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• 發(fā)布了文章 2025-12-12 15:26

  選型手冊：VS320N10AU N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-12 14:34

  選型手冊：VST009N15HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VST009N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-11 15:36

  選型手冊：VS3602GPMT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-11 11:52

  選型手冊：VS4603DM6 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4603DM6是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-263-RL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-11 11:20

  選型手冊：VST002N06MS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-11 10:52

  選型手冊：VS3610AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-11 10:48

  選型手冊：VS3640DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DS是一款面向30V低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配雙路低壓電源管理、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配雙路低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-10 14:53

  選型手冊：VS3622AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  MOS MOSFET 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-10 14:50

  選型手冊：VS3640DE 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DE是一款面向30V低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN3333封裝，適配雙路低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配雙路低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-10 11:48

  選型手冊：VS3640AA N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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