不久前，TDK-Micronas推出了具有雜散磁場補償的3D霍爾效應位置傳感器，為此，電子產品世界等媒體采訪了應用部經理陳興鵬先生。

圖1：新型Micronas HAL? 39xy霍爾效應位置傳感器系列，具有多種帶主動雜散磁場補償的測量模式

1. 應用領域

問：這款新產品的應用領域是什么？

答：主要驅動因素就是汽車的電動化趨勢。汽車里有越來越多的電機和大電流電纜，它們都會產生雜散磁場。

因此，可以說所有應用都需要或多或少的雜散場抗擾度，具體需求則要視精度要求、在車輛中的位置以及自然屏蔽效果等因素而定。

問：在中國的目標客戶主要集中在哪些行業(yè)？

答：TDK的線性霍爾效應產品線已在中國具備強大的市場地位。我們的目標就是將3D霍爾效應設備領域的成功復制到中國的所有市場領域。

2. 如何實現雜散磁場補償？

問：霍爾傳感器的歷史很長，我們還能有哪些創(chuàng)新？

答：我們仍在不斷改進霍爾元件的性能（靈敏度、噪聲、功耗）和功能（三維采集、應力抗擾度），此次展示的HAL? 39xy 系列產品的主要創(chuàng)新在于雜散場抗擾度（降低外部干擾磁場對被測位置/角度相關磁場的影響）。

其原理就是使用多個霍爾元件，通過智能算法進行信息融合并檢測出干擾源，從而輸出不受外部磁場干擾的數據。

這一切都有賴于直接將霍爾元件集成到CMOS技術中，即能夠輕松地將多個霍爾元件集成到一個硅片上。這是該技術的獨特優(yōu)勢。

問：這款新產品的獨特優(yōu)勢是什么？

答：非常靈活，能夠處理許多不同的應用場景和配置。

我們目前在一個硅片上共集成了10個霍爾元件。根據所用磁體以及被測運動（線性行程、角度、軸上、偏軸）的不同，DSP會采用不同的霍爾元件組合，通過智能算法進行信息融合并檢測出干擾源，從而輸出不受外部磁場干擾的數據。

問：新品采用了哪些特有的技術？另外，雜散磁場會對大多數基于霍爾效應技術的位置傳感器產生影響，所以是否會考慮其他技術（諸如TMR）？

答：此次展示的HAL39系列產品其主要創(chuàng)新在于雜散場抗擾度（降低外部干擾磁場對被測位置/角度相關磁場的影響）。

其原理就是使用多個霍爾元件，通過智能算法進行信息融合并檢測出干擾源，從而輸出不受外部磁場干擾的數據。我們采用了獲得專利的IP。產品規(guī)格顯示雜散場剩余干擾只有< 0.1°。

這一切都有賴于直接將霍爾元件集成到CMOS技術中，即能夠輕松地將多個霍爾元件集成到一個硅片上。這是該技術的獨特優(yōu)勢。

目前TDK也正在努力實現不受雜散場干擾的TMR（隧道磁阻）解決方案。