不出預料，三星（Samsung）在“Samsung晶圓代工論壇2019”以3nm產(chǎn)品為主打，最新的MBCFET架構成為眾所矚目焦點，此產(chǎn)品將在2019年最新建成的華城EUV專線上生產(chǎn)。除了最進階的技術值得關注外，Samsung也提到2019年將順利推出18FDS服務以進軍eMRAM市場。

Samsung號稱2021年將以3nm超越對手

Samsung Electronics在美國硅谷的Samsung Foundry Forum 2019上，搶先臺積電揭露自家最先進3nm制程技術路線，相較于2019年量產(chǎn)的7nm，3GAE可望進一步提升35%性能、降低50%功耗、減少45%面積。

事實上，Samsung與臺積電一直把對方視為最主要競爭對手，2019上半年更愈演愈烈，除在4～5月間相繼發(fā)布7/6/5nm進程，連未來技術的發(fā)布時間都可以成為比拼項目，Samsung此次率先發(fā)布自家3nm進度，更號稱能快于臺積電、Intel之前量產(chǎn)，估計臺積電很快就會做出回應。

華城EUV專線成Samsung第6條晶圓代工產(chǎn)線

自7nm開始，EUV光刻的投資成為臺積電、Samsung每年編列資本支出時最重要的考量環(huán)節(jié)，Samsung投資13億美元于華城EUV專線，在2019年第二季建設完成后將逐步移入機臺，據(jù)Samsung官方資訊，2019年Samsung將有6條晶圓代工產(chǎn)線，以2條封測代工產(chǎn)線（分別位于蘇州及安陽）為全球芯片客戶服務。

▲Samsung 2019年晶圓代工產(chǎn)線。

Samsung押寶18FDS值得關注

雖然不及3nm產(chǎn)品線搶眼，Samsung依然特別提到其18FDS有望于2019年取得不錯進展。事實上，晶圓代工廠商當中最大力推廣FD-SOI平臺的廠商當屬Globalfoundries，不過該平臺鎖定的12～28nm市場已被臺積電等廠商以成熟的FinFET、HKMG等相關產(chǎn)品把持，F(xiàn)D-SOI技術因苦于市場規(guī)模不足無法達到合適的經(jīng)濟效益，此一現(xiàn)象間接導致獨壓此平臺的Globalfoundries在晶圓代工市場節(jié)節(jié)敗退。

而Samsung身為同時布局FinFET、FD-SOI兩技術的代表性晶圓代工廠商，其18/28FDS的未來走向自然值得觀察，期望5G生態(tài)系養(yǎng)成后所需的低功耗芯片市場，能為FD-SOI平臺帶來及時雨。