動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2026-02-09 10:47
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發(fā)布了文章 2026-02-02 14:17
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發(fā)布了文章 2026-01-27 15:03
哪些應(yīng)用環(huán)境最容易導(dǎo)致 ESD 管短路失效？——從失效機(jī)理到工程對(duì)策
一、ESD管“短路失效”并非偶然在實(shí)際項(xiàng)目中，F(xiàn)AE經(jīng)常遇到這樣的問(wèn)題：ESD測(cè)試通過(guò)、產(chǎn)品初期正常，但現(xiàn)場(chǎng)使用一段時(shí)間后，ESD管直接短路，信號(hào)線(xiàn)被拉死。很多工程師第一反應(yīng)是“器件質(zhì)量問(wèn)題”，但從失效分析結(jié)果來(lái)看，80%以上與應(yīng)用環(huán)境密切相關(guān)，而非單純的器件缺陷。二、最容易引發(fā)ESD管短路的典型環(huán)境1.高靜電頻繁釋放環(huán)境（重復(fù)應(yīng)力型）典型場(chǎng)景：工業(yè)觸摸屏金 -
發(fā)布了文章 2026-01-26 14:49
優(yōu)化三極管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與上升沿性能提升
一、為什么驅(qū)動(dòng)性能如此關(guān)鍵？三極管作為基礎(chǔ)的分立器件，在各種控制、放大和開(kāi)關(guān)電路中都有廣泛應(yīng)用。然而，在驅(qū)動(dòng)負(fù)載或級(jí)聯(lián)其它器件（如MOSFET、繼電器等）時(shí)，經(jīng)常會(huì)遇到上升沿緩慢、波形畸變、導(dǎo)通不及時(shí)等問(wèn)題，這些問(wèn)題不僅影響電路性能，還會(huì)增加功率損耗、EMI干擾及熱應(yīng)力。在實(shí)際工程應(yīng)用中，如何利用優(yōu)質(zhì)分立器件（如MDD的MOSFET、三極管、小信號(hào)器件等）改 -
發(fā)布了文章 2026-01-20 15:29
MOSFET 失效 Top 原因
在電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOSFET是最核心，也是最容易“背鍋”的功率器件之一。很多現(xiàn)場(chǎng)問(wèn)題表面看是MOSFET炸管，但真正的原因，往往來(lái)自設(shè)計(jì)假設(shè)與真實(shí)工況不匹配。根據(jù)FAE現(xiàn)場(chǎng)統(tǒng)計(jì)，80%的MOSFET失效并非器件質(zhì)量問(wèn)題，而是設(shè)計(jì)與應(yīng)用問(wèn)題。本文聚焦Top10中的前5項(xiàng)來(lái)看看：電氣設(shè)計(jì)相關(guān)失效的原因。一、TOP1：V -
發(fā)布了文章 2026-01-19 11:48
MDD從工程故障看三極管三個(gè)極的設(shè)計(jì)誤區(qū)與失效案例
一、為什么三極管問(wèn)題總是“看起來(lái)很隨機(jī)”？在FAE現(xiàn)場(chǎng)支持中，經(jīng)常遇到如下問(wèn)題：-同一電路，有的板子正常，有的異常-高溫下工作不穩(wěn)定-更換批次后性能漂移這些問(wèn)題，90%都與三個(gè)極的設(shè)計(jì)與使用方式有關(guān)。二、基極相關(guān)的典型工程問(wèn)題1.基極驅(qū)動(dòng)不足，導(dǎo)致“半導(dǎo)通”表現(xiàn)：-集電極發(fā)熱嚴(yán)重-電壓壓降異常-器件壽命極短原因：-基極電流不足-MCUIO驅(qū)動(dòng)能力被高估解決建176瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2026-01-14 16:32
告別充電難題，MDD 辰達(dá)半導(dǎo)體針對(duì)清潔電器推出分立器件解決方案
隨著生活水平的提高和智能家居概念的深入人心，清潔家電正以前所未有的速度走進(jìn)千家萬(wàn)戶(hù)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球智能掃地機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)百億美元，在這一快速發(fā)展的市場(chǎng)中，產(chǎn)品的可靠性、安全性和智能化水平已成為消費(fèi)者選擇的關(guān)鍵因素。一、功率傳輸鏈路:低損耗與防誤觸的雙重設(shè)計(jì)吸拖掃地機(jī)充電單元：器件協(xié)同與智能充電技術(shù)解析以MMBT5551、SS310、MDD30P04D、B -
發(fā)布了文章 2026-01-12 10:17
散熱設(shè)計(jì)不良為何會(huì)導(dǎo)致 MOSFET 過(guò)熱失效？
一、問(wèn)題背景在電源、BMS、車(chē)載電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOSFET常年工作在大電流、高頻、高環(huán)境溫度條件下。很多現(xiàn)場(chǎng)失效案例中，MOSFET本身參數(shù)選型并不低，但仍然頻繁燒毀，最終溯源發(fā)現(xiàn)，根本原因并非器件質(zhì)量，而是散熱設(shè)計(jì)不良。散熱問(wèn)題往往是“隱性故障”，短期測(cè)試可能正常，但在長(zhǎng)期運(yùn)行或高溫環(huán)境下極易暴露。二、MOSFET過(guò)熱失效的典型136瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2026-01-05 11:39
二極管導(dǎo)通電壓過(guò)高對(duì)效率的影響及優(yōu)化方案
在現(xiàn)代電子電路中，二極管被廣泛應(yīng)用于整流、電源管理、保護(hù)電路等領(lǐng)域。二極管的導(dǎo)通電壓（V_f）是其一個(gè)重要參數(shù)，它決定了電流通過(guò)二極管時(shí)的電壓降。如果二極管的導(dǎo)通電壓過(guò)高，它將直接影響電路的效率，尤其在電源設(shè)計(jì)和電能轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，功率損失和效率的損害尤為顯著。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將探討二極管導(dǎo)通電壓過(guò)高對(duì)電路效率的影響，并提出優(yōu)化解決方案，以提高電路的性能。一 -
發(fā)布了文章 2026-01-04 10:54
MOSFET開(kāi)關(guān)速度不夠?qū)е鹿β蕮p失及解決方案
MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路，特別是在高效電力電子和開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中。其高速開(kāi)關(guān)特性使其在很多高頻應(yīng)用中成為理想的選擇。然而，在某些應(yīng)用中，由于MOSFET開(kāi)關(guān)速度不足，可能導(dǎo)致功率損失增大，進(jìn)而影響整個(gè)電路的效率和性能。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將探討MOSFET開(kāi)關(guān)速度不足導(dǎo)致功率損失的原因，并提供解決方案，以提高系統(tǒng)的性能和效率。一、MO196瀏覽量
