǎo)體 #應(yīng)用

    MOSFET
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年06月28日 17:32:08

    浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET:超結(jié)MOSFET冰箱變頻技術(shù)新寵

    :一種是IGBT,另一種是高壓(HV)MOSFET。在這種技術(shù)中,高壓MOSFET的采用正在加速,這主要得益于大趨勢(shì)。第一個(gè)趨勢(shì)是冰箱壓縮機(jī)系統(tǒng)的變頻化,通過(guò)
    的頭像 發(fā)表于 05-16 11:08 ?1145次閱讀
    浮思特 | 從IGBT到超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>:超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>成</b>冰箱變頻技術(shù)新寵

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng),IXYS有一款MOSFET
    發(fā)表于 03-25 13:43

    超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?1241次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級(jí)至650V碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

    米勒平臺(tái)的時(shí)間t3為: t3也可以用下面公式計(jì)算: 注意到了米勒平臺(tái)后,漏極電流達(dá)到系統(tǒng)最大電流ID,就保持在電路決定的恒定最大值ID,漏極電壓開(kāi)始下降,MOSFET固有的轉(zhuǎn)移特性使柵極電壓和漏
    發(fā)表于 02-26 14:41