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企業(yè)號(hào)介紹

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仁懋電子

創(chuàng)始于2011年，國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新企業(yè)，主營(yíng)產(chǎn)品：肖特基?極管、三極管、低中?壓MOS、快恢復(fù)?極管、低壓降肖特基、IGBT等。

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-10-28 09:30

    仁懋電子高壓平面MOS技術(shù)在電力行業(yè)的應(yīng)用

    隨著科技的不斷發(fā)展，電力行業(yè)對(duì)高壓功率器件的需求日益增長(zhǎng)。作為一家國(guó)產(chǎn)功率器件生產(chǎn)原廠，仁懋電子一直致力于研發(fā)和生產(chǎn)MOS系列產(chǎn)品，其高壓平面MOS有MOT5N50、MOT4N65、MOT7N65、MOT10N65、MOT12N65等200多款型號(hào)不同電壓選擇（具體參照產(chǎn)品型號(hào)表）。仁懋電子高壓平面MOS的特點(diǎn)高壓平面MOS（Metal-Oxide-Semi

  • 發(fā)布了文章 2025-10-24 10:23

    功率MOSFET在電源板上參數(shù)解讀

    功率MOSFET在電源板上參數(shù)解讀
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  • 發(fā)布了文章 2025-10-15 17:41

    高功率密度65W氮化鎵快充方案：仁懋MOS 1145G開(kāi)啟快充新紀(jì)元

    在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入了全新動(dòng)能。突破性的性能表現(xiàn)仁懋MOT1145G同步整流NMOS采用先進(jìn)的溝槽工藝，具備100V耐壓`和4.4mΩ的超低導(dǎo)通電阻，電流承載能力高達(dá)90A。這一突破性參
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  • 發(fā)布了文章 2025-09-27 10:17

    基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路：柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化

    PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)器件，其柵極與源極之間存在等效電容（Ciss=Cgd+Cgs),柵極電阻（Rg）的主要作用包括：1.限制柵極驅(qū)動(dòng)電流：防止驅(qū)動(dòng)芯片輸出過(guò)大電流損壞MOSFET柵極氧化層（通常柵極電壓不超過(guò)±20V）2.控制開(kāi)關(guān)數(shù)度：通過(guò)調(diào)節(jié)Rg阻值改變柵極充電/放電速度，影響MO

  • 發(fā)布了文章 2025-09-17 17:47

    仁懋MOT9166T產(chǎn)品特點(diǎn)及應(yīng)用

    仁懋產(chǎn)品T9166T特點(diǎn)低導(dǎo)通阻抗Rds(on):6.7(type)內(nèi)置體二極管反向恢復(fù)時(shí)間148ns超低反向電容Crss低至346pf@40V高浪涌能量EAS達(dá)2500mJ外掛仁懋MOT9166T的NMOS寬工作溫度范圍:-55~175℃采用trench工藝使得Id可達(dá)81A@100℃封裝:擁有8腳TOLL以及TOLT雙面散熱等封裝可實(shí)現(xiàn)P2P能實(shí)現(xiàn)在浪涌
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-16 14:42

    MOT5N50BD

    產(chǎn)品型號(hào)：MOT5N50BD
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  • 發(fā)布了文章 2025-09-12 11:32

    85V-265V全球電壓通吃！仁懋芯風(fēng)扇燈方案

    一顆“中國(guó)芯”的全球之旅：仁懋方案如何撬動(dòng)風(fēng)扇燈外貿(mào)市場(chǎng)從安第斯山脈的民居，到東南亞的商超，中國(guó)制造的風(fēng)扇燈正憑“可靠”二字照亮世界。而這份穩(wěn)定的光芒背后，離不開(kāi)來(lái)自仁懋的“電力心臟”。全球消費(fèi)者正用訂單為中國(guó)風(fēng)扇燈投票，在這片火熱的出口賽道中，產(chǎn)品能否實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)久穩(wěn)定的運(yùn)行，已成為品牌脫穎而出的關(guān)鍵。決定這些的，往往是隱藏在燈具內(nèi)部、不被普通消費(fèi)者察覺(jué)的供電核
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-09 14:29

    MOT4N90F

    產(chǎn)品型號(hào)：MOT4N90F
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-09 14:27

    MOT4N80F

    產(chǎn)品型號(hào)：MOT4N80F
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-09 14:23

    MOT4N80D

    產(chǎn)品型號(hào)：MOT4N80D
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企業(yè)信息

認(rèn)證信息： 仁懋電子

聯(lián)系人：楊小姐

聯(lián)系方式：
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地址：羅湖區(qū)桂園街道深城投中心19樓

公司介紹：?東仁懋電?有限公司創(chuàng)始于2011年，是國(guó)內(nèi)知名的半導(dǎo)體封裝測(cè)試?新技術(shù)企業(yè)，國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新企業(yè)“?巨?”企業(yè)，致?于為全球電?制造企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品。發(fā)展?今，仁懋電?擁有兩??產(chǎn)基地：珠三?深圳?及?三?江蘇鹽城，建筑?積為40000平??，?前封裝測(cè)試?間?積為20000平?，主要封裝形式為SOT、TO系列、PDFN產(chǎn)品封裝。隨著公司的投?和?藝技術(shù)不斷優(yōu)化，品質(zhì)穩(wěn)步提升，先后與業(yè)界知名企業(yè)建?戰(zhàn)略合作關(guān)系，已發(fā)展成為全國(guó)頗具競(jìng)爭(zhēng)?的功率器件封測(cè)企業(yè)。 仁懋電??前公司員?總共500余?，其中研發(fā)?員100余?。公司成?以來(lái)即專(zhuān)注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯?和功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷(xiāo)售，產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)且系列?全，涵蓋了主流的集成電路的系統(tǒng)應(yīng)?。主營(yíng)產(chǎn)品：肖特基?極管、三極管、低中?壓MOS、快恢復(fù)?極管、低壓降肖特基、IGBT等，?泛應(yīng)?于消費(fèi)電?、汽?電?、?業(yè)電?、新能源汽?及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。 仁懋電?堅(jiān)持?主研發(fā)制造，打破國(guó)外技術(shù)壁壘，助推碳化硅汽?芯?的國(guó)產(chǎn)化，?前，公司已申請(qǐng)/獲得專(zhuān)利近百余項(xiàng)，形成?體的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)體系，創(chuàng)??主品牌MOT，同時(shí)引進(jìn)國(guó)際?流的?端設(shè)備，?動(dòng)化程度?，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性，半導(dǎo)體器件封裝和測(cè)試?產(chǎn)線具世界先進(jìn)?平，為現(xiàn)代化??產(chǎn)提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 仁懋電??聚?才，以院?、博?等?業(yè)領(lǐng)軍?才為核?，將進(jìn)?步依托技術(shù)、品牌、渠道等綜合優(yōu)勢(shì)，開(kāi)拓國(guó)際先進(jìn)功率器件封裝制造技術(shù)，全?推進(jìn)?端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)布局半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)前沿的技術(shù)領(lǐng)域，提升公司核?產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)?和市場(chǎng)地位，深化產(chǎn)品的全?國(guó)產(chǎn)化，開(kāi)拓創(chuàng)新，提供?質(zhì)量產(chǎn)品，為我們的客?開(kāi)發(fā)節(jié)能可持續(xù)的解決?案。仁懋電?建?了?效的供應(yīng)鏈管理流程，每年的出貨量均能超過(guò)百億只，滿?了市場(chǎng)以及客?的嚴(yán)苛要求。

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