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• 發(fā)布了文章 2025-06-26 16:11

  PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W

  

  PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí)，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無(wú)需更改PCB設(shè)計(jì)，否則就要重新設(shè)計(jì)PCB板，替換的步驟和成本將高許多。如果產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度較快，在選型時(shí)就要考慮芯片的可升級(jí)性，為以后的長(zhǎng)遠(yuǎn)效益做打算。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的PD40W氮化鎵快充電源方案

  快充 氮化鎵 電源

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• 發(fā)布了文章 2025-06-19 16:31

  E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能

  

  E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能Yinlianbao開(kāi)關(guān)電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化，一旦溫度超過(guò)預(yù)設(shè)的安全閾值，便會(huì)觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，如降低電流或切斷電源，以防止設(shè)備受損或安全事故的發(fā)生。E-GaN電源芯片U8733L集成外置NTC功能，具備溫度檢測(cè)和恒功率功能，推薦給大家！E-GaN電源芯片U8733L集成外置NTC功能，

  GaN 檢測(cè) 電源芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-06-12 15:46

  氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化

  

  氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問(wèn)題需協(xié)同芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵電源芯片U8722CAS采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化！氮化鎵電源芯片U8722CAS在輕載和空載狀態(tài)下

  氮化鎵 電源芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-06-05 16:16

  恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A

  

  恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。氮化鎵電源icU8608內(nèi)置線(xiàn)損補(bǔ)償功能，根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線(xiàn)損補(bǔ)償量，從而使得線(xiàn)纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線(xiàn)。線(xiàn)損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?%。再搭配同步整流icU7613A，就

  PSR 恒壓恒流 氮化鎵 電源

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• 發(fā)布了文章 2025-05-29 16:19

  ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS

  

  ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS深/圳/銀/聯(lián)/寶芯片的腳位是芯片與外部電路進(jìn)行連接的橋梁。通過(guò)引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進(jìn)行連接，構(gòu)成完整的電路。引腳用于為芯片提供電源和接地，還可以用于控制和指示芯片的工作狀態(tài)。今天，就請(qǐng)跟著銀聯(lián)寶小編的視角，一起看看關(guān)于快充電源芯片U8724AHS引腳的事！快充電源芯片U8724AHS封

  GaN 快充 電源芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-05-22 15:41

  全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B

  

  全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD20W氮化鎵電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片

  PD 氮化鎵電源

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• 發(fā)布了文章 2025-05-15 16:20

  45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269

  

  45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類(lèi)技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！快充電源芯片

  GaN 快充 電源

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• 發(fā)布了文章 2025-05-08 16:17

  30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U7106

  

  30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U7106同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7106電路設(shè)計(jì)參考如下：1.副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。2.VDD電容推薦使用1μF的

  CCM 同步整流芯片 快充

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• 發(fā)布了文章 2025-04-24 16:20

  25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH

  

  25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)E

  快充芯片 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-04-17 16:26

  電源管理芯片U3205A擁有良好的線(xiàn)性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率

  

  電源管理芯片U3205A擁有良好的線(xiàn)性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)負(fù)載狀態(tài)，自動(dòng)調(diào)節(jié)MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率，輕載或空載時(shí)?降低頻率?（如待機(jī)狀態(tài)），減少開(kāi)關(guān)損耗，典型待機(jī)功耗可?低于50mW；重載時(shí)?提升頻率?以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！?1高壓?jiǎn)?dòng)電路和超低待機(jī)功耗(

  MOSFET 啟動(dòng)電容 電源管理芯片 監(jiān)測(cè)

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